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• 渗硅制备Mo-MOSi2梯度材料层的特性

  来源： 《稀有金属材料与工程2008年第11期》——张士宪 李智慧 李运刚 梁精龙 马瑞新 唐国章

  →Mo5Si3+Mo3Si+Mo→Mo5Si3+MoSi2→MoSi2,并且各物质所占的比重随硅含量的变化而变化. 关键词:Mo-MoSi2梯度材料; 特性; 物质组成; [全文内容正在添加中] ......

• Mo-Si材料相组成与热膨胀性能的研究

  来源： 《航空材料学报2006年第4期》——易丹青 蔡志刚 肖来荣 刘瑞

  Mo-Si材料相组成与热膨胀性能的研究 易丹青1,蔡志刚1,肖来荣1,刘瑞1 (1.中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083) 摘要:利用液相反应烧结制备不同配比的Mo-Si复合材料,用X射线分析相组成,扫描电镜观察微观组织形貌,热膨胀仪测不同块体材料的热膨胀系数(CTE).研究结果表明,不同配比烧结体相组成以MoSi2为主,当Si/Mo为2.2:1(at%)时MoSi2基体中仍含有极少量的Mo5Si3相,而Si/Mo为2.3:1时生成纯MoSi2.复合材料的CTE随Mo5Si3相含量的减少而增加,当Si/Mo达到2.3:1时,CTE为最大值(8.16×10-6K-1). 关键词:液相反应烧结; Mo-Si复合材料; 热膨胀系数; [全文内容正在添加中] ......

• Si₃N₄-MoSi₂复合陶瓷导电性能研究

  来源： 《稀有金属材料与工程2011年第S1期》——谭威 林旭平 马景陶 张宝清

  Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能研究谭威,林旭平,马景陶,张宝清清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室摘 要:研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响,并对导电机制进行分析.Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低,呈"S"型曲线.当MoSi2含量为30%35%(体积分数,下同)时,电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm.MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用,当其含量超过30%时,导电相形成连通网络结构,使复合陶瓷电阻率迅速下降.复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成,Mo5Si3相同样起导电相作用.关键词:二硅化钼;氮化硅;导电陶瓷;......

• 金属钼表面Mo-C-N-Si涂层的制备及其高温氧化特性

  来源： 《稀有金属材料与工程2014年第5期》——古思勇 张厚安 吴艺辉

  金属钼表面Mo-C-N-Si涂层的制备及其高温氧化特性古思勇1,张厚安1,吴艺辉11. 厦门理工学院厦门市粉末冶金技术与新材料重点实验室摘 要:在金属钼表面制备了Mo-C-N-Si涂层,研究了涂层在1600℃大气环境下的氧化特性,采用SEM和XRD分析了涂层的微观结构和物相组成.结果表明:Mo-C-N-Si涂层以MoSi2为主相,SiC和Si3N4为次相,存在Mo2C+MoxN中间层;由于扩散和氧化反应,涂层在氧化初期形成SiO2氧化膜层,MoSi2主体层,Mo5Si3层和Mo2C+MoxN层等四层结构,氧化后期转变为Mo2C+MoxN层和Mo3Si+Mo5Si3层的双层结构,导致涂层失效.由于C,N的引入,涂层抗热震性能良好.关键词:Mo-C-N-Si涂层;钼基体;高温抗氧化;......

• 硅化钼-硅化钨合金的自蔓延爆炸合成

  来源： 《中国钼业2002年第6期》——林锋

  硅化钼-硅化钨合金的自蔓延爆炸合成林锋莆田学院 福建莆田351100摘 要:用Mo,W,Si粉通过自蔓延爆炸合成方法制备MoSi2 ,WSi2 ,Mo5Si3,W5Si3及其合金.对反应产物进行X射线衍射及电子探针分析 ,并研究了不同炉膛温度对合成反应产物的影响.关键词:自蔓延爆炸合成;MoSi2;WSi2;Mo5Si3;W5Si3;合金;......

• 硅钼混合粉末反应烧结合成MoSi₂

  来源： 《桂林理工大学学报2006年第1期》——刘心宇 成钧

  硅钼混合粉末反应烧结合成MoSi2刘心宇,成钧摘 要:系统研究了按Mo-66.6%Si配比的混合粉末反应烧结合成MoSi2的相变过程,并从热力学和动力学的角度给予分析.结果表明,反应烧结合成纯MoSi2的最低温度为1 200℃左右,且由低温至高温相的形成顺序为Mo+Si→Mo3Si+Si→Mo5Si3+Si→MoSi2.关键词:Mo3Si;Mo5Si3;MoSi2;反应烧结;......

• MoSi2发热元件表面保护膜的形貌与结构

  来源： 《机械工程材料2008年第1期》——王晓虹 冯培忠 任耀剑

  MoSi2发热元件表面保护膜的形貌与结构 王晓虹1,冯培忠1,任耀剑1 (1.中国矿业大学材料科学与工程学院,江苏徐州,221116) 摘要:采用SEM和EDS技术研究了国外某MoSi2发热元件表面保护膜的成分和微观组织.结果表明:在MoSi2发热元件外表面存在一层光滑致密的厚度超过10μm的玻璃保护膜,膜和基体之间界面清晰,结合紧密,该膜是一种以SiO2为主,含有少量铝,钠,镁和钙氧化物的复合成分的玻璃保护膜;在最外层玻璃保护膜和基体之间存在1~2μm厚的Mo5Si3过渡层;复合成分玻璃保护膜和Mo5Si3过渡层的出现有利于调整保护膜和基体之间热膨胀系数的差异,提高保护膜和基体结合的稳定性,有利于发热元件的高温使用. 关键词:二硅化钼; 发热元件; 保护膜; 组织; [全文内容正在添加中] ......

• MoSi₂-Mo₅Si₃复合材料的烧结工艺

  来源： 《中国钼业2000年第2期》——王德志 刘心宇 左铁镛

  MoSi2-Mo5Si3复合材料的烧结工艺王德志,刘心宇,左铁镛长沙铁道学院机电工程学院!长沙410075中南工业大学材料科学与工程系!长沙410083北京工业大学!北京100022摘 要:系统研究了MoSi2 -Mo5Si3复合材料的烧结工艺.结果表明 ,MoSi2 -Mo5Si3复合材料理想的烧结温度为 1 40 0~ 1 50 0℃ ,保温时间为 1 .0~ 1 .5h ,当Mo5Si3含量为 1 6%时 ,MoSi2 -Mo5Si3复合材料具有最大的相对密度和硬度.关键词:MoSi2;Mo5Si3;烧结;......

• La2O3对Mo5Si3/MoSi2复合材料的改性研究

  来源： 《中国稀土学报2007年第2期》——唐思文 张厚安 刘心宇

  键词:MoSi2基复合材料; 烧结工艺; 强韧化; Mo5Si3; 稀土; [全文内容正在添加中] ......

• CODEPOSITION OF ALUMINUM AND SILICON ON PURE MOLYBDENUM SUBSTRATE USING HALIDE ACTIVATED PACK CEMENTATION TREATMENTS

  来源： 《Acta Metallurgica Sinica2002年第2期》——H.B.Xu S.K.Gong F.S.Liu C.G.Zhou J.L.Xu

  cementation coating processon pure Mo substrate. The results show that Mo(Si, Al)2 formed as a main phase onthe surface and a little amount of Mo5Si3 also formed. The total thickness of coatingis tens......