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氧压对脉冲激光沉积Si基ZnO薄膜性能的影响 郝秋艳1,刘彩池1,于威2,许贺菊2,滕晓云2,傅广生2 (1.河北工业大学材料学院,天津,300130;2.河北大学物理科学与技术学院,河北,保定071002;3.河北工业大学材料学院,天津300130) 摘要:采用脉冲激光沉积法在Si(111)基片上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射,光致发光,扫描电子显微镜等表征技术研究工作氧压对ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响.研究结果表明,氧压的增大,有助于更多的氧原子进入晶格,有效减少薄膜中的缺陷和应力,使ZnO薄膜结构趋于完整,但是过高的氧压将严重地影响薄膜的沉积速率,加剧衬底Si的氧化,从而使薄膜的结晶质量恶化.所有的ZnO薄膜均显示出较强的紫外发光蜂,并且结晶性与发光特性有很好的一致性. 关键词:ZnO薄膜; 氧压; 脉冲激光沉积; [全文内容正在添加中] ......
不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析曹培江,解振宇,韩舜,柳文军,贾芳,曾玉祥,朱德亮,吕有明深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳陶瓷先进技术工程实验室摘 要:采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸,结晶特性等性质的影响.研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小,直径变粗,结晶质量变差,纳米棒面密度减小.氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520nm处的绿光峰增强.关键词:ZnO纳米棒阵列;化学气相沉积;发光性能;......
ZnO纳米陶瓷的I-V特性 邵光杰1,王文魁1,刘日平1,秦秀娟1 (1.燕山大学,亚稳材料科学与技术重点实验室,河北,秦皇岛,066004;2.中国科学院物理研究所,北京,100080) 摘要:采用连续成型工艺压制纳米ZnO素坯,常压烧结制备了高密度纳米ZnO陶瓷.场发射扫描电镜显示,纳米ZnO陶瓷体微观组织紧密,晶粒尺寸和密度分布均匀.在小电流区测定了纳米ZnO陶瓷的I-V曲线.结果表明,高密度纳米ZnO陶瓷具有良好的非线性伏安特性,其非线性系数高于传统的ZnO陶瓷. 关键词:ZnO; 纳米陶瓷; 非线性伏安特性; [全文内容正在添加中] ......
溅射时间对硼掺杂ZnO薄膜性能的影响化麒麟,付蕊,杨雯,杨培志云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室摘 要:采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪,场发射扫描电子显微镜,紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构,光学和电学特性的关系.结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透光率超过80%,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3Ω·cm.关键词:ZnO∶B薄膜;溅射时间;光电特性;透光率;......
ZnO低压压敏电阻陶瓷材料研究进展 田长生1,刘向春1,王卫民1,赵鸣1,张慧君1,张昌松1 (1.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;2.内蒙古科技大学材料科学与工程学院,内蒙古,包头,014010) 摘要:本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述.最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻及其它电子陶瓷材料的研究提供一定的指导意义. 关键词:低压ZnO压敏电阻; 低温烧结; 配方设计; [全文内容正在添加中] ......
J. Cent. South Univ. (2012) 19: 863-868 DOI: 10.1007/s11771-012-1084-4 Large scale synthesis of ZnO nanoparticles via homogeneous precipitation WANG Yi-ming(王益明)1, LI Jian-hua(李建华)2, HONG Ruo-yu(洪若瑜.... College of Chemistry and Chemical Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, China ? Central South University Press and Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012 Abstract: In order to synthesize ZnO......
ZnO纳米棒水热法制备及其发光性能 李珍1,靳福江1,李飞1 (1.中国地质大学材料科学与化学工程学院,武汉,430074) 摘要:采用水热法在玻璃基底上成功制备出了ZnO纳米棒.用x射线衍射仪(xRD)和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,初步探讨了ZnO纳米棒的生长机理;同时对ZnO纳米棒的光致发光性能进行测量,分析了水热温度和反应时间对ZnO纳米棒光致发光性能的影响.结果表明:ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优生长特征;随着水热反应温度的升高,ZnO纳米棒的发光强度逐渐增强;随着反应时间的延长,ZnO纳米棒发光强度在1~3 h内增强,而在3~10 h反而减弱. 关键词:ZnO纳米棒; 水热法; 生长机理; 发光性能; [全文内容正在添加中] ......
能量脉冲下高能ZnO压敏电阻的老化现象张树高,黄伯云,方勋华摘 要:研究了用于水轮发电机灭磁与过电压保护的高能ZnO压敏电阻在贮能电感释放的能量脉冲作用下的老化现象.研究表明,能量脉冲后,压敏电阻的特征电压,非线性系数和预击穿区V-I特性都发生跌落,而且这种跌落随脉冲次数增加而增加;能量脉冲使压敏电阻发生非对称老化.能量脉冲可以分解直流电压和能量两个分量.高能ZnO压敏电阻在能量脉冲下老化的原因是发生在晶粒耗尽层中和富铋晶界层中的离子迁移使双Schottky势垒降低.关键词:高能ZnO压敏电阻;能量脉冲;V-I特性;晶界势垒;离子迁移;......
热处理温度对溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的影响 张伟风1,娄辉1,王晓娟2,胡界博1,陈海涛1 (1.河南大学物理系,河南,开封,475001;2.河南大学基础实验教学中心,河南,开封,475001) 摘要:采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂法在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),扫描电子显微镜(SEM)等手段分析制得的ZnO薄膜的晶体结构和发光特性.着重考察了热分解温度对ZnO薄膜晶体结构和发光特性的影响.结果表明,溶胶-凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品厚度约为220nm,属六方纤锌矿结构,其c轴取向度与热分解温度有很大关系;ZnO薄膜在室温下均有较强的紫外带边发射峰,且紫外带边发射峰与样品c轴取向度没有直接关系,与缺陷有关的可见发射带很弱. 关键词:ZnO薄膜; 晶体结构; 光致发光; [全文内容正在添加中] ......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 24(2014) 736-742 Effect of annealing treatment on morphologies and gas sensing properties of ZnO nanorods Jian-jiao ZHANG, Er-jun GUO, Li-ping WANG, Hong-yan YUE...-temperature stabilization of ZnO nanorods synthesized by hydrothermal treatment was investigated. The structure and morphologies of ZnO nanorods were characterized by XRD and SEM, respectively......
