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Metallorganic Vapor Phase Epitaxy of(AlGa)InP on GaAs at Atmospheric PressureHongwen REN Baibiao HUANG Shuqin YU Xian’gang XU Shiwen LIU Minhua JIANG Institute of Crystal Materials,Shandong University,Jinan,250100,China摘 要:<正> High quality (AlGa)InP epilayers lattice matched on GaAs substrates were grown by atmosphericpressure metallorganic vapor......
">The band alignment of HfO2 film on p-type(100) InP substrate grown by magnetron sputtering was investigated.The chemical states and bonding characteristics of the system were characterized by X-ray... band gap of HfO2 is aligned to the band gap of InP with a conduction band offset(ΔEc) of(2.74 ± 0.05) eV and a valence band offset(ΔEv) of(1.80 ± 0.05) eV.Compared with HfO2 on Si,HfO2 on InP exhibits......
基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析 魏林1,李耀耀1,李爱珍1,徐刚毅1,李华1,梅斌1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好. 关键词:高分辨X射线衍射; InGaAs; InAlAs; 错向角; 摇摆曲线......
氧化铝薄膜对硫钝化InP材料光学稳定性的影响田珊珊1,魏志鹏1,赵海峰2,高娴1,方铉1,唐吉龙1,楚学影1,方芳1,李金华1,王晓华1,李梅1,马晓辉11. 长春理工大学理学院2. 长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室摘 要:利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征.硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高.而样品表面的Al2O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能.关键词:InP;光致发光;硫......
Growth of High Quality Semi-Insulating InP Single Crystal by Suppression of Compensation Defects Zhao Youwen1,Yang Zixiang1,Sun Wenrong1,Duan Manlong1,Dong Zhiyuan1 (1.Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) Abstract:Deep level defects in as-grown and annealed SI-InP samples were investigated by thermally stimulated current spectroscopy. Correlations......
InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究 贾锐1,李月法2,武光明3,朱江3 (1.中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;2.中国科学院半导体研究所;3.北京石油化工学院) 摘要:在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点,线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的. 关键词:材料科学基础学科; InAs自组织量子点(线); 光致发光光谱; 浸润层; [全文内容正在添加中] ......
Fabrication of Two Types of Ordered InP Nanowire Arrays on a Single Anodic Aluminum Oxide Template and Its Application in Solar CellsJun Zhang1,Ling Jin1,Siqian Li1,Jian Xie1,Fangyu Yang1,Jinxia...,Institute for Materials Research,University of Salford摘 要:Two types of ordered InP nanowire arrays have been prepared on the same anodic aluminum oxide template......
用于OEIC的InPMISFET的研制 刘宝林1,陈朝1,傅仁武1,陈松岩1 (1.厦门大学物理系,厦门361005) 摘要:用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm,栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET.直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2.设计计算的特征频率fT=97.1GHz,最高特征频率fmax=64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象.本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分. 关键词:磷化铟(InP); 绝缘栅场效应管(MISFET); 光电集成(OEIC); [全文内容正在添加中] ......
InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术 李献杰1,敖金平1,徐晓春1,梁春广1,刘伟吉1,曾庆明1 (1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051;2.林大学光集成国家重点实验室,长春130023) 摘要:用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs,InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz. 关键词:InP; InGaAs; 选择腐蚀; HBT; [全文内容正在添加中] ......
InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究 徐安怀1,邹璐1,陈晓杰1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求. 关键词:分子束外延; 异质结双极晶体管; InGaAs; InP; [全文内容正在添加中] ......
