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退火温度对透明导电Ga2O3/ITO周期多层膜性能的影响赵银女鲁东大学教务处摘 要:用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2O3/ITO周期多层膜.样品在300800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020cm-3和14.02cm2 V-1s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83%,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.关键词:磁......
with the phosphor prepared by the solid-state reaction, the phosphor synthesized by citric gel was calcined at a relatively lower temperature. Consequently, the volatilization of Ga2O3 during high......
退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响 王书运1,庄惠照1,高海永1 (1.山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014) 摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响. 关键词:射频磁控溅射; GaN薄膜; ZnO缓冲层; 氨化反应; [全文内容正在添加中] ......
Ga1-xZnxNO光催化剂粉体的制备及其表征姜春华,郑玉红,杨伟光,万发荣摘 要:在氮化镓中添加其他元素,有可能使其宽禁带变窄,从而提高其作为光催化剂的光利用效率.在1123K的氮化温度下,用氧化镓(Ga2O3)和氧化锌(ZnO)粉末与流动的NH3反应900min制备出黄色的氮化镓与氧化锌的固溶体Ga1-xZnxNO.探讨了制备工艺对所得粉体的影响,通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)以及紫外可见吸收光谱(UV-Vis)研究Ga1-xZnxNO的晶体结构和光学性能.所得Ga1-xZnxNO的粉末呈六角纤锌矿结构,紫外可见吸收光谱表明该物质的吸收峰位于可见光范围内.关键词:微晶;Ga1-xZnxNO;光催化;晶体结构;光学性能;......
微波水热及氨化法制备GaN纳米棒李栋,王芬,朱建锋,薛小霜陕西科技大学材料科学与工程学院摘 要:以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒.采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征.研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成.XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好.光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰.中心位于468nm,493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用.关键词:微波水热;高温氨化;GaN;纳米棒;......
固相烧结反应法制备IGZO粉末孟璇1,2,陈敬超1,2,贾清翠1,2,杨波1,2,庄严1,2,于杰1,21. 昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室2. 云南省新材料制备与加工重点实验室摘 要:以高纯度的ZnO,In2O3和Ga2O3等氧化物粉末为原料,经过球磨充分混合并细化后,采用固相烧结反应法制备IGZO(indium gallium zinc oxide)粉末,利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)对该粉末的物相组成,颗粒表面形貌与粒径等进行观察与分析,研究烧结温度,保温时间及球料质量比对IGZO粉末形貌与结构的影响.结果表明:在保温时间为6 h的条件下,烧结温度为1 100℃时,Ga2O3和ZnO反应生成ZnGa2O4,所得粉末以ZnGa2O4相为主,仍有In2O3未发生反应......
棒状氧化镓的合成和发光性质研究 张士英1,李保理1,庄惠照1,薛成山1 (1.山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,山东,济南,250014) 摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β-Ga2O3.X射线衍射,选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为β-Ga2O3.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70~200nm左右.室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射.另外,简单讨论棒状β-Ga2O3的生长机制. 关键词:β-Ga2O3 棒; 磁控溅射; 光致发光; [全文内容正在添加中] ......
液相共沉淀法制备钆镓石榴石(Gd3Ga5O12,GGG)多晶原料 何晓明1,李涛1,肖筱华2,徐军1,赵广军1,赵鹤明2 (1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;2.苏州大学通信与电子工程系,苏州,215021) 摘要:采用液相共沉淀的方法制备了钆镓石榴石(GGG)的多晶原料,给出了液相合成GGG多晶料的工艺步骤及其条件.就组分Gd2O3和Ga2O3的配比,滴定氧化物溶解的混合溶液使其沉淀的pH值,共沉淀后烧结温度以及烧结时间等影响GGG多晶料合成的重要因素进行了讨论.通过和固相合成GGG多晶料的条件比较可知,液相合成GGG多晶原料的工艺具有合成的GGG多晶料均匀充分,合成温度低与烧结时间短等优点. 关键词:共沉淀法; 烧结; Gd3Ga5O12; 多晶料; [全文内容正在添加中] ......
以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜 王书运1,董志华1,田德恒1,庄惠照1,吴玉新1,薛成山1,高海永1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较.实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量. 关键词:射频磁控溅射; 自组装; 中间层; SiC; [全文内容正在添加中] ......
ZnO/Ga2O3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响 董志华1,庄惠照1,薛成山1,高海永1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD),红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响. 关键词:氨化; ZnO/Ga2O3薄膜; 挥发; 射频磁控溅射; Ammoniate; ZnO/Ga2O3 films; volatilization; r.f. magnetron......