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CaF2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能 熊 焰, 傅正义, 王 皓 (武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室, 武汉 430070) 摘 要: 采用放电等离子烧结技术, 添加质量分数为3 %的CaF2作为烧结助剂, 制备了透明氮化铝 (AlN) 陶瓷. 样品在烧结温度1800℃, 30MPa压力下保温15min, 达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率. SEM, XRD, TEM和EDX结果表明, 烧结体具有很高的致密度, 纯度, 良好的晶粒形貌和微观晶体结构, 晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在. CaF2的添加引入液相烧结, 促进AlN晶粒的生长和烧结体的致密化, 并且与AlN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出, 进一步净化烧结体, 是制备透明AlN陶瓷的有效助剂. 放电等离子烧......
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AlN陶瓷的高压烧结研究 贾晓鹏1,郑友进1,马红安1,左桂鸿3,李小雷1,李吉刚1 (1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,长春,130012;2.河南理工大学,焦作,454000;3.牡丹江师范学院,牡丹江,157012) 摘要:以自蔓延高温合成的AlN粉体为原料,用六面顶压机在高压(3.1~5.0GPa)下实现了未添加烧结助剂的AlN陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺参数对AlN烧结性能的影响.用XRD,SEM对AlN高压烧结体进行了表征.研究表明:高压烧结能够有效降低AlN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,烧结体的结构致密.在5.0GPa/1300℃条件下高压烧结50min的AlN陶瓷的相对密度达94.9%.在5.0GPa/1700℃/125min条件下制备的AlN陶瓷晶格常数比其粉体减小了约0.09%. 关键词:AlN陶瓷; 高压烧结; 致密化; [全文内容正在添加中] ......
AlN多型体研究进展 周国红1,李亚伟1,李楠1 (1.武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室,武汉,430081) 摘要:简述了AlN多型体的类型,结构及其烧结性能和力学性能,介绍了目前国内外对AlN多型体的研究概况,系统地阐述了AlN多型体的研究进展. 关键词:Sialon; 陶瓷; AlN多型体; [全文内容正在添加中] ......
纳米AlN粉末的低温烧结 秦明礼1,汤春峰2,曲选辉1,段柏华2,罗铁钢1,肖平安2 (1.北京科技大学,北京,100083;2.中南大学,湖南,长沙,410083) 摘要:研究了低温燃烧合成前驱物制备纳米级AlN粉末的低温烧结行为,利用XRD,SEM等手段对陶瓷粉末及烧结体进行了表征.结果表明:由于该粉末的粒径小(约为100 nm),比表面积大(17.4 m2/g),具有很好的烧结活性,在未使用烧结助剂时,在常压下1 700℃获得了致密的陶瓷材料;添加5%Y2O3烧结助剂后,AlN的烧结致密化温度又降低为1 600℃,比通常采用的比表面积低于5 m2/g的AlN粉末的烧结致密化温度降低了200℃.分析了该种粉末促进烧结的机理,并在1 650℃时制备出热导率为132.4 W·m-1·K-1的AlN陶瓷. 关键词:纳米; AlN粉末; 低温烧结; [全文内容正在添加中] ......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 24(2014) 2845-2855 Effects of sputtering pressure on nanostructure and nanomechanical properties of AlN films prepared by RF reactive sputtering Qiu-ping WEI1,2... April 2014 Abstract: Wurtzite aluminum nitride (AlN) films were deposited on Si(100) wafers under various sputtering pressures by radio-frequency (RF) reactive magnetron sputtering. The film......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 28(2018) 2574-2581 Effects of AlN hydrolysis on fractal geometry characteristics of residue from secondary aluminium dross using response surface methodology Yong... of aluminium nitride (AlN) hydrolysis on fractal geometry characteristics of residue from secondary aluminium dross were studied using response surface methodology. The results show that the fractal......
Effect of gas pressure on residual stresses in AlN films deposited on Al substratesTIAN Jing(田 竞)1, XUE Xiang(薛 祥)1, Takao Hanabusa2, Kazaya Kusaka2(1. School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China;2. Faculty of Engineering, Tokushuima University, Tokushima, Japan)Abstract:AlN Films were prepared on Al alloy substrates by cathode sputtering.The......
AlN陶瓷氧化行为的研究 严伟林1,庄汉锐1,徐素英1,李文兰1,许昕睿1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050) 摘要:探索了AlN陶瓷在不同烧结气氛,湿气及不同温度下的氧化行为和机理.结果表明:湿气的存在显著地影响了AlN陶瓷的氧化行为,1225℃,AlN陶瓷在湿氮气,湿氮气:氧气=10:1及湿空气条件下的氧化遵循抛物线性规律,而干空气条件下遵循线性规律;空气中氧化时,AlN陶瓷的氧化曲线在1100~1300℃表现为线性,当温度超过1300℃时,氧化曲线表现出抛物线性的规律,其线性氧化过程的反应活化能为233kJ/mol. 关键词:AlN陶瓷; 氧化行为; 线性规律; 抛物线性规律; [全文内容正在添加中] ......
高压烧结AlN陶瓷的残余应力研究李小雷1,2,王红亮1,曹新鑫1,马红安21. 河南理工大学材料科学与工程学院2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室摘 要:利用六面顶技术,在5.0GPa/1 700℃/75~125min条件下高压烧结制备了无烧结助剂的AlN陶瓷块体材料.利用微区拉曼光谱对其残余应力进行了测量,研究了烧结时间对其残余应力的影响,并探讨了残余应力产生的原因及消除的方法.研究表明,微区拉曼光谱是一种测量AlN高压烧结体残余应力的有效方法;在5.0GPa/1 700℃/75min条件下高压制备的AlN陶瓷存在着1.4GPa的残余压应力,且残余应力会随着烧结时间的延长而增大;高压烧结AlN陶瓷产生残余应力的主要原因是AlN晶格产生畸变,这种畸变是长时间施加高压产生的,退火是消除AlN高压烧结体的......
