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溶剂先转变为氧氟化钽(TaO2F)和Ta2O5等中间相; 在1500℃热处理后, Ta全部转变为TaC. 热力学计算表明, C还原Ta2O5生成TaC的温度为1109℃, 与1200℃热处理后TaC的X射线衍射结果一致. 关键词: Ta有机溶剂; C/C复合材料; 热处理 中图分类号: TB332 文献标识码: A Conversion process of Ta organic...(°)/s. 微观形貌观察在KYKY-2800型和JSM-5600LV型扫描电镜上进行. 2 结果和讨论 2.1 固化Ta有机溶剂热处理后的物相分析 图1所示为固化的Ta有机溶剂经700和850℃热处理后的X射线衍射结果. 由图1可看出, 经700℃热处理后, Ta有机溶剂转变为氧氟化钽(TaO2F)和Ta2O5; 经850℃热处理后, 则只有Ta2O5相. 而经1500和......
钽铌精矿分解后矿渣中(Ta,Nb)2O5的回收利用 陈福贵1 (1.宁夏有色金属冶炼厂,宁夏,石嘴山,753000) 摘要:叙述了钽铌精矿经酸分解,矿浆萃取,过滤后的残渣采用搅洗,漂洗,摇选的方法成功地回收富集钽铌渣中的Ta2O5, Nb2O5. 该回收工艺投资少, 操作简便, 经济效益可观. 关键词:钽铌分解矿渣; 搅洗; 摇选; [全文内容正在添加中] ......
.在1300~1500℃范围内,随渗碳温度升高,渗碳层厚度增加;随着渗碳时间的延长,渗碳层厚度增加;提高渗碳温度有利于Ta C相的形成; 1500℃下渗碳10 h,钽的渗碳层厚度可达35~40μm.在1500℃下渗碳5 h,Ta渗碳层厚度约20μm,Ta-2. 5%W为10~12μm,Ta-7. 5%W渗碳层厚度仅为7~8μm,表明随着钽钨合金中W含量的增加,渗碳速率降低,相同时间内获得的渗碳层厚度...Ta及Ta-W合金真空渗碳工艺研究李佳,闫晓东,杨银,陈松北京有色金属研究总院国家有色金属复合材料工程技术研究中心摘 要:对Ta及Ta-W合金进行渗碳处理,在表面获得一定厚度的渗碳层,可以有效的提高其使用性能.对Ta及Ta-W合金进行真空渗碳处理,利用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM)和金相显微镜......
不同气氛下钽离子注入对硬质合金表面性质的影响王世兴1,2,李聪3,熊碧军3,田修波1,2,杨士勤1,21. 哈尔滨工业大学2. 深圳航天科技创新研究院3. 哈尔滨工业大学(深圳研究生院)摘 要:为了增强硬质合金的性能,分别在通氮气和不通氮气两种真空气氛下,利用MEVVA源对硬质合金表面注入贵金属Ta,注入剂量...有关.关键词:Ta离子注入;硬质合金;氮气氛;......
NaF-KF-K2TaF7熔盐Ta(V)在钨电极上的电化学还原机理黄晶明,田亚斌,张晓虎,叶昌美,杨少华江西理工大学材料冶金化学学部摘 要:熔盐电镀钽层具有高熔点,耐烧蚀等高温热学力学性能.为探究钽在电镀过程的反应机理,实验在1 073 K以32.52%(质量分数)NaF-67.48%(质量分数)KF(摩尔比2∶3)共晶盐为电解质体系,添加质量分数为2%的氟钽酸钾,以Pt为参比电极,钨棒为对电极,用循环伏安法,计时电位法以及计时电流法研究了钽离子在惰性钨电极上的电化学过程和电化学结晶成核方式.结果显示,Ta(V)电化学还原过程是受扩散控制的不可逆的1步反应转移5个电子过程,电极反应方程式为:Ta(V)+5e-=Ta.根据循环伏安曲线和Randles-Sevcik方程计算出1 073 K时Ta(V)的扩......
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热等静压Ta合金中的隐形胞状硬质强化结构蔡小梅,张小明,张于胜,王峰,王辉,白润西北有色金属研究院新材料所摘 要:采用增氧的纯钽金属粉末经热等静压(HIP)烧结制备成块体结构,在不同温度下进行高温退火,分析了热等静压和后续退火工艺试样的显微硬度.结果发现:在热等静压状态下的试样,其晶粒晶界处的显微硬度值很高,而晶粒中心处的显微硬度值较低,形成了一种表现为外层硬而内部软,类似于细胞单元的表面有硬化层形成的隐性的壳形网络结构.高温退火处理会减弱这种结构直至消失.关键词:Ta块体;热等静压;显微硬度;胞状结构;......
金属钽丝表面的X射线光电子能谱分析 李人哲1 (1.西北工业大学理学院应用化学系,陕西,西安,710072) 摘要:用X射线光电子能谱(XPS)对金属钽丝表面进行了分析和研究.通过XPS全程宽扫描和窄扫描,分析了钽丝表面的元素成分和钽的化学态.分析结果表明,钽丝表面的元素成分为Ta,C,O,F,S,Cl,P,Fe,Si,Ni,Cr,Ti,Nb,W,Al.对溅射5 min前后的Ta 4f峰进行曲线拟合,分别得到2个Ta峰和4个Ta峰,对拟合后各个Ta峰的相对位置进行分析,可以得出以上各个Ta峰的化学态;钽丝表面钽的化学态分别为,溅射前 Ta2O5 和Ta5Si3,溅射后 Ta,Ta2O5,Ta5Si3. 关键词:钽; XPS; 原子浓度; [全文内容正在添加中] ......
含钽(Ta)C/C复合材料烧蚀分析 黄海明1,杜善义2,施惠基1 (1.清华大学,工程力学系,北京,100084;2.哈尔滨工业大学,复合材料研究所,哈尔滨,150001) 摘要:根据TaC和C/C复合材料的物理化学性质及烧蚀环境推测C/TaC/C复合材料的烧蚀机理,并对其抗侵蚀机理及剥蚀进行了预测分析,在分析C/TaC/C复合材料烧蚀机理的基础上建立其烧蚀模型.根据Darcy定律确定TaC液体流动的速度,并在此基础上利用流体动力学和质量守恒定律等推导出C/TaC/C复合材料质量烧蚀率公式. 关键词:C/TaC/C复合材料; 烧蚀机理; 烧蚀模型; [全文内容正在添加中] ......
Ta含量对Ti/IrO2-Ta2O5电极电容性能影响贺冲1,陈志杰1,林德源2,陈云翔2,邵艳群1,伊昭宇1,唐电11. 福州大学2. 国网福建省电力有限公司电力科学研究院摘 要:采用低温热分解法制备了Ti基IrO2-Ta2O5氧化物涂层电极.通过X射线衍射(XRD),循环伏安曲线,交流阻抗谱,恒流充放电等测试方法分析了Ta含量对IrO2-Ta2O5氧化物涂层组织结构及电容性能的影响.结果表明,Ta2O5可抑制IrO2的晶化程度.随涂层中Ta含量增加,晶化度降低.当Ta含量为60 mol%时,IrO2-Ta2O5电极的结晶度为6.4%,具有较小的电荷转移电阻和最高的比电容(239.2 F/g),比IrO2电极比电容(54.1 F/g)提高了近4倍.关键词:二氧化铱;五氧化二钽;超级电容器......
