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Co和Cu薄膜电学特性和连续性特征的判据 范 平1, 易 葵2, 邵建达2, 齐红基2, 范正修2 (1. 深圳大学 理学院, 深圳 518060; 2. 中国科学院 上海光学精密机械研究所 光学薄膜技术研发中心, 上海 201800) 摘 要: 采用离子束溅射沉积了不同厚度的Co膜和Cu膜, 利用四电极法测量了薄膜的电阻率, 从而得到了Co膜和Cu膜的电导率随薄膜厚度的变化关系. 实验结果表明, Co膜和Cu膜的电学特性都具有明显的尺寸效应. 比较了同时考虑表面散射和晶界散射的电导理论得到的电导率公式与实验结果, 不同薄膜厚度电导率的理论结果与实验结果符合较好. 提出了厚度作为金属薄膜生长从不连续膜进入连续膜的一个特征判据, 并利用原子力显微镜(AFM)观测了膜厚在特征厚度附近的Co膜和Cu膜的表面形貌. 关键词: Co薄膜; Cu薄膜; 金......
文章编号: 1004-0609(2006)07-1207-07 金属元素Cu的热力学性质 陶辉锦, 谢佑卿, 彭红建, 余方新, 刘锐锋, 李晓波, 聂耀庄 (中南大学 材料科学与工程学院, 长沙 410083) 摘 要: 采用SGTE纯单质数据库中Gibbs能的表达式, 结合JANAF热力学实验数据, 用最小二乘法对金属元素Cu的Gibbs能表达式进行重新评估. 重新评估后的转变热容, 转变焓和转变熵分别为-0.187J/(mol·K), 13.138kJ/mol和9.675J/(mol·K), 与实验数据符合很好. 运用Debye-Grüneisen模型研究Cu从 0K到熔点的热力学性质, 结果发现模型计算的低温热容值偏低, 从而导致模型计算的转变熵和Gibbs能偏大. 运用Debye-Grüneisen模型研究过冷液体的热力学......
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文章编号: 1004-0609(2006)06-0951-07 贵金属Cu, Ag, Au的电子结构和物理性质 陶辉锦, 谢佑卿, 彭红建, 余方新, 李晓波, 聂耀庄, 刘锐锋 (中南大学 材料科学与工程学院, 长沙 410083) 摘 要: 由纯金属单原子理论(OA)确定了面心立方结构(FCC)贵金属Cu, Ag, Au的电子结构依次为[Ar](3dn)5.58(3dc)4.21(4sc)0.23(4sf)0.98, [Kr](4dn)4.87(4dc)4.56(5sc)0.66(5sf)0.91,[Xe](5dn)4.20(5dc)4.90 (6sc)1.57(6sf)0.33, 并确定了Cu, Ag, Au的密排六方结构(HCP)和体心立方结构(BCC)两种初态特征晶体和初态液体的电子结构. 根据自然态的电子结构定性解释了熔点, 拉伸强度, 维氏硬度, 体弹性......
可达98%左右,Cu直收率为97.60%,杂质元素Pb,Sb,Sn和As含量分别降至0.005 8%,1.02%,0.002 3%和0.039%,脱除率分别为99.96%,95.17%,99.94%和99.84%,除杂效果明显好于直接真空蒸馏.残余物经吹炼可得能够适用于电解的阳极铜.关键词:真空蒸馏；硫化；铜砷锑多元合金；回收CuRecovering Cu from Cu-As-Sb multi...采用硫化-真空蒸馏法从铜砷锑多元合金中回收铜杨先凯1, 2, 3,杨斌1, 3,熊恒1, 3, 4,徐宝强1, 2, 3,戴永年1, 2, 3,刘大春1, 2(1. 昆明理工大学 真空冶金国家工程实验室,云南 昆明,650093； 2. 昆明理工大学 云南省有色金属真空冶金重点实验室,云南 昆明,650093； 3. 昆明理工大学 冶金与能源工程学院,云南 昆明,650093； 4. 昆明......
80 MPa,峰值时效时间则推迟到77 h.J4合金的强度最低,抗拉强度仅有235.1 MPa,屈服强度仅为184.4 MPa,与J3合金的相差120 MPa,一直到196 h都没有明显的峰值时效位置. 图2 不同Cu含量合金的拉伸性能曲线 2.3 均匀化后的SEM组织特征 图3所示为不同Cu含量合金均匀化态的SEM像.从图3中可以看出,不同铜含量合金中的组织形貌差别非常大....从Al-Cu-Sc三元相图[13]也可以得到,在高铜低钪成分范围内,就会有W相形成,在低铜高钪成分范围内,不会存在W相的相区,而是存在Al3Sc相的相区.CHEN等[10]在Al-2.5Cu-0.3Sc合金中没有发现W相,这是由于上述合金体系w(Cu)/w(Sc)仅有8.3,Cu含量较低,Sc含量较高,不会形成W相.所以,在含Sc的Al-Cu合金内,当Cu含量较高时,比较容易形成W相,确切地说......
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Cu(Ⅱ)在谷氨酸根配合物体系中的电沉积行为 杨天足,雷存茂,刘伟,窦爱春,张杜超,刘伟锋 (中南大学 冶金科学与工程学院,湖南 长沙,410083) 摘要:采用循环伏安法研究谷氨酸根配合物体系中谷氨酸根离子的稳定性和铜在阴极的电沉积过程,利用线性扫描伏安法求体系的表观活化能,表观传递系数和交换电流密度；计时电流法判断铜在电极上的成核方式.实验结果表明:在扫描电位-1.5~3 V内,谷氨酸钠溶液中仅有水的电解反应,谷氨酸根离子无氧化还原反应；铜在阴极沉积时为不可逆过程；循环伏安曲线的感抗环说明铜在阴极沉积时经历了电结晶过程;由线性扫描伏安法求得表观活化能为34.065 kJ/mol,表观传递系数为0.360,电流交换密度为0.105 A/m2；铜在不锈钢电极上的成核方式为连续成核. 关键词:Cu(Ⅱ)；谷氨酸配合物体系；电化学；电沉积 中图分类号:TQ150.1 ......
随着深亚微米集成电路的不断发展,具有较低的电阻率和高的抗电迁移性能的铜逐渐取代铝作为超大规模集成电路金属互连材料.但铜互连线的引入产生了新的问题:比如Cu与...的影响,探讨Cu(Cr)合金薄膜在微电子领域中应用的可能性,为互连材料的开发提供参考依据. 1 实验 利用CEVP Gamma 1000c 型多靶磁控溅射仪和镶嵌Cr小棒(99.9％)的简易铜(99.99％)合金靶材,采用射频磁控溅射的方式在Si(100) 硅单晶片基底上制备合金薄膜[10].溅射仪的背底真空度为0.439~0.598 mPa,工作气体为氩气,工作气压为......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 29(2019) 1510-1515 Synthesis of Cu nanoparticles by chemical reduction method M. S. AGUILAR1, R. ESPARZA2, G. ROSAS1 1. Instituto de Investigacion en Metalurgia y... Abstract: Cu nanoparticles (CuNPs) have been synthesized through an easy route by chemical reduction at room temperature. The Cu2+ ions were reduced and stabilized with sodium borohydride......
