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Effect of Y2O3, CeO2 on Sintering Properties of Si3N4 Ceramics 王黎1,苏盛彪1,李竟先2,包亦望1 (1.Key Laboratory for Advanced Ceramics, China Building Material Academy, Beijing 100024, China;2.Department of Materials Science, South China University of Science and Technology, Guangzhou 510641, China) Abstract:The effect of rare earth oxides Y2O3 or CeO2 on sintering properties of Si3N4 ceramics was studied......
Synthesis of ultralong Si3N4 nanowires by a simple thermal evaporation methodWen-Qi Wang1,Xiao-Ping Zou2,Nan-Jia Zhou3,Guang Zhu2,3,Gui-Ying Wang1,Zhen-Sheng Peng1,41. Anhui Key Laboratory... vapor-solid synthesis of ultralong silicon nitride (Si3N4) nanowires was achieved by using simple thermal evaporation of mixture powders of active carbon and monoxide silicon. The products were......
Article ID: 1003-6326(2005)02-0306-04 Synthesis and characterization of single-crystalline alumina nanowires ZHAO Qing(赵 清), XU Xiang-yu(徐向宇), ZHANG Hong-zhou(张洪洲), CHEN Yao-feng(陈耀锋), XU Jun(徐 军), YU Da-peng(俞大鹏) (School of Physics, State Key Laboratory for Mesoscopic Physics, Peking University, Beijing 100871, China) Abstract: Alumina nanowires were synthesized on large-area......
等效厚度评估GaAs MMIC的Si3N4电容可靠性 黄云1,钮利荣2,林丽3 (1.电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;2.南京电子器件研究所,南京,210016;3.华南理工大学应用物理系,广州,510641) 摘要:通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征 击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等 效厚度模型评估和监测 GaAs MMIC的 Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生 产线实现对 Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测. 关键词:Si3N4电容; 等效厚度; 评估; 可靠性......
添加WC对纳米Si3N4陶瓷组织和力学性能的影响 田春艳1,刘宁1,卢茂华1 (1.合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009) 摘要:采用热压烧结制备了纳米Si3N4-WC复合陶瓷,研究了WC颗粒的添加对纳米Si3N4陶瓷组织与力学性能的影响.试验结果表明:纳米Si3N4-WC复合陶瓷的基体显微组织由粒径小于100 nm的等轴晶粒构成,WC以独立颗粒的形式存在,对显微组织影响不大;纳米Si3N4-WC复合陶瓷的硬度随WC含量的增加而升高,但低于单相纳米Si3N4陶瓷,添加适量的WC颗粒可以提高纳米Si3N4陶瓷的断裂韧性,但对抗弯强度影响不大. 关键词:纳米Si3N4陶瓷; WC; 显微组织; 力学性能; [全文内容正在添加中] ......
Si3N4陶瓷与Si3N4陶瓷及金属连接的研究进展 郑仕远1,曹优明1 (1.渝西学院化学与环境科学系,重庆402160) 摘要:对Si3N4陶瓷与Si3N4陶瓷,Si3N4陶瓷与金属的连接工艺进展进行了系统的介绍,重点评述了Si3N4直接钎焊法,Si3N4间接钎焊法,Si3N4陶瓷玻璃焊法的研究进展,并提出了今后研究的重点. 关键词:氮化硅; 连接; 钎焊; [全文内容正在添加中] ......
长颗粒(柱状晶)Si3N4陶瓷的研究及进展 尤显卿1,刘宁1,许育东1,斯庭智1 (1.合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009) 摘要:Si3N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能,而被广泛地用于结构陶瓷,如切削刀具等.然而,因为其对缺陷很敏感,故易受灾难性的失效.人们发展了多种Si3N4增韧陶瓷,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视.在此文中,着重介绍了影响Si3N4陶瓷长颗粒(柱状晶)晶粒生成的因素,并介绍了国内外对长颗粒Si3N4晶的控制研究. 关键词:长颗粒(柱状)Si3N4晶粒; 自韧; 力学性能; 纳米复合; 微观设计; [全文内容正在添加中] ......
Al2O3对Si3N4结合SiC材料抗氧化和抗碱侵蚀性的影响 黄朝晖1,王金相1,孙加林1,洪彦若1 (1.北京科技大学 北京100083) 摘要:研究了添加0~8％Al2 O3对烧成Si3N4结合SiC耐火材料的显微结构,抗氧化和抗碱侵蚀能力的影响.借助XRD,SEM及光学显微镜观察发现:添加Al2 O3通过氮化反应烧结使得材料基质中的Si3N4由纤维状Si3N4向柱状Sialon相转化,显微结构更加致密.4#试样中的Al2O3加入量对提高Si3N4结合SiC耐火材料的抗氧化和抗碱侵蚀性的作用已极其明显. 关键词:Si3N4结合SiC; Al2O3添加物; 抗氧化性; 抗碱侵蚀性; Sialon相; Si3N4 bonded SiC; Al2O3 addition; Oxidation resistance; Alkali resistance; Sialon phase......
Si3N4陶瓷/Nb/Cu/Ni/Inconel 600界面反应层形成机制研究 王育福1,曲仕尧1,杨敏1,王新洪1,邹增大1 (1.山东大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250061) 摘要:观察分析了Si3N4陶瓷/Nb/Cu/Ni/Inconel600界面处反应层的形貌,元素分布,反应层中的相结构,界面反应以及反应层的生长规律,研究了Si3N4陶瓷/Nb/Cu/Ni/Inconel600界面处反应层的形成机制.研究结果表明:在连接过程中,Cu层首先熔化,Nb,Ni向液态Cu中扩散溶解形成Cu-Nb-Ni合金,液态合金中的Nb和Ni向Si3N4表面扩散聚集并与Si3N4反应形成反应层;Si3N4侧的反应层主要物相是NbN和Nb,Ni的硅化物,Ni基合金侧反应相主要是NbNi3和Cu-Ni合金;在连接温度为1403 K的条件下,随着连接时间的增加,界面反应层厚度先快速增加,再......
Si3N4 陶瓷蠕变性能MSP评价方法的理论与实验研究 陈刚1,张清杰2,翟鹏程1 (1.武汉理工大学理学院,武汉,430070;2.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070) 摘要:基于薄板弯曲蠕变模型,对MSP(Modified Small Punch)蠕变试验进行了理论研究,建立了材料蠕变应力指数n的评价公式. 采用有限元分析软件MARC对MSP蠕变试验进行了数值模拟,将数值模拟采用的n值与评价结果n值进行了比较,12Cr1MoV钢和含Cr9%的钨合金钢分别相差1.6%和2.7%;SUS304不锈钢的MSP蠕变试验结果与传统单轴拉伸蠕变实验结果相差仅为2.9%,数值模拟结果的一致性与两种实验结果的吻合验证了理论公式的有效性. 在此基础上,通过对多孔Si3N4陶瓷蠕变性能的研究,发现多孔Si3N4陶瓷在温度为1000℃条件下不仅具有较好的延展性,而且有较大的......
