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PECVD装置的有限元分析及结构优化吴晓松,褚学宁上海交通大学机械与动力工程学院摘 要:针对PECVD装置在真空高温工作环境下存在的热变形问题,运用有限元流-热-结构耦合分析方法,对装置结构进行流固耦合传热特性分析,得出装置的稳态温度场分布情况,将分析结果作为装置流-热-结构耦合分析的边界条件加载到装置结构上,求得装置在热载荷和结构载荷综合作用下的变形情况.基于原有装置结构的分析结果,分析装置变形的主要原因,提出可行的优化改进方法.有限元分析结果表明,装置变形是热载荷和结构载荷综合作用的结果,其中热载荷为装置变形的主要因素;减小热载荷是控制装置变形,保证装置正常工作及可靠性的一个非常重要的因素.关键词:PECVD装置;热变形;流-热-结构耦合分析;有限元;结构优化;......
硬质合金PECVD设备的研究 谢英1 (1.株洲硬质合金集团有限公司,株洲,412000) 摘要:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种利用高压电场,使含有涂层元素的化合物或单质气体激发成等离子体,加速化学反应,降低沉积温度,提高沉积速率的一种涂层技术,使硬质合金表面性能强化,并保持基体原有抗弯强度.本文主要介绍了一种硬质合金PECVD设备,该设备结构简单,能实现低温条件下的化学气相沉积,等离子体起到增强沉积反应的作用,实验表明该设备能较好地完成TiN-TiCN复合涂层,也为进一步研究提供了参考. 关键词:硬质合金; PECVD; 等离子体; 涂层; [全文内容正在添加中] ......
PECVD淀积SiO2的应用 吕文龙1,罗仲梓1,何熙2,张春权1 (1.厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门,361005;2.天津大学材料学院,天津,300072) 摘要:研究了PECVD腔内压力,淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构,淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模. 关键词:PECVD; SiO2; AZ5214E; 剥离; [全文内容正在添加中] ......
PECVD OF HARD AND ELASTIC BCN COATINGS C.Martinez1,O.Kyrylov1,D.Kurapov1,D.Neuschütz1,R.Cremer1 (1.Lehrstuhl fur Theoretische Huttenkunde, RWTH Aachen, D-52056 Aachen, Germany) Abstract:Compounds... deposition (PECVD). The films were deposited from gaseous mixtures of BCl3-C2H4-N2-H2-Ar in different unipolar and bipolar pulsed glow discharges at 550G and analyzed with respect to composition......
PECVD在多晶硅上沉积氮化硅膜的研究 林喜斌1,林安中1 (1.北京有色金属研究总院,北京,100088) 摘要:氮化硅薄膜作为一种新型的太阳电池减反射膜已被工业界认识和应用.应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统, 以硅烷,氨气和氮气为气源在多晶硅片上制备了具有减反射作用的氮化硅薄膜.并研究了在沉积过程中, 衬底温度,硅烷与氨气的流比以及射频功率对薄膜质量的影响. 关键词:减反射膜; PECVD; 氮化硅; [全文内容正在添加中] ......
BIPOLAR PULSED PECVD OF ALUMINA HARD COATINGS O.Kyrylov1,D.Neuschütz1,R.Cremer1 (1.Lehrstuhl fur Theoretische Huttenkunde,RWTH Aachen,D-52056 Aachen,Germany) Abstract:In the last years a variety... adhesion were deposited. Key words:alumina; PECVD; structure; bipolar pulsed glow discharge; [全文内容正在添加中] ......
PECVD法生长氮化硅工艺的研究 吴清鑫1,陈光红1,罗仲梓2,于映3 (1.苏州市职业大学,电子信息工程系,江苏,苏州,215104;2.厦门大学,萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005;3.福州大学,物理与电信工程学院,福建,福州,350002) 摘要:采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度,射频功率,反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率,氮硅比,残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件. 关键词:PECVD; 氮化硅; 聚酰亚胺; 残余应力; 射频MEMS开关; [全文内容正在添加中] ......
多孔介质在PECVD应用的仿真研究蔡健栋,李健,王钢,范冰丰中山大学物理与工程技术学院摘 要:利用计算流体动力学(CFD)软件,按照现有的工艺参数对某管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备腔体进行三维数值模拟分析,研究了不同流量下工艺参数下PECVD设备腔体内部流场的整体分布,并对石英片之间反应区域的速度分布进行详细分析,并提出了多孔结构在腔体内部的应用.计算结果表明该工艺参数下腔体内部整体流动稳定,生长区流速平缓对于薄膜生长非常有利,在反应腔前端加入多孔区有利于增加晶片间的流动扩散,提高薄膜沉积率.数值模拟仿真为PECVD设备制造提供一定的理论指导依据.关键词:PECVD;计算流体力学;多孔介质;数值模拟;......
PECVD SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能 张锦文1,田大宇1,金玉丰1,吕知秋1,王颖1,李婷1,陈治宇1 (1.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871) 摘要:本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能.针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地.通过实验改变电晕注极过程中的注极时间,温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化.本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中. 关键词:驻极体; SiO2/Si3N4双层膜; PECVD; [全文内容正在添加中] ......
PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜 赵晓锋1,温殿忠1 (1.黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,黑龙江大学,哈尔滨,150080;2.黑龙江大学,集成电路重点实验室,哈尔滨,150080) 摘要:采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型晶向单晶硅片上,衬底温度600℃,射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜.采用x射线衍射仪(XRD),Raman光谱,AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱. 关键词:PECVD; 纳米晶粒; 非晶硅......
