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全自动离心判读仪的研制李臻,许林,许天力,胡智勇合肥工业大学机械与汽车工程学院摘 要:离心判读仪是以离心力来分离液体中悬浮颗粒或分离不同密度液体的一种医疗器械.当前此类设备大多依靠人力装夹,人工判读,耗费大量人力,判读标准化程度低.全自动离心判读仪采用PLC技术,集装夹微柱凝胶卡,判定有效性,离心和对离心结果进行判读等一系列动作于一身.减少了人力资源浪费,提高了判读准确性.判读仪控制系统主要由工控机,欧姆龙PLC及相关配套设备组成,判读的结果可在上位机中直接显示;另外还有自我学习功能,在一定程度上改变了传统微柱凝胶卡实验的过程.关键词:离心判读仪;欧姆龙;PLC;微柱凝胶卡;......
基于正交试验的机场供油管线的腐蚀影响因素研究丁清苗,范玥铭,莫小元,韩璐媛中国民航大学机场学院摘 要:利用电化学方法,通过正交试验来考察温度,交流杂散电流,Cl-浓度,pH值4个因素下某机场供油管道的腐蚀行为.分析结果表明盐含量尤其是Cl-浓度对管道的腐蚀速度影响最大,交流干扰电压,温度,pH值次之,交流干扰存在显然对供油管道的腐蚀有很大影响;各因素对其腐蚀行为的影响主要是通过改变金属表面欧姆电阻来实现,因此可以通过增大金属管道表面电阻来防腐;在4种影响因素组合条件下温度为30℃,交流干扰电压为10V,Cl-浓度为0.05mol/L,pH值为4.04时腐蚀电流密度最大达67.55μA/cm2,腐蚀情况最严重,应引起重视.关键词:电化学方法;正交试验;机场供油管道;腐蚀;欧姆电阻;......
处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小. 关键词:Al/Hg1-xMnxTe; Au/Hg1-xMnxTe; 欧姆接触; 肖特基接触; [全文内容正在添加中] ......
M/HgI2接触特性分析许岗1,李高宏1,介万奇2,查刚强21. 西安工业大学材料与化工学院2. 西北工业大学材料学院摘 要:利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2.采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒.采用比接触电阻法,电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性.结果表明,C/HgI2,AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差.分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒.但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性.由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质......
不同放电倍率下锂电池SOC估算分析研究张方亮,黄泽波,李占锋西南科技大学制造科学与工程学院摘 要:电动汽车作为新型节能环保的交通工具之一,以常用磷酸铁锂电池为研究对象,分析电池欧姆内阻是否对荷电状态(State of Charge,SOC)的估算存在影响.通过不同放电倍率的混合脉冲功率特性(Hybrid Pulse Power Characteristic,HPPC)实验对电池欧姆内阻进行了分析和辨识,并提出了一种实时修正欧姆内阻的原理和方法,以建立等效电路模型和滤波算法方法实现了在不同放电倍率下的SOC估算,报告了不同放电倍率下欧姆内阻对估算SOC及汽车容量信息显示存在影响的现状.研究结果表明,电池欧姆内阻对SOC估算及电动汽车剩余容量信息的显示具有直接的影响.关键词:电动汽车;锂电池......
钛基底上碳纳米管束阵列的制备与电化学性质 陈硕1,赵慧敏1,于洪涛1,全燮1 (1.大连理工大学环境与生命学院,工业生态与环境工程教育部重点实验室,大连,116024) 摘要:用热化学气相沉积法在阳极氧化4min的钛片上直接生长了有序碳纳米管束阵列.扫描电镜和透射电镜表征分析证明碳纳米管呈有序束状,管束由缠绕的碳纳米管组成.用半导体参数测试仪测得的电流-电压特性曲线接近线性,表明碳纳米管和钛片间近似欧姆接触.X射线衍射(XRD)表明TiC层的存在,进而通过对C-Ti二相图的分析确定TiC层是实现碳纳米管与钛基底近似欧姆接触的原因.用交流阻抗和循环伏安研究了碳纳米管阵列的电化学性质,证明其具有良好的电容特性. 关键词:碳纳米管阵列; 导电基底; 欧姆接触; 电容特性; [全文内容正在添加中] ......
Ni/Au,Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性 刘键1,白云1,刘新宇1,朱杰1,麻芃1 (1.中国科学院微电子研究所,北京,100029) 摘要:在AlGaN pin型日盲紫外探测器结构中的p-AIGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600-850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质.实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能.为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化.实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析. 关键词:p-AlGaN; 高Al组分; 欧姆接触; p-AIGaN; high Al contents; ohmic contacts......
金锗合金在电子工业中的应用 谢宏潮1,阳岸恒1 (1.贵研铂业股份有限公司,云南,昆明,650221) 摘要:金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S (金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性,导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用. 关键词:金属材料; 金锗合金; 电子封装; 金属/半导体系统; 欧姆接触; [全文内容正在添加中] ......
研制厚膜敏感陶瓷材料的新方法 徐翠艳1,王峻岳2,王梦魁1 (1.渤海大学,辽宁,锦州,121003;2.锦州市电教馆,辽宁,锦州,121000) 摘要:重点研究以Ba1-xSrxTiO3和(V1-xCrx)2O3为主要基体的双基体PTC热敏厚膜材料的相关特性.用(V1-xCrx)2O3取代价格昂贵的RuO2和银粉,不仅降低了室温电阻率,消除了非欧姆接触,同时提高了厚膜材料的性能,并显著降低了成本.独立地设计了用化学共沉淀方法制备Ba1-xSrxTiO3微粉的2个化学反应方程式,深入分析了聚乙二醇和无水乙醇在制备纳米粉时所起的防止颗粒发生团聚现象的作用. 关键词:共沉淀; 团聚; 非欧姆接触; (V1-xCrx)2O3; [全文内容正在添加中] ......
度,Ge浓度可以达到1.19′1019/cm3.所有晶片衬底均可以在不低于700℃的退火环境中形成欧姆接触,且在700℃时退火形成最佳欧姆接触.高浓度Ge掺杂衬底接触电阻明显小于低浓度Ge掺杂衬底接触电阻,这表明可以通过提高晶体中Ge元素浓度来提高器件性能.Hall测试结果表明,随着Ge掺杂浓度的升高,衬底迁移率会逐渐降低.这是由于Ge-N共掺后,SiC晶格匹配度提高,Ge元素的掺杂浓度变大,增加了杂质散射对迁移率的影响.关键词:物理气相传输法;Ge掺杂;晶格匹配;欧姆接触;迁移率;......
