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由工业V2O5制取VO2薄膜 徐楚韶1,陈厚生2,杨绍利1,胡再勇1 (1.重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044;2.攀枝花钢铁研究院,四川,攀枝花,617000) 摘要:以工业V2O5为原料,采用N2热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2薄膜,在自制的电阻-温度测量装置上测量VO2薄膜的电阻随温度的变化.结果表明:VO2薄膜具有明显电阻突变特性,其相变达到了1.5~2.0个数量级,相变温度约为35 ℃;VO2薄膜的主要成分是二氧化钒,同时含有少量其它的钒化合物. 关键词:V2O5; VO2; 薄膜; 热分解; M-S相变; [全文内容正在添加中] ......
液相沉淀法制备VO2纳米粉及晶化过程研究 徐时清1,谷臣清1,马红萍3,赵康1 (1.西安理工大学材料学院,陕西,西安,710048;2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;3.浙江科技学院机电系,浙江,杭州,310012) 摘要:研究了以 VOSO4为前驱体,应用液相沉淀法制取VO2纳米粉的制粉技术以及 VO2粉末的晶化过程,采用 TGA, DSC, XRD,TEM等测试手段对所得粉的物理特性进行了测试分析.试验结果表明:所制取的 VO2粉末颗粒粒径介于 10 nm~30 nm之间,该粉体经 400℃真空热处理10 h可完全实现晶化,相变温度为 65℃. 关键词:VO2粉末; 纳米粉; 液相沉淀法; [全文内容正在添加中] ......
1.7MeV电子束在VO2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化 卢铁城1,林理彬1,卢勇1,何捷1,邹萍2 (1.四川大学物理系,;2.四川大学分析测试中心,) 摘要:利用能量为1.7MeV,注量分别为1013~1015/cm2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响.结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化.电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响. 关键词:VO2薄膜; 结构; 相变性能; 电子辐照; [全文内容正在添加中] ......
草酸氧钒热分解制备纳米VO2及粉体表征 李庆1,邹建2,林华1 (1.西南大学材料科学与工程学院,重庆,400715;2.西南大学化学化工学院,重庆,400715) 摘要:研究了一种在350 ℃分解草酸氧钒前驱体(VOC2O4·H2O,草酸还原工业V2O5粉的产物)来制备纳米VO2粉末的方法.采用TG-DSC,XRD,TEM及电阻-温度仪等测试手段对所得粉末进行了测试分析,实验结果表明:所得VO2粉末呈结晶态,组分单一,粒径为80~120 nm,相变温度为68.5 ℃,电阻突变量约3个数量级. 关键词:纳米VO2粉末; 工业V2O5粉; 草酸氧钒; 热分解; [全文内容正在添加中] ......
掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究 刘阳思1,张玉波1,涂铭旌1,黄婉霞1,张月1,颜家振1 (1.四川大学,四川,成都,610064) 摘要:采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM,XS,XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6+形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6+,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6+量为2.04%,其相变温度下降到28℃. 关键词:钨掺杂; 相变温度; VO2薄膜; 光学性质; [全文内容正在添加中] ......
纳米VO2粉体的制备及性能特征 傅群1,郑臣谋1,林晨1,储向峰1,雷德铭2 (1.中山大学化学与化学工程学院;2.中山大学物理系,广州,510275) 摘要:应用氧钒(Ⅳ)碱式碳酸铵(NH4)5[(VO)6(CO3)4(OH)9]·10H2O为前驱体,低温下在空气和氮气的混合气流中热分解,制得不同整比性,不同结晶态的纳米VO2粉体.研究结晶态,准结晶态和无定形纳米VO2粉体对气体的吸附性能.DSC.测定结果表明VO2 025在70.1℃出现相变并且在VO1.958~VO2.071范围内具有最大相变热.测定了不同整比VOx的晶胞参数,单斜VO2的晶胞体积从缺氧VO2到富氧VO2线性增加. 关键词:二氧化钒纳米粉体; 整比性; 相变热; 晶胞参数; [全文内容正在添加中] ......
离子束增强沉积VO2多晶薄膜的相变模拟 李格1,袁宁一2,李金华2 (1.江苏工业学院,计算机工程系,常州,213016;2.江苏工业学院,信息科学系,常州,213016) 摘要:用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10~100℃范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2多晶薄膜的相变.模拟结果显示,由于晶粒中间隙位置氩的存在,使VO2晶格畸变,导致了薄膜中部分晶粒的相变温度降低,使IBED VO2薄膜在48℃开始由半导体相向金属相转变. 关键词:VO2多晶薄膜; 离子束增强沉积; 晶格畸变; 晶界隧穿; [全文内容正在添加中] ......
掺杂VO2的制备方法及其对性能的影响 齐济1,陈会英1,王承遇2,刘风娟3,宁桂玲3 (1.大连民族学院化学工程系,大连,116600;2.大连工业大学玻璃及无机新材料研究所,大连,116034;3.大连理工大学化工学院材料化工系,大连,116024) 摘要:VO2是一种温感相变材料,在68℃左右它从低温半导体相向高温金属相转变,同时其光学和电学性质发生突变.通过掺杂可以调整VO2的相变温度,掺杂VO2在建筑用节能窗等方面有广阔的应用前景.综述了掺杂VO2粉体和掺杂VO2膜的制备方法和性能,讨论和分析了制备方法,掺杂工艺,基片选择与预处理,掺杂离子性质,复合掺杂离子种类对VO2结构和性能的影响.指出化合价大于V4+的掺杂剂能使VO2相变温度降低,化合价小于V4+的掺杂剂能使VO2相变温度升高,化合价等于V4+的掺杂剂,其离子半径大于V4+的能使VO2的相变温度降低,离子半径小于V4......
溅射法制备VO2薄膜的研究现状 张津1,宋晶晶1,杨栋华1 (1.重庆工学院材料学院,重庆,400050) 摘要:主要介绍了VO2薄膜的微,宏观相变机理,阐述了溅射法制备VO2薄膜的优势及影响薄膜性能的一些因素,指出了今后VO2薄膜的研究重点. 关键词:二氧化钒; 薄膜; 溅射; 影响因素; [全文内容正在添加中] ......
掺Mo纳米VO2粉体的相变特性研究 涂铭旌1,范樵乔1,黄维刚1,林华2 (1.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610065;2.西南师范大学材料科学与工程系,重庆,400715) 摘要:采用一种制备掺杂纳米VO2粉体的新方法获得掺Mo纳米VO2粉体.用XRD,TEM,XPS手段对掺杂纳米VO2的结构进行了表征,并研究了掺杂VO2的相变特性.结果表明,所制备的纳米VO2的尺寸约为26 nm,形貌呈近球形.掺入的Mo以Mo+6的形式存在于VO2的晶格中,形成V1-xMoxO2固溶体.掺杂纳米VO2粉体的电阻随温度的变化具有明显的开关特性.随掺入Mo含量的增加,VO2的相变温度呈线性下降,在6%MoO3的掺入量时,相变温度降为45℃. 关键词:纳米材料; 二氧化钒; 热致相变; 掺杂; [全文内容正在添加中] ......
