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掺杂TiO2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响于晓华1,荣菊2,詹肇麟1,王远31. 昆明理工大学材料科学与工程学院2. 中国科学院金属研究所3. 西南林业大学机械与交通学院摘 要:以ZnO粉末为主要原料,以TiO2,Bi2O3,MnO2,Co2O3,Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷.将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量.采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能.研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界,Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4μm,掺杂纳米TiO2高达30.5μm;当TiO2掺杂量为1.5%mol时瓷片电......
过渡族金属掺杂ZnO薄膜的晶体结构和磁性能 方东明1,周勇1,赵小林1 (1.上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030) 摘要:采用电子束蒸发法制备了过渡族金属(Fe,Co,Cu)掺杂ZnO薄膜.分析和研究了衬底温度以及Cu掺杂量对薄膜相结构的影响,获得沿c轴高度择尤取向的高质量ZnO薄膜.采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的显微结构,利用所得的图象信息对薄膜进行分析,发现400℃的衬底温度对硅衬底薄膜是合适的,与XRD分析相吻合.通过对薄膜磁性能的分析和研究,得出一些有意义的结果:适量Fe,Co离子掺杂的ZnO薄膜,在室温下具有铁磁性,而在此基础上掺入少量的Cu离子能改善薄膜的磁性能. 关键词:ZnO薄膜; 掺杂; 电子束蒸发; 结构; 磁性能; [全文内容正在添加中] ......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 28(2018) 1386-1396 Photoluminescence behavior and visible light photocatalytic activity of ZnO, ZnO/ZnS and ZnO/ZnS/α-Fe2O3 nanocomposites Gaurav HITKARI, Sandhya... 22 March 2017; accepted 18 April 2018 Abstract: In order to achieve effective, economic, and easily achievable photocatalyst for the degradation of dye methyl orange (MeO), ZnO, ZnO/ZnS and ZnO/ZnS......
Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究陆映东1,常永勤1,张敬民2,王明文3,郭佳林1,王永威1,龙毅11. 北京科技大学材料科学与工程学院2. 北京大学物理学院3. 北京科技大学应用学院摘 要:采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线.采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25~90nm的纳米线.通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移.随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移.Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献.关键词:Ga掺杂ZnO纳米线;光致发光;化学气相沉积;......
Ni-Zn共掺对(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷介电性能的影响 曾凤,周洪庆,谢文涛,黄芳 (南京工业大学 材料科学与工程学院,材料化学工程国家重点实验室,江苏 南京,210009) 摘要:采用固相反应法制备(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷,探讨Ni-Zn共掺对(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷物相组成,微观结构和介电性能的影响.研究结果表明:复合添加NiO和ZnO,可在一定程度上抑制第二相MgTi2O5的产生,并能有效地降低烧结温度至1 300 ℃.当NiO和ZnO添加总量(质量分数)为2%,w(NiO)/w(ZnO)为0.5%:1.5%时,陶瓷在1 300 ℃烧结获得最佳介电性能:介电常数εr = 20.39,7.67 GHz时的介电损耗tanδ = 2.01×10-4,频率温度系数τf = -1.72×10-6 /℃. 关键词:(Mg1-xCax)TiO3;w......
扩散诱导的锌间隙相关施主缺陷对ZnO纳米棒结构及光电特性的影响雷宗霖,张毓哲,丁科,张红,叶利娟,李泓霖,熊元强,李万俊重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室摘 要:采用射频磁控溅射技术和水浴法在SiO2单晶衬底上生长了Zn纳米颗粒/ZnO纳米棒复合材料(Zn/ZnO).后期热处理促使Zn/ZnO界面之间发生元素相互扩散,直接向ZnO纳米棒中引入额外锌杂质,从而获得了富锌的ZnO纳米棒材料.借助扫描电子显微镜,X射线衍射仪,霍尔测试仪,分光光度计和拉曼光谱仪研究了富锌ZnO纳米棒的形貌,结构以及光电特性.结果表明,所有ZnO纳米棒均呈整齐的六角纤锌矿结构,相比ZnO纳米棒,富锌纳米棒具有相对较差的结晶质量,较好的导电性,较低的透射率和较窄的禁带宽度.拉曼光谱研究表明,通过扩散法向......
YAlO3/Fe掺杂ZnO复合物的制备,表征及对酸性红B的降解程春萍包头师范学院化学学院摘 要:采用溶胶-凝胶,超声分散和溶液沸腾法制备YAlO3/Fe掺杂ZnO复合物,在可见光的照射下,考察了酸性红B降解效果,并利用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对光催化剂进行了表征,同时研究了YAlO3的包覆量,YAlO3/Fe掺杂ZnO的量,可见光照射时间,处理温度和处理时间等因素对酸性红B降解率的影响,其降解过程也用HPLC进一步进行验证.结果表明,YAlO3/Fe掺杂ZnO在40 min酸性红B的降解率达到97.7%,表现出更好的光催化活性.关键词:YAlO3/Fe掺杂ZnO复合物;降解率;光催化;可见光;......
CdS,CdSe协同敏化ZnO薄膜电极及光电化学性能赵文燕1,田传进1,谢志鹏1,2,汪长安1,2,付乌有3,杨海滨31. 景德镇陶瓷大学2. 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室3. 吉林大学超硬材料国家重点实验室摘 要:首先采用提拉法,在透明导电玻璃(FTO)表面制备ZnO籽晶层,然后用水热法制备ZnO纳米棒阵列,再用连续离子层吸附法(SILAR)成功地将Cd S,Cd Se量子点沉积在ZnO表面,形成光阳极.利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(SEM),电化学工作站研究了样品的结构,形貌和光电化学性能.结果表明:与ZnO纳米棒相比,复合Cd S,Cd Se以后,样品的光电性能有很大的提高.其中,Cd S,Cd Se的沉积圈数均为4圈时,Cd Se(4c)/Cd S(4c......
化学溶液沉积法制备ZnO纳米棒阵列及其光学性能王海锋1,王树林2,蹇敦亮2,丁浩冉1,陈海燕11. 上海理工大学能源与动力工程学院2. 上海理工大学材料科学与工程学院摘 要:采用化学溶液沉积法,在经ZnO纳米粒子膜修饰的FTO导电玻璃基底上制备了ZnO纳米棒阵列,探讨了生长液浓度对ZnO纳米棒阵列形貌和光学性能的影响.利用XRD,FESEM,透射光谱和光致发光谱对样品的结构,形貌和光学性能进行了表征,结果表明,所制备的ZnO纳米棒为六方纤锌矿相,沿c轴择优取向生长;ZnO纳米棒阵列生长较为致密,取向性较一致,在可见光区具有很高的透光率,在378nm有很强的紫外发射峰;随着生长液浓度的降低,ZnO纳米棒阵列的缺陷可望大幅度下降.关键词:ZnO纳米棒阵列;化学溶液沉积;生长液浓度;光致发光;......
Si基ZnO纳米结构太阳能电池光伏性能研究花银群1,2,孙海峰1,刘海霞1,叶云霞2,颜红2,31. 江苏大学材料科学与工程学院2. 江苏大学机械工程学院3. 广东省有色金属勘查局摘 要:在洁净的p型Si片上通过旋涂法组装了单层有序排列的聚苯乙烯微球(Polystyrene spheres,PS)阵列模板,然后在PS模板上旋涂1层ZnO先驱薄膜,清洗掉PS模板,制得周期性ZnO先驱薄膜点阵,再通过水热法生长ZnO纳米棒.采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)对样品进行表征,结果显示ZnO薄膜为柱状ZnO阵列,基于Si衬底沿c轴择优生长.以150W氙灯为模拟光源,照射Si/ZnO异质结太阳能电池器件,通过万用电表测试其伏安特性.性能最好的样品的光电转换效率为1.23%,填充因子为62......