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酸以及草酸提取后,在浸渍液中出现(VO)2+的低价钒离子,这有利于提升酸的提钒效果.此外,酸处理对样品的比表面积影响较为显著,经浓草酸处理比表面积可恢复至60.8 m2/g,相比原有废弃催化剂的提升39.6%. 关键词:脱硝催化剂;酸;提钒;(VO)2+ 中图分类号:TQ09  ...钒的关键是提高钒化合物在酸液中的溶解度,故对酸的种类,酸的浓度以及浸渍温度这三种因素对提钒效果的影响进行分析讨论. 废弃催化剂在高温下经浓酸浸渍后其V2O5含量显著降低,结果如图5所示.对比发现经盐酸处理的样品中V2O5含量最低,仅为0.191%(质量分数),浓盐酸可除去样品中约72.9%的V2O5.盐酸提钒的方程式如下: V2O5+6HCl+7H2O=2[VO(H2O)5]Cl2+Cl2......
隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体.在低温条件下热处理300℃829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1(V2O2),833cm-1(V3O2),和840cm-1(V2O)和919cm-1(I2O2)四个红外吸收峰,退火温度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1两个缺陷-杂质复合体的红外吸收峰.高温1100℃0.5h辐照引入的缺陷-杂质复合体很快的被消除.延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同. 关键词:快中子辐照; 辐照缺陷; VO; FTIR; [全文内容正在添加中] ......
电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究 蔡莉莉1,李海军1 (1.华北科技学院基础部物理教研室,河北,燕郊,101601) 摘要:应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为.VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关.400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关. 关键词:电子辐照; 辐照缺陷; VO; FTIR; [全文内容正在添加中] ......
VoIP的语音质量分析与控制黄永峰,李星摘 要:分析了 Vo IP语音质量的影响因素 ,通过 E模型定量地描述了语音质量与端到端延迟和丢包率的关系.为了控制 Vo IP的语音质量 ,计算出 Vo IP系统在各种情况下的语音质量极限 ,提出一种自适应编码和分组封装的控制策略.将该方法应用于自行开发的 IP电话网关 ,实际测试证明能在很大程度上提高 Vo IP的语音质量.关键词:VoIP;语音质量;编码器;......
,含氧空位的Ga1.5In0.5O3是间接带隙半导体,其带隙宽度较本征Ga1.5In0.5O3带隙值变宽.氧空位VO(1),VO(2)和VO(3)在Ga1.5In0.5O3中分别引入0.237eV,0.239eV和1.384eV的施主杂质能级,在吸收光谱中出现杂质吸收现象.氧空位降低Ga1.5In0.5O3吸收主峰和反射主峰的强度,在近红外区含VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较大,含VO(3)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较小.关键词:Ga2(1-x)In2xO3化合物;氧空位;电子结构;第一性原理;......
, V(V) can be complexated by dithiocarbamate to form VO(R1R2NCS2)3 precipitate, leaving Cr(III) remained in the acidic solution. Then the reclamation of V and Cr from VO(R1R2NCS2)3 precipitate and Cr... the complexation reaction the polyvanadate anion would be transformed into vanadate cation to react with complexing agent anion. VO3++3R1R2NCS2- →VO(R1R2NCS2)3-  ......
complex (VO) in varied dose neutron irradiated Czochralski silicon: (S1 5×1017 n/cm3 and S2 1.07×1019 n/cm3) were studied. The results show that the VO is one of the main defects formed in neutron... V2O (840 cm-1). With the decrease of the 829 cm-1 (VO) three infrared absorption bands at 825 cm-1 (V2O2), 834 cm-1 (V2O3) and 840 cm-1 (V2O) will rise after annealed at temperature range of 200-500......
纳米结构V2O5空心微球的制备与表征 姚亚东1,刘恒1,李大成1,朱丁1 (1.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064) 摘要:以自制的二乙酰丙酮氧钒(VO(aca)2)为原料,通过软模板法组装出聚乙烯吡咯烷酮(PVP)/钒前驱体核壳结构的复合微球.对复合微球进行热处理后制备得φ(0.5~1.0)μm五氧化二钒(V2O5)中空微球.分别采用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对最终产物的球形外观,中空结构和物相组成进行了表征,结合VO(acac)2,溶解于乙二醇的PVP,溶解于乙二醇的VO(acac)2与复合微球的红外光谱(FTIR)和复合微球的差热曲线(DTA),探讨了V2O5中空微球形成的机理.对影响实验的因素如PVP和VO(acac)2的浓度,保温时间等进行了研究.结果表明:通过严格控制PVP和VO(acac)2的浓度能够确保V2O5球壳结......
胞体积由0.06464nm3增至0.06487nm3.根据Mg2+在BaTiO3中的固溶条件和微观结构分析可以推断:Mg2+取代A位(MgBa)和B位(MgTi),并存在氧空位(Vo).用布劳威尔(Brouwer)方法求解点缺陷浓度方程组,得到点缺陷浓度[MgTi]与氧分压(Po2)的关系式:[Mg″Ti]=[Vo¨]=(1/4)K-1Po2-3/2.当点缺陷浓度为:[MgTi]=2[FBa]+2[RTi]+[Vo](F-三价阳离子,R-五价阳离子),MgTi2+能有效地阻止施主杂质和还原气氛所引起的Ti4+还原为(Ti4+·e). 关键词:Mg2+掺杂; BaTiO3瓷; 缺陷平衡; 抗还原; [全文内容正在添加中] ......
钒氧化物还原过程中物相转变热力学规律研究唐凯,宣森炜,徐扬,吕学伟,白晨光重庆大学材料科学与工程学院摘 要:针对钒氧化物间接还原条件下的逐级还原规律进行理论计算,其逐级还原规律为:当温度在273987K时,V2O5→VO2→V3O5→V2O3→VO→V;当温度在9872 500 K时,V2O5→VO2→V2O3→VO→V;分析了钒氧化物稳定存在的温度区间,分别为:VO2为273623 K,V3O5为623713 K,V2O3为7131 393 K,VO为1 3931 882K,V为1 8822 500 K;得到了V-O-CO系平衡状态图.同时考虑压力与活度对于平衡状态图的影响,获得了变化规律.增加C和S的含量能够降低钒的活度,增加Si,Mn,P,V,Ti,Cr的含量则会增加钒的活度,考虑钒的活度时氧化......