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硅基正六边形氮化镓纳米颗粒薄膜的制备,结构和形貌特性 庄惠照1,薛成山1,张晓凯1,薛守斌1,胡丽君1,滕树云1 (1.山东师范大学半导体研究所,济南,250014) 摘要:本文通过在ZnO/Si(111)衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜.然后将硅基Ga2O3置于管武石英炉中,在850℃的氨化温度下氨化15min后,成功制备出GaN薄膜,该薄膜由正六....最后,简单地讨论了其生长机制. 关键词:氨化法; 氮化镓薄膜; 氧化镓薄膜; 正六边形结构晶粒; ammoniate; GaN films; Ga2O3 films; regular - hexagon - structural crystal; [全文内容正在添加中] ......
溶胶-凝胶提拉法制备光导型日盲区紫外探测器 何作鹏1,杜娟1,孙兰侠1,王玮1,范镓1,季振国1 (1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027) 摘要:利用溶胶凝胶法制备了Ga2O3和InxGa2-xO3薄膜,对其晶体结构,光探测性能等进行了研究,并制作了1个基于上述氧化镓薄膜的光导型紫外探测器.实验结果表明,Ga2O3是很好的光导型日盲紫外探测材料之一. 关键词:溶胶凝胶; 氧化镓:紫外探测器:日盲; [全文内容正在添加中] ......
X-射线荧光光谱直接压片法测定氧化铝中杂质Ga2O3含量张晓平包头铝业有限公司摘 要:用X-射线荧光光谱直接压片法测定氧化铝中杂质Ga2O3含量.该方法快捷方便,准确度,精密度高,能满足科研和工业生产的需要.关键词:X-射线荧光光谱仪;直接压片法;氧化铝;Ga2O3;......
碳酸盐共沉淀法解决GGG单晶生长过程中的挥发问题 孙晶1,刘景和1,朴贤卿1 (1.长春理工大学材料分院,长春,130022) 摘要:用碳酸盐作沉淀剂,采用无机体系共沉淀法制备了钆镓石榴石Gd3Ga5O12(GGG)前驱体.由TG-DTA和IR光谱分析表明,合成的沉淀为碱式碳酸盐,煅烧过程中失重为28.06%XRD分析表明在1000℃煅烧3h可以得到晶化完全的GGG多晶料,通过与固相反应比较可知,碳酸盐共沉淀法制备GGG多晶料具有反应时间短,晶化程度高,煅烧温度低,Ga2O3挥发量少等优点.GGG晶体提拉生长表明,Gd2O3和Ga2O3的组分失配问题已经得到基本解决,从而大大提高了单晶的光学质量. 关键词:Gd3Ga5O12; 共沉淀法; 多晶料; 碳酸盐; [全文内容正在添加中] ......
掺杂稀土Tb的β-Ga2O3纳米纤维的结构及其光致发光研究赵建果1,张伟英1,刘照军1,谢二庆21. 洛阳师范学院物理与电子信息学院2. 兰州大学物理科学与技术学院摘 要:采用电纺丝法制备了铽(Tb)掺杂的氧化镓(Ga2O3)纳米纤维,并用场发射扫描电镜(FE-SEM),X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)对其进行了一系列的表征.结果表明,900℃退火的纳米纤维尺寸约为100nm,晶体结构是β相的Ga2O3,Tb离子5D4-7F5跃迁对应的550nm绿光发射最强.在稀土掺杂的纳米纤维的光致发光谱中没有发现β-Ga2O3缺陷能级的发光,用能量传递理论解释了这一现象.关键词:电纺丝;纳米纤维;β-Ga2O3;光致发光;能量传递;......
氢敏元件的种类及半导体薄膜材料在其中的应用 郝俊杰1,李龙土1 (1.清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:随着氢燃料电池技术在汽车应用中的日益完善,对高性能氢敏元件的需求也更加迫切.本文介绍了采用不同工作原理制备的氢敏元件的种类,着重描述了半导体薄膜材料的工作原理和改性途径,并针对我国目前研究较少的Ga2O3新型薄膜材料进行了较为详细的综合论述. 关键词:氢敏元件; 薄膜; 氧化镓; [全文内容正在添加中] ......
Ga2O3紫外光探测器的研究进展何彬1,2,邢杰1,段艳廷2,赵登3,张瑞萍31. 中国地质大学(北京)数理学院2. 中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院3. 中国地质大学(北京)信息工程学院摘 要:介绍了紫外光探测器的发展背景,基本工作原理,并从光导型和光伏型探测器两个方面综述了近10年来Ga2O3基探测器的研究现状.重点介绍了材料制备,掺杂等工艺参数对其紫外光探测性能的影响以及存在的问题,并对以后的研究工作进行了展望.关键词:紫外光探测器;光导;光伏;Ga2O3;......
GaN 纳米结构的制备 刘建强1,马瑾1,薛成山2,马洪磊1,肖洪地1,杨莺歌1 (1.山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100;2.山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014) 摘要:提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线,纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制......
氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管 董志华1,王书运1,庄惠照1,何建廷1,薛成山1,高海永1 (1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014) 摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构. 关键词:GaN纳米管; ZnO/Ga2O3薄膜; 射频磁控溅射; 氮化; [全文内容正在添加中] ......
得.应用多层介质膜模型,在300~800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300~400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.关键词:GaN;椭圆偏振光谱;InN;Ga2O3;......