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一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法 王占国1,周滨1,杨锡权1 (1.中科院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083;2.广西师范大学,桂林541001) 摘要:利用SI-GaAs中EL2缺陷在低温下特有的光淬灭行为, 提出了一个证明EL2缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法. 讨论了该方法用于测量SI-GaAs材料电学补偿度,进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性. 关键词:SI-GaAs; EL2; 光淬灭; 补偿度; [全文内容正在添加中] ......
SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术 李静1,王寿寅2,汝琼娜1,陈祖祥2,李光平1,何秀坤1 (1.信息产业部电子第四十六研究所,天津55信箱,天津,300192;2.北京伯乐分析生化仪器有限公司,北京100029) 摘要:研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAS材料时,除了电阻率,迁移率,位错密度,碳含量,EL2浓度及其均匀性,晶片表面质量外,PL mapping 也是表征材料质量的一个重要参数. 关键词:光致发光光谱; 砷化镓材料; 表征材料; 器件; [全文内容正在添加中] ......
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究 覃道志1,申玉田2,刘彩池2,唐蕾2,张春玲2,王海云2,徐岳生2 (1.空军天津航空装备技术训练基地,天津,300131;2.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130) 摘要:砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀,富砷沉淀,砷沉淀, GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制. 关键词:SI-GaAs; 微缺陷; 小位错回线; 沉淀成核中心; [全文内容正在添加中] ......
LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响 付生辉1,郝景臣2,魏欣1,刘彩池1,王海云1,徐岳生1 (1.河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130;2.中国电子科技集团公司第13所,河北,石家庄,050051) 摘要:用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103~104 cm-2量级) ,用KOH腐...:LEC SI-GaAs; AB-EPD; 跨导; 衬底; 位错; PLmapping; 临界值; [全文内容正在添加中] ......
Determination of Substitutional Carbon in SI-GaAs Thin Wafers by Infrared Microscope何秀坤,王琴,汝琼娜,李光平摘 要:<正> Determination of substitutional carbon in SI-GaAs thin wafers was investigated by FT-IR microscopeat room temperature for the first time.The experimental results showed that the carbon concentration inGaAs thin wafers can be measured directly......
Relation between EL2 Groupand EL6 Group in SI-GaAs吴凤美,赵周英摘 要:RelationbetweenEL2GroupandEL6GroupinSI-GaAsWuFengmei吴凤美(Deportmentofphysics,NanjingUniversity,Nanjing210093,China)ZhaoZhouyin...关键词:......
Rapid Thermal Annealing of Si+-implanted SI-GaAs with Co-implantation of P+Qian He;Chen Tangsheng;Luo Jinsheng Division of Microelectronics Technology,Xi’an Jiaotong University,Xi’an, Shaanxi,710049 P. R. China摘 要:<正> Rapid thermal annealing (RTA) of Si+-implanted SI-GaAs was studied in an annealing system using a halogen lamp heater.Good......
非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷 牛新环1,刘彩池1,王海云1,孙卫忠1,徐岳生1 (1.河北工业大学,天津,300130) 摘要:用化学腐蚀法,金相显微观察,透射电镜(TEM),电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76 mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷,碳的微区分布进行了分析.结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用:杂质碳在胞壁,近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布. 关键词:SI-GaAs; 微缺陷; 位错; AB腐蚀; 杂质碳; [全文内容正在添加中] ......
半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布 杨新荣1,魏欣1,刘彩池1,唐蕾1,郭华锋2,王海云1,徐岳生1 (1.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130;2.深圳机场机务工程部,广东,深圳,518028) 摘要:通过化学腐蚀(AB腐蚀液),金相显微镜观察,透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳含量低于检测限. 关键词:SI-GaAs; 位错; 碳含量; 能谱分析; [全文内容正在添加中] ......
钛Alan Heap,王华摘 要:<正> 1995年的钛市场经历了一个颇为泾渭分明的时期--上半年与下半年的走势背道而驰,就前者而言,颜料市场对钛的需求量大幅增加,致使钛价格保持坚挺,进入下半年以来,受经济缓慢爬坡的负面影响,相比之下,需求急剧减少.同时,自1994年的关键词:......