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SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性 杨银堂1,柴常春1,李跃进1,贾护军1,王平1 (1.西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071) 摘要:采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定. 关键词:碳化硅; 欧姆接触; 离子注入; 传输线法; [全文内容正在添加中] ......
正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响郝娟,蒋百灵,杨超,冯林,张彤晖西安理工大学摘 要:采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的"正欧姆"区间引入到"反欧姆"区间,并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜.研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响.结果表明:在靶电流密度(Itd)大于0.2 A·cm-2的反欧姆区间,薄膜具有良好的表面质量和致密程度;且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间Itd为0.11A·cm-2的9.9 GPa,4.5 N提升到反欧姆区间I-td为0.38 A·cm-2的25.8 GPa,18 N.关键词:反欧姆区;靶电流密度;Ti N薄膜;离化率;......
N-polar GaN上的欧姆接触:材料制备,金属化方案与机理王现彬1,赵正平21. 石家庄学院物理与电气信息工程学院2. 河北工业大学信息工程学院摘 要:氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN极性相反,且具有较高的表面化学活性,使其在光电子,微电子及传感器等领域逐渐受到关注.文章结合一些相关研究报道,综述了N-polar GaN上欧姆接触的研究进展.首先对N-polar GaN材料的制备进行了分析,随后对N-polar GaN的欧姆接触电极的金属化方案及欧姆接触机理等内容进行了综合讨论,以期为实际N-polar GaN欧姆接触研究提供一些参考.关键词:氮极性;氮化镓;欧姆接触;氮化铝;......
p-GaN表面制备低阻欧姆接触电极的几个关键问题 石瑛1,李鸿渐1,蒋昌忠1 (1.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072) 摘要:优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极,严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率.如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题.探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺,电极材料的选择和厚度,退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路. 关键词:p-GaN; 欧姆接触; 表面处理; 退火; 电阻率; [全文内容正在添加中] ......
CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质谢经辉1,2,刘雨从2,王超2,殷子薇2,陈嘉栋2,3,邓惠勇2,沈悦1,王林军1,张建国2,戴宁21. 上海大学材料科学与工程学院2. 中国科学院上海技术物理研究所3. 中国科学院上海技术物理研究所常州光电技术研究所摘 要:为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法,溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过测试样品的SEM,I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响.结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整,致密,接触势垒的高度较低,电极欧姆接触特性最好.退火处理可以改善电极的欧姆接触特性,100℃退火后,化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数......
Si基有机光电探测器低阻欧姆电极制作 张旭1,胥超2,张桂玲2 (1.甘肃联合大学数学与信息学院,兰州,730000;2.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000) 摘要:在Si单晶表面真空沉积有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)可形成有机/无机异质结.利用铟锡氧化物(ITO)沉积在PTCD表面作为光的入射窗口,在其表面溅射Al/Ni接触电极,在氢气保护气氛中经350℃,3分钟合金化,其比接触电阻Ps达5.2×10-5·cm2.利用α台阶仪,原子力显微镜,紫外可见分光光度计及Ⅹ射线衍射仪,对其形成良好低阻欧姆电极的工艺条件及表面和界面进行了分析讨论. 关键词:磁控溅射; 有机光电探测器; 低阻欧姆接触; magnetron sputtering; organic photodetector; Low-resistance Ohmic contact; [全文内容正在......
正反欧姆区间伏安特性对镀层均匀性及膜/基结合强度的影响冯林1,蒋百灵1,2,杨超1,郝娟1,张彤晖11. 西安理工大学2. 南京工业大学摘 要:将靶材与真空腔之间的伏安特性引入正-反欧姆过渡区间,采用脉冲控制模式研究不同靶电流密度对镀层均匀性和膜/基结合强度的影响规律.实验发现,当靶面放电区电流密度(Id)由...%(Id=0.25 A/cm2);另外,在反欧姆区,膜/基结合强度随Id的增大而快速增大.以上结果表明:反欧姆环境下有利于改善镀层的均匀性和提高膜/基结合强度.关键词:磁控溅射离子镀;伏安特性;反欧姆区;离化率;......
Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析 介万奇1,张连东1,查钢强1,傅莉1,聂中明1 (1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072) 摘要:采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响.实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率ρc显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω·cm2.通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理. 关键词:CdZnTe晶片; 化学镀金; 接触电阻率测......
MF93型万用电表欧姆档求解探讨单亦政吉林电气化高等专科学校摘 要:文章用最高档的标称电压与调零电阻端点的两个极限电流的平均值的商求解最高档的中心阻值；用两个极限电流平均值和接入点Ｅ的分流支路电流,求Ｅ点的表头电路的电阻,进而求得低压档；限流电阻值．关键词:标称电压;限流电流;表头支路;接入点;......
用欧姆龙PLC与上位机通信实现振动磨的变频控制苏丹,王树林摘 要:给出了用VC++6.0实现OMRON可编程控制器与上位机之间的通信程序设计方法,并提供了利用RS232串行通讯端口实现计算机与可编程控制器通讯的方法.此方案成功应用在振动磨的变频控制中.关键词:上位机;PLC;串口通信;振动磨;......
