共搜索到13条信息，每页显示10条信息，共2页。用时：0小时0分0秒496毫秒
磁控溅射沉积制备SnSe薄膜及其热电性能研究崔岩1,乔吉祥2,赵洋2,邰凯平2,万晔11. 沈阳建筑大学材料科学与工程学院2. 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心摘 要:因为晶体结构以及热电性能各向异性,硒化锡(SnSe)沿b轴方向表现出优异的热电性能,受到业内的广泛关注.但关于SnSe薄膜研究的报道较少.本研究利用磁控溅射技术,将SnSe沉积到Si/SiO2基底得到SnSe薄膜,分析了沉积温度对SnSe薄膜结构和热电性能的影响.结果显示:沉积温度升高,晶粒尺寸相应增加,薄膜的结晶质量也随之提高.在573 K的沉积温度条件下,能获得高结晶质量和良好化学计量比的(111)取向SnSe薄膜,该薄膜具有约为1.25μW/(cm·K2)的最大功率因子(PF).当沉积温度升高至773 K时,可以得到具......
SnSe基热电材料的最新研究进展陈秋凤,王秀霞,吴正森,刘呈燕,苗蕾桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西信息材料重点实验室摘 要:随着环境危机的日益加剧和能源需求的不断增加,提高能源的利用效率成为解决问题的有效途径之一.热电材料正是一类利用Seebeck效应和Peltier效应实现热能与电能之间相互转换的功能材料,有望广泛应用于废热余热回收发电以及制冷领域,从而提高能源利用效率.近年来,SnSe基热电材料因原材料丰富,环境友好和热电性能优异等优点而成为热电材料研究领域的热点.系统地分析了SnSe的晶体结构与高热电性能之间的内在关系.然后,分别综述了单晶和多晶SnSe基热电材料的特性及最新研究进展.在提高热电性能方面,针对单晶SnSe,主要通过异质原子掺杂,包括n型和p型掺杂两方面;对于多晶SnSe......
电场对Ti和Zn掺杂单层SnSe磁性的影响常姗姗,李伟,马亚强,王小龙,戴宪起河南师范大学物理与材料科学学院摘 要:采用基于第一性原理的密度泛函理论对过渡金属Ti和Zn掺杂单层SnSe的磁性进行研究.计算表明,Ti比Zn更易在单层SnSe体系中掺杂,Ti掺杂体系具有磁性,体系的费米能级向导带移动,而Zn掺杂单层SnSe体系不具有磁性.加外电场使得Ti和Zn在单层SnSe中掺杂变难,外电场会引起Ti掺杂单层SnSe体系的电荷重新分布.在-44V/nm范围内,外电场对Ti和Zn掺杂SnSe体系的磁性影响很小.关键词:单层SnSe;掺杂;磁性;电场;......
Ag掺杂SnSe化合物的制备及热电性能李松浩1,张忻1,刘洪亮1,郑亮1,张久兴1,21. 北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室2. 合肥工业大学材料科学与工程学院摘 要:Sn Se是一种潜在的极具应用前景的热电材料.采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法制备了Ag掺杂的...Ag掺杂量x=0.02时,功率因子提高至4.95×10-4 W/(m·K2),较未掺杂Sn Se样品提高了36%.尽管掺杂样品的热导率均有小幅升高,无量纲热电优值(ZT)仍获得一定改善.当Ag掺杂量x=0.02时,Sn0.98Ag0.02Se成分样品具有较高的热电优值,并在823 K附近达到最高值0.82.关键词:SnSe;Ag掺杂;放电等离子烧结;热电性能;......
Ag掺杂对SnSe材料热电性能的影响初菲1,陆晓芳1,王连军1,2,江莞1,2,31. 东华大学材料科学与工程学院2. 东华大学纤维材料改性国家重点实验室3. 东华大学功能材料研究所摘 要:硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6.但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多晶硒化锡的制备与研究.采用真空熔炼及淬火-退火等工艺并结合放电等离子体烧结技术制备了Ag掺杂的AgxSn1-xSe(0.005≤x≤0.02)多晶热电材料.结果表明,Ag的掺入明显改善多晶SnSe的载流子浓度,同时保留较高的塞贝克系数,使得材料的电学性能显著提高.当Ag的掺杂量x=0.01时,Ag0.01Sn0.99Se具有相对较高的热电优值,于773K时平行于压力及垂直压力方向分别可达......
溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能李贵鹏1,宋贵宏1,胡方1,杜昊2,尹荔松31. 沈阳工业大学材料科学与工程学院2. 中国科学院金属研究所材料表面工程研究部3. 五邑大学智能制造学部摘 要:使用粉末烧结SnSe合金靶高真空磁控溅射制备掺杂Ag的SnSe热电薄膜,利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等手段分析薄膜的相组成,表面形貌,截面形貌,微区元素含量和元素分布,利用塞贝克系数/电阻分析系统LSR-3测量沉积薄膜的电阻率和Seebeck系数,研究了不同Ag含量SnSe薄膜的热电性能.结果表明,采用溅射技术可制备出正交晶系Pnma结构的SnSe相薄膜,掺杂的Ag在薄膜中生成了纳米Ag3Sn.与未掺杂Ag相比,掺杂Ag的SnSe薄膜其电阻率和Seebeck系......
. Department of Physics, Chungnam National University4. School of Chemical and Biological Engineering, Seoul National University摘 要:SnSe is a promising thermoelectric material with a high figure of merit in single crystal form, which has stimulated continuous research on polycrystalline SnSe. In this study, we investigated a metallization techniques......
坩埚下降法生长SnSe单晶及其力学性能研究(英文)金敏1,白旭东1,2,赵素1,张如林1,陈玉奇1,周丽娜11. 上海电机学院材料学院2. 上海理工大学材料科学与工程学院摘 要:Ⅳ-ⅥSnS e单晶是一种引人注目的热电材料,不仅热电性能优异而且还具有环境友好的特征.本工作探索了一种制备SnS e单晶的技术,并对产品的力学性能进行研究.利用坩埚下降法成功生长了化学计量比准确的非掺杂SnS e单晶,其在室温下具有标准Pnma正交相结构.由于Sn层与Se层之间的结合力非常弱, SnSe单晶很容易沿(100)面解理.显微压痕测试表明SnSe单晶十分柔软, 0.01~0.05 kg载荷下的平均显微维氏硬度HV仅为53 MPa.然而,得益于层内Sn和Se原子之间强烈的极性耦合, SnSe单晶沿(100)面却展现出......
From microstructure evolution to thermoelectric and mechanical properties enhancement of SnSeChi Ma1,Xue Bai1,Qiang Ren1,Hongquan Liu1,Yijie Gu2,Hongzhi Cui11. College of Materials Science and Engineering,Shandong University of Science and Technology2. School of Mechanical-electronic and Vehicle Eng......
二次可充放电电池用硒化锡负极材料的研究现状程娅伊1,2,黄剑锋2,李嘉胤2,谢辉1,周影影11. 西安航空学院材料工程学院2. 陕西科技大学无机材料绿色制备与功能化重点实验室摘 要:硒化锡(SnSe,SnSe2)因其特殊的层状晶体结构以及较高的导电性,有望成为锂/钠离子电池的负极材料.但是硒化锡负极在充放电过程中体积会反复变化,导致电极结构及表面SEI膜(电极与电解液界面)遭到破坏,使活性材料失去电接触,从而导致循环容量迅速衰减;此外,硒化锡转化反应中间产物Li2Se/Na2Se的导电性较差,阻碍了电荷的传......
