共搜索到17660条信息，每页显示10条信息，共1766页。用时：0小时0分0秒277毫秒
ZnO晶体生长新方法研究 申慧1,李效民1,徐家跃1,李新华1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100049) 摘要:基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为,发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术.通过优化生长参数,获得了尺寸为φ25mm×5mm的ZnO晶体.该晶体具有纤锌矿结构,晶格常数a=0.3252nm,b=0.5209nm.X射线定向确认其择优取向生长方向为[0001].实验结果表明,助熔剂-坩埚下降法是ZnO晶体生长的一条新途径. 关键词:ZnO晶体; 晶体生长; 助熔剂; 坩埚下降法; [全文内容正在添加中] ......
ZnO半导体薄膜的研究进展 雷通1,吕承瑞1,王丽军1,王小平1 (1.上海理工大学理学院,上海,200093) 摘要:介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法,化学气相沉积法,溶胶-凝胶法,激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势. 关键词:ZnO半导体薄膜; ITO膜; 场发射阴极材料; LED; [全文内容正在添加中] ......
覆盖有ZnO薄膜的玻璃基体上化学镀铜 王森林1,刘明光1,刘成1,卢雪蓉1 (1.国立华侨大学化工学院,福建省泉州市 362011) 摘要:在玻璃基体上通过喷雾热解覆盖一层ZnO薄膜,然后用AgNO3溶液活化,还原,最后化学镀铜,得到三层结构的镀件,适合作印刷电路板 关键词:化学镀铜; ZnO薄膜; 喷雾热解; [全文内容正在添加中] ......
PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究 于伟东1,赵俊亮1,边继明1,李效民1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050;2.中国科学院研究生院,北京,100049) 摘要:采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加,ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理......
ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响王丹红,赵小如,谢海燕,刘金铭,白晓军,陈长乐西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室摘 要:采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层,稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.关键词:ZnO缓冲层;溶胶-凝胶法;光致发光;氧化钛;Eu掺杂;......
热处理对溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜性能的影响张丽丽,周炳卿,张林睿,李海泉内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室摘 要:以(CH3COO)2Zn·2H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶旋转涂膜法以普通玻璃为基底制备ZnO薄膜.分别采用X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜等对ZnO薄膜的物相组分,透射率和表面形貌进行测量与表征.研究了热处理温度对ZnO薄膜的物相结构和光学特性的影响.实验结果表明,ZnO薄膜的物相结构和可见光透射率都与热处理温度有关,随着热处理温度升高,ZnO薄膜的晶粒尺寸增大,晶格常数逐渐减小,薄膜的透射率增大.关键词:ZnO薄膜;溶胶-凝胶法;物相结构;表面形貌;透射率;......
纳米ZnO薄膜掺磷,硼的电学性能研究 高军1,陈晓伟2,赵金茹2,宋淑芳3,韩晓英2,王文青2 (1.包头蓝亚光电科技有限公司,包头,014031;2.中国兵器工业第五二研究所,包头,014034;3.中国科学院半导体研究所,北京,100083) 摘要:用扫描俄歇探针研究了掺杂磷,硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响.结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻;改变扩散温度可以改变磷,硼浓度,从而改变Zn/O化学计量比,Zn/O化学计量比越大,薄膜电阻越小;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为850℃和800℃. 关键词:俄歇分析; 纳米ZnO薄膜; 电学性质; [全文内容正在添加中] ......
水溶性ZnO量子点与生物分子相互作用的研究 柳旭1,庄稼2,迟燕华1,吴杰1 (1.西南科技大学材料科学与工程学院化学系,四川,绵阳,621010;2.西南石油大学材料科学与工程学院,四川,成都,610500) 摘要:采用荧光光谱法和紫外可见吸收光谱法系统的研究了水溶性ZnO量子点(QDS)的光学性能及其与不同的生物大小分子的作用.研究发现,QDS除了具有普通量子点所具有的优点外,它还具有...标记,它通过和组成BSA的L-Phe,DL-Try,L-His等氨基酸小分子作用而与BSA作用的. 关键词:水溶性ZnO量子点; 牛血清白蛋白; 氨基酸; 荧光光谱; water soluble ZnO quantum dots; bovine serum albumin; amino acid; fluorescence spectroscopy; [全文内容正在添加中] ......
掺杂TiO2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响于晓华1,荣菊2,詹肇麟1,王远31. 昆明理工大学材料科学与工程学院2. 中国科学院金属研究所3. 西南林业大学机械与交通学院摘 要:以ZnO粉末为主要原料,以TiO2,Bi2O3,MnO2,Co2O3,Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷.将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量.采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能.研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界,Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4μm,掺杂纳米TiO2高达30.5μm;当TiO2掺杂量为1.5%mol时瓷片电......
纵向多孔及实心ZnO微纳米棒的制备,表征及其光催化性能研究李镇江1,2,3,张运搏1,孟阿兰4,邢静4,胡居秀31. 青岛科技大学材料科学与工程学院2. 青岛科技大学中德科技学院3. 青岛科技大学机电工程学院山东省高分子材料先进制造技术重点实验室4. 青岛科技大学化学与分子工程学院生态化工国家重点实验室摘 要:以硝酸锌和六次甲基四胺为原料,水为溶剂,采用低温水热法制备出具有优异光催化性能的六方纤锌矿结构ZnO微纳米棒,并研究了合成过程中磁力搅拌及原料溶液浓度对制备产物形貌及光催化性能的影响,建立了其光催化降解甲基橙的动力学方程.结果表明,搅拌条件下制备的产物为纵向多孔的棒状ZnO,无搅拌条件下制备的产物为实心ZnO纳米棒.优选出的硝酸锌和六次甲基四胺浓度均为0.025mol/L.相比于实心ZnO纳米棒......
