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国内外光纤用SiCl4研究进展 袁琴1,耿宝利1,韩国华1,孙福星1,王铁艳1 (1.北京有色金属研究总院国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088) 摘要:SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料, 其质量好坏直接影响光纤传输的质量, 必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质.综述了光纤用SiCl4的质量标准, 并应用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术对国内外光纤用高纯SiCl4样品进行了对比.测试结果表明, 本工艺产品含氢杂质含量明显降低, 同时金属离子含量也达到相关技术要求, 达到光纤级别, 为建立工业化光纤用高纯SiCl4生产线提供了理论基础和技术参数. 关键词:SiCl4; 光纤; 提纯; 工艺; [全文内容正在添加中] ......
以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜 魏俊红1,林揆训1,姚若河2,余楚迎1,王照奎1,林璇英1,黄锐1,黄文勇3,余云鹏1 (1.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063;2.华南理工大学,应用物理系,广东,广州,510641;3.广东韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041) 摘要:报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率,H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1. 关键词:多晶硅薄膜; SiCl4......
SiCl4中SiHCl3的去除及检测方法研究进展毛威,苏小平,王铁艳,袁琴北京有色金属研究总院国晶辉红外光学科技有限公司摘 要:SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能.SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量产生严重影响.综述了国内外对于SiCl4中SiHCl3去除方法的研究进展,主要有精馏法,等离子体法,光化法,以及吸附法,部分水解法等其他一些方法.国内常用精馏法提纯SiCl4,但由于SiHCl3和SiCl4的沸点较为接近,精馏法对于SiCl4中SiHCl3的去除仍然存在着一定的限度;等离子体法去除SiHCl3效果好,但对于设备,技术要求相对较高;光化法对于SiHCl3的去除十分有效,可将SiHCl3的含量降到1×10-6以下.同时介绍了......
四氯化硅流化床冷氢化工艺的研究刘挥彬,张升学,杨永亮,严大洲中国恩菲工程技术有限公司摘 要:本文通过实验研究了SiCl4流化床加氢工艺,对温度,压力,料位压差及进料配比等因素对SiCl4转化率的影响进行了考察.结果表明,现有冷氢化流化床系统,四氯化硅转化率随温度,压力,反应料位压差,氢气与四氯化硅摩尔进料配比的增大而增大.关键词:多晶硅;四氯化硅;流化床;冷氢化;......
多晶硅生产副产物四氯化硅的综合利用刘刚青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司摘 要:利用吉布斯自由能理论对四氯化硅合成氮化硅的化学气相沉积体系中可能发生的化学反应进行热力学分析.结果表明,在1 500K以上反应时,可以得到较高纯度的氮化硅.对多晶硅生产中四氯化硅的来源和主要杂质情况进行了比较,得出的四氯化硅综合利用方式是:将SiCl4(Ⅰ)通入精馏工艺的四氯化硅提纯塔分离三氯化磷后,再与SiCl4(Ⅱ)及SiCl4(Ⅲ)一起进入氮化硅合成炉.关键词:四氯化硅;氮化硅;多晶硅;综合利用;......
Effects of Flame Temperature and SiCl4 Concentration on Particle Characteristics for Synthetic Silica Glass王蕾1,顾真安21. School of Materials Science and Engineering,Harbin Institute of Technology2. China Building Materials Academy摘 要:Effects of flame temperature and SiCl4 concentration on the particle characteristics were studied.The flame temperature......
SiCl4锌还原异相反应机理的研究谢刚1,宋东明2,林艳2,崔焱1,李荣兴21. 云南冶金集团总公司技术中心2. 昆明理工大学冶金与能源工程学院摘 要:通过MP2/6-311G(d,p)方法,计算并得到了SiCl4锌还原各反应通道上各驻点的几何构型,振动频率和能量.根据密度泛函理论,采用广义密度梯度近似和总体能量平面波赝势方法结合周期性平板模型,研究了反应驻点在Si(100)面上的吸附,解离及锌还原过程.结果表明,衬底硅参与SiCl4锌还原反应,SiCl4易在顶位吸附解离成SiCl3和Cl;当硅基表面有Cl自由基吸附时,Zn或ZnCl更倾向于与Cl结合,而不是还原SiCln(1~3).关键词:多晶硅;密度泛函理论;锌还原;反应机理;......
SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究张跃宏1,李亚琼2,李斌川1,郭瑞11. 东北大学秦皇岛分校2. 大连理工大学摘 要:研究了硅在SiCl4/TMAC-PC体系中的阴极沉积过程,分析了电解质体系的热稳定性和电导率,研究电流密度,温度等因素对沉积层表面形貌的影响.结果表明,SiCl4的加入使得TMAC-PC体系热稳定性增强,电解质的电导率随温度的升高而增大,在318K,c(SiCl4)=0.5mol/L,电流密度i=15A/m2,电沉积时间3h条件下得到的沉积层致密,呈球形颗粒状.关键词:离子液体;电沉积;硅;......
氢氧焰燃烧合成核壳结构纳米TiO2/SiO2复合颗粒及机理分析 李春忠1,胡彦杰1,丛德滋1,赵尹1,姜海波1 (1.华东理工大学材料科学与工程学院,超细材料制备与应用教育部重点实验室,上海,200237) 摘要:利用多重射流氢氧焰燃烧反应器,通过控制进料方式,以TiCl4和SiCl4为原料合成了具有典型核壳结构的纳米TiO2/SiO2复合颗粒,并分析了氢氧焰燃烧合成过程中核壳结构的形成机理.在纳米TiO2/SiO2复合颗粒中,无定形的SiO2均匀地包覆在晶态TiO2颗粒表面形成核壳结构,引入SiO2不但有效抑制TiO2晶粒的生长,而且抑制了锐钛相向金红石相的转变.在TiCl4和SiCl4次序进料时,TiCl4优先反应并通过成核生长生成TiO2纳米颗粒,SiCl4反应生成的SiO2通过在TiO2颗粒表面非均相成核生长,形成核壳结构的纳米复合颗粒. 关键词:氢氧焰; 气相燃烧; 核......
脱铝改性NaY分子筛载体对磷钨酸封装过程的影响桂钦璋,刘碧玉,袁霞,吴剑湘潭大学化工学院摘 要:分别采用水热法和SiCl4气相法对NaY分子筛进行脱铝改性,作为载体应用于磷钨酸(PW)的原位封装过程.采用XRD,N2物理吸附,ICP-AES和SEM等手段对脱铝改性后NaY分子筛载体结构进行了表征.结果表明,两种脱铝方法在使NaY分子筛硅铝比接近5.5的情况下,水热法比SiCl4气相法脱铝样品的结晶度高,比表面积和孔容更大,微孔所占的比例更高,相同条件下用于磷钨酸的原位封装过程,能获得0.0569g PW/g载体的封装量,显著高于SiCl4气相法处理的样品.关键词:NaY分子筛;脱铝改性;封装;磷钨酸;......