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]. Moreover, the Si doping can greatly promote the formation of amorphous carbon in the diamond films, which can be the perfect site for diamond nucleation [22,23]. Therefore, it can be concluded that Si...Trans. Nonferrous Met. Soc. China 23(2013) 2962-2970 Si-doped diamond films prepared by chemical vapour deposition Yu-xiao CUI1, Jian-guo ZHANG1, Fang-hong SUN1,2, Zhi-ming ZHANG1,2 1. School......
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合金表面在高温下及较短时间内不被氧化,但是后续的激光表面熔化工艺能提高Si喷涂合金的抗氧化性能.对于后续激光处理样品,在随后的退火工艺中形成了钼硅化合物(主要成分为MoSi2),且其抗氧化性能得到进一步改善.另外,研究了Si喷涂样品在3.5% NaCl溶液中的腐蚀行为,然而经激光表面熔化工艺处理样品的耐腐蚀性能与未经激光表面熔化处理样品的耐腐蚀性能无明显差异. 关键词:Ti-Zr-Mo合金；Si...Trans. Nonferrous Met. Soc. China 26(2016) 2603-2608 Oxidation resistance of Si-coated TZM alloy prepared through combined process of plasma spray and laser surface melting Jeong-Min KIM1, Tae-Hyung......
于Ti2AlC的生成,而有利于Ti3AlC2的生成机理,说明了掺Si后固溶体的产生过程. 关键词:硅掺杂；放电等离子烧结；Ti2AlC/Ti3AlC2；理论分析 中图分类号:TQ 174 文献标识码:A Synthesis of Ti2AlC/Ti3AlC2with Si doping by spark plasma...文章编号:1004-0609(2007)04-0511-07 Si掺杂放电等离子合成Ti2AlC/Ti3AlC2材料及理论分析 王 苹1, 2,梅炳初2,闵新民1,洪小林2,周卫兵2,严 明2 (1. 武汉理工大学 理学院,武汉 430070; 2. 武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070) 摘 要:以Ti粉,Al粉,活性炭和......
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体温度高于890 °C时,TiC与Al和Si反应生成Al4C3及Ti3SiC2相.分析认为,Si之所以使TiC在铝熔体中变得不稳定,是由于铝熔体中的Si能够进入到TiC晶格中,并进一步扩散,形成夹杂有一定量Si的TiC.在此过程中,Si会在TiC中引起较大的晶格畸变作用,促进TiC中碳原子的迁移. 关键词:碳化钛；硅；铝-硅合金；稳定性 (Edited by YANG Hua... Influence of Si on stability of TiC in Al melts DING Hai-min1, 2, LIU Xiang-fa2 1. Department of Mechanical Engineering, North China Electric Power University, Baoding 071003, China; 2. Key......
度等力学性能的提高,这一问题还未见系统研究.不仅如此,活塞,汽缸等零部件不但要考虑强度,硬度,耐磨性特别是高温耐磨性也是重要的力学性能指标.目前高硅Al-Si合金的耐磨性研究较少,高温条件下的研究更少[8],并且Al-Si合金的摩擦磨损行为与Si相形貌,尺寸,分布间的关系一直存在意见分歧[9],如LIU等[10]和孙淑红等[11]均发现Sr或P变质处理后合金的耐磨性明显改善,但CLEGG等[12...化Al-25Si合金获得不同组织形态,研究不同Si相形貌和组织形态条件下的力学行为变化. 1 实验 1.1 试验原料 试验所用的原料为纯度为99.7%(质量分数,下同)的工业纯铝锭,纯度为99.9%的高纯硅,变质剂采用山东吕美熔体技术有限公司生产的Al-3P和Al-10Sr中间合金. 1.2 试验工艺流程 将铝锭在中频感应炉中熔化,升温至750 ℃左右时按所需比......
常用的基体材料.然而,若直接在硅基体上沉积金刚石薄膜,其形核密度非常低,对基体进行适当的预处理,可以使基体产生许多利于金刚石生长的缺陷(也称为成核中心),从而在一定程度上提高了形核密度[4-6].Baranauskas等[7]采用电化学方法对Si(100)样品进行处理,其中电解质为HF+H2O+C2H5OH的混合溶液,发现基体表面出现了大量随机分布的微孔,这些微孔的直径为2~4 μm,随后形成了多孔金刚石薄膜结构,并随着金刚石薄膜厚度的增加,微孔的尺寸有所减小.Barani等
; 自从20世纪90年代首次发现纳米硅具有室温光致发光特征以来[1-2],关于Si基纳米发光材料的制备方法,结构特征,发光特性以及光电子器件的研究,已经取得令世人瞩目的重要进展.众多的研究表明,Si纳...用的关键. 在诸多制备纳米Si颗粒的方法[5, 6-9]中,由于脉冲激光烧蚀(PLA)属于"干法"制备技术,具有玷污小和生长速率快,最可能与现有硅工艺兼容等优点,因此得到长足的发展[10].在传统的PLA制备Si纳米颗粒过程中,Ar是一种普遍采用的缓冲气体[5-6, 11-12],WERWA 等[11] 利用PLA方法在Ar缓冲气氛中得到最小尺寸为2 nm 左右的纳米Si晶粒,其PL谱的半高宽大......
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