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低温生长的ZnO单晶薄膜的结构和性能 邱东江1,徐晓玲1,吴惠桢1,杨爱龄1 (1.浙江大学) 摘要:采用电子束反应蒸镀方法在玻璃衬底上在低温下外延生长了沿c-轴高度取向的单晶ZnO薄膜.研究了衬底温度及反应气氛中的O2对薄膜结构的影响,结合荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE)研究了玻璃上ZnO薄膜的光学跃迁特性.在325℃下获得的单晶薄膜(002)晶面的X射线衍射峰强度最大且线宽最窄(0.28°).反应气氛中的O2对ZnO薄膜结构的影响不明显,但对薄膜的PL及PLE特性的影响显著. 关键词:电子束反应蒸镀; 晶ZnO薄膜; 玻璃衬底; 结构及光学特性; [全文内容正在添加中] ......
ZnO晶体生长新方法研究 申慧1,李效民1,徐家跃1,李新华1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100049) 摘要:基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为,发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术.通过优化生长参数,获得了尺寸为φ25mm×5mm的ZnO晶体.该晶体具有纤锌矿结构,晶格常数a=0.3252nm,b=0.5209nm.X射线定向确认其择优取向生长方向为[0001].实验结果表明,助熔剂-坩埚下降法是ZnO晶体生长的一条新途径. 关键词:ZnO晶体; 晶体生长; 助熔剂; 坩埚下降法; [全文内容正在添加中] ......
改善ZnO酸浸矿浆澄清过滤性能的机理和方法刘一宁株洲冶炼厂摘 要:本文叙述了添加混合凝聚剂改善 ZnO 酸浸矿浆的澄清特性和提高置换矿浆压滤速度的机理和效果.在酸浸矿浆中加入适量的混合凝聚剂,可使酸上清含固量下降至2-3g/l,置换压滤速度提高2-4倍,锢的回收率提高3.9%以上,具有明显的社会效益和经济效益.关键词:ZnO 酸浸矿浆;澄清;置换压滤;混合凝聚剂;......
p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望 杜国同1,王新胜1,梁红伟1,常玉春1,杨天鹏2,徐艺滨1,刘维峰1 (1.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;2.吉林大学电子工程学院,长春,130023) 摘要:ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景. 关键词:ZnO薄膜; p型掺杂; 第一性原理; MOCVD; MBE; [全文内容正在添加中] ......
以PVA为溶剂ZnO薄膜的液相法制备及其机理研究 张磊1,岳美琼1,魏贤华1 (1.西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,621010) 摘要:以聚乙稀醇(PVA)水溶液为溶剂,采用液相法制备了高度c轴取向的ZnO薄膜.采用XRD,Raman以及AFM分析了退火温度与涂层厚度对ZnO薄膜的影响.结果表明,随着退火温度的提高,ZnO薄膜的结晶度及其均方根粗糙度有所提高;同时厚度的增加使得ZnO薄膜的单一取向性减弱.其生长机理可表述为:在每一层涂层中一致或不一致的成核同时产生,通过层内与层间晶粒的聚合,联并,最后形成具有(002)取向的柱状与颗粒状并存的ZnO连续膜. 关键词:PVA; ZnO薄膜; 退火温度; 厚度; 生长机理; PVA; ZnO thin film; annealing temperature; coating thickness; growth......
射频磁控溅射沉积高质量ZnO薄膜的工艺研究李伙全,曾祥华,韩玖荣扬州大学物理科学与技术学院摘 要:在室温下利用射频磁控溅射法在硅(100)基片上制备ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其结晶性能进行分析.研究了制备条件对薄膜沉积速率的影响.分析了薄膜沉积速率对薄膜结晶状况的影响及源气体中的氧气和氩气的流量比对薄膜结晶状况的影响.研究结果表明,薄膜的生长速率强烈依赖于射频功率和工作气压,薄膜的结晶性能强烈依赖于薄膜的沉积速率和反应气体中氧气和氩气的流量比.制备高结晶质量的ZnO薄膜的最佳工艺参数为靶到衬底的距离为4cm,输入功率为250W,源气体中氩气和氧气的流量比n(Ar)∶n(O2)为5∶20,溅射工作气压为2Pa.在最佳工艺条件下所制备的薄膜表面平整致密,接近单晶,在可......
TiO2和CuO掺杂对ZnO导电陶瓷中电子密度和电阻率的影响韩丽芳,王昊,徐守磊,陈玉辉,雷镇全,邓文广西大学物理科学与工程技术学院摘 要:测量了ZnO-TiO2和ZnO-CuO导电陶瓷的正电子寿命谱及其电阻率,研究了TiO2和CuO掺杂对ZnO陶瓷中电子密度和电阻率的影响.结果表明:在ZnO中加入少量的TiO2,随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加,样品中的自由电子密度升高,电阻率降低;在ZnO中加入少量的CuO,随着ZnO陶瓷中CuO含量的增加,样品中的自由电子密度降低,电阻率升高.关键词:ZnO导电陶瓷;TiO2掺杂;CuO掺杂;电子密度;电阻率;......
Sn掺杂ZnO微晶的水热法制备及表征 田芳1,崔永奎1,刘宝1,董厚欢1 (1.山东大学化学与化工学院,济南,250100) 摘要:采用水热法合成了具有不同形貌的Sn掺杂ZnO微晶.采用XRD,SEM,UV等分析手段对试样进行了表征.实验结果表明,随着Sn掺杂比例的增加,ZnO微晶的粒度增大,大的微晶达到500 nm,小的仅为100 nmm.大的ZnO微晶为六棱锥体,显露锥面P{10 (1)1},负极面O(000 (1)),并对其生长机理进行了探讨. 关键词:ZnO微晶; 水热法; Sn掺杂; [全文内容正在添加中] ......
高能ZnO基复合陶瓷线性电阻的制备 林元华1,袁方利1,黄淑兰1,李晋林1,季幼章2 (1.中国科学院化工冶金研究所;2.中国科学院等离子体物理研究所) 摘要:在ZnO中添加A12O3和MgO,制备了高能ZnO基复合陶瓷线性电阻,其电阻率为5~1300 Ω·cm,能量密度大于450J/cm3,电阻温度系数小且近于线性.烧结温度,MgO添加量和降温速率分别对材料的电阻率,电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响. 关键词:ZnO陶瓷; 线性电阻; 制备; [全文内容正在添加中] ......
沉积电压对电化学合成纳米ZnO多孔薄膜的影响 靳正国1,段满珍2,杨立荣2,王春梅2 (1.天津大学,天津,300072;2.河北理工大学,材料学院,河北,唐山,063009) 摘要:采用电化学沉积法制备纳米ZnO多孔薄膜.并用XRD,SEM,XPS等方法研究了沉积电压对薄膜表面形貌及薄膜表面元素态的影响.结果表明:沉积电压越大,越有利于薄膜片状晶的长大,且形成多孔结构;随着沉积电压的增大,薄膜表面从缺氧到富氧,再到缺氧;沉积电压为-1.0V时,薄膜为层状结构,其2μm厚的薄膜在可见光范围内的光透射率为75%,光学带隙宽度为3.6eV. 关键词:电化学沉积; ZnO薄膜; 沉积电压; [全文内容正在添加中] ......
