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PZT陶瓷的氢致滞后断裂 乔利杰1,褚武扬1,宿彦京1,王毅1 (1.北京科技大学材料物理系,北京,100083) 摘要:PZT压电陶瓷单边缺口恒载荷试样两面镀镍后在NaOH溶液中动态充氢时能发生氢致滞后断裂.研究了氢致滞后断裂门槛应力强度因子和试样中可扩散氢浓度的定量关系.结果表明,氢致断裂归一化门槛应力场强度因子KIH/KIC(KIC=1.34 MPa@m1/2)随氢浓度对数的升高而线性下降,即KIH/KIC=0.4-0.155lnCo.当Co=9.84×10-4%(对应充氢电流300 mA/cm2)时,KIH=0.01KIC.这表明,PZT陶瓷具有极高的氢致开裂敏感性. 关键词:PZT压电陶瓷; 氢致开裂; 氢浓度; [全文内容正在添加中] ......
Li2CO3对低温烧结PZT压电陶瓷性能的影响崔红1,2,史秀梅1,3,曾涛4,曹剑武3,陈刚31. 西北工业大学2. 西安航天复合材料研究所3. 中国兵器科学研究院宁波分院4. 上海材料研究所摘 要:采用传统固相法在1 050℃烧结温度下制备Pb0.995Cd0.005(Zr0.965Ti0.035)O3(PZT)压电陶瓷材料,研究Li2CO3的加入对PZT陶瓷材料的烧结和压电,介电性能的影响.结果表明,加入质量分数为0.10%的Li2CO3时Pb0.995Cd0.005(Zr0.965Ti0.035)O3压电陶瓷综合性能最佳:烧结密度为7.46 g/cm3,d33为70 p C/N,εT为273,tanδ=0.020.该材料可作为制备叠层压电陶瓷元器件的候选材料.关键词:PZT压电陶......
PZT陶瓷粉体的水热合成朱孔军,朱仁强,董娜娜,顾洪汇,裘进浩,季宏丽南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室摘 要:利用水热法合成了单相,立方体形貌且平均颗粒尺寸在1μm的锆钛酸铅(PZT)陶瓷粉体.研究了碱度,反应时间对最终产物的影响,着重研究了不同碱度下Pb缺失的补偿问题.结果表明:碱度对最终PZT产物A位Pb离子的固溶程度有着重要的影响.碱度越高,A位缺失的Pb离子就越多.原料中适当的Pb过量能够有效补偿Pb离子的缺失,碱度越高,所需添加的Pb离子的过量程度也就越高.但过多的Pb离子加入量会导致最终产物中出现第二相.关键词:PZT粉体;水热合成;铅过量;......
PZT压电陶瓷的应力腐蚀 高克玮1,乔利杰1,褚武扬1,刘辉1,宿彦京1,王毅1 (1.北京科技大学材料物理系,北京,100083) 摘要:使用单边缺口拉伸试样对PZT-5压电铁电陶瓷进行恒载荷下的应力腐蚀研究,介质分别为水,甲醇和甲酰胺.结果表明,PZT 5压电陶瓷在这三种介质中均会发生应力腐蚀开裂.归一化应力腐蚀门槛应力强度因子分别为KISCC/KIC=0.66(水),0.73(甲醇)和0.75(甲酰胺),其中断裂韧性KIC=(1.34士0.25)MPa.m1/2. 关键词:PZT陶瓷; 应力腐蚀开裂; 门槛应力强度; [全文内容正在添加中] ......
锆钛酸铅(PZT)薄膜的制备及其改性研究高文娟,殷明志,徐驰西北工业大学理学院摘 要:文章综述了锆钛酸铅(PZT)薄膜的主要制备方法,其中包括射频磁控溅射法,脉冲激光沉积法,溶胶-凝胶法和金属有机化学气相沉积法.讨论了不同工艺参数对于PZT薄膜的结构和性能的影响,并针对PZT薄膜出现的疲劳现象进行掺杂改性,探讨提高其抗疲劳性能的途径.关键词:PZT薄膜;制备方法;掺杂;......
成膜条件对PZT超微粒/硬脂酸复合LB膜及PZT超薄膜的影响 唐冬雁1,李季1,李莹1 (1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001) 摘要:用胶体化学的方法获得PZT溶胶,利用LB技术制备PZT超细陶瓷微粒/硬脂酸复合LB膜,热处理后得到PZT超薄膜.研究了PZT超微粒/硬脂酸复合LB膜的成膜条件,有效改善复合膜和超薄膜的性能:亚相浓度为0.01 μmol·mL~(-1)可以获得与硬脂酸有效复合的稀溶胶体系,滑障速度为6~8 mm·min-1可以获得紧密的复合单分子体系,转移膜压为30~35 mN·m~(-1)和pH值为7.0可以获得较理想的转移比,提拉速度为5~9 mm·min~(-1)有利于有序多层膜的制备.工艺条件中崩溃压和单分子面积的变化反映了硬脂酸分子和超微粒的有效作用.复合LB膜及PZT 超薄膜的AFM粒径分析结果表明,吸附于硬脂酸上的PZT超微粒子的平均半径为......