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Nb2O5掺杂对TiO2陶瓷性能的影响 马新国1,黄金球1,薛霞1,周文斌1,胡连峰1,唐超群1 (1.华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074) 摘要:在Nb2O5含量x为0.1~1.5%的范围内,研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.发现x＝0.7%的样品显示出最低的压敏电压(Eb=8.57V/mm )以及最高的相对介电常数2.385×104.分析认为Nb2O5掺杂的实质是Nb5+固溶于 TiO2中取代Ti4+使晶粒半导化,但掺杂量受晶格畸变作用有一定限制. 关键词:TiO2; Nb2O5掺杂; 压敏; [全文内容正在添加中] ......
超级电容器高比容(RuO2/SnO2)·nH2O复合薄膜电极的研究 师响1,甘卫平1,刘继宇1,刘泓1,黄波2 (1.中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083;2.国营第四三二六厂,贵阳,550018) 摘要:采用电沉积工艺制备超级电容器用钽基(RuO2/SnO2)·nH2O复合薄膜,研究了初始沉积液中Sn2+与Ru3+浓度比以及热处理对制备(RuO2/SnO2)·nH2O复合薄膜性能的影响.借助扫描电镜,X射线衍射仪,红外光谱对薄膜的形貌和物相进行分析,用循环伏安法(CV)对该复合薄膜电容特性进行了测量.结果表明,以沉积液中Sn2+与Ru3+浓度比为2:1时电沉积出的样品,在温度为300℃,热处理2.5h后所制备出的复合电极薄膜材料的比电容达到385F/g. 关键词:电沉积(RuO2/SnO2)·nH2O复合薄膜; 超级电容器; 掺杂; [全文内容正在添加中] ......
电流密度对电沉积制备钽基RuO2·nH2O薄膜形貌的影响 张伟1,甘卫平1,欧定斌1,何捍卫2,黎晓辉1 (1.中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083;2.中南大学粉末研究院,长沙,410083) 摘要:采用直流电沉积的方法研究了阴极电流密度的变化(1mA/cm2,3mA/cm2,5mA/cm2,10mA/cm2)对RuO2·nH2O薄膜附着力和形貌的影响,并探讨了RuO2·nH2O电沉积的机理.采用SEM,能谱仪,XRD对薄膜的形貌,元素,物相分别进行了分析,并用粒度分析仪(DELSA 440SX Analyzer Control)对电沉积液的Zeta电位进行了测试.通过实验可以得出:RuO2·nH2O薄膜厚度随着阴极电流密度的增加而增加,薄膜自然干燥失水后,开裂脱落的倾向随电流密度的增加而增大;当阴极电流密度达到10mA/cm2时,自然干燥后薄膜疏松,附着力差. 关键......
Nb2O5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响 马秋花1,邹文俊1,王改民1,侯永改1,王春华1,路朋献1 (1.河南工业大学材料科学与工程学院,河南,郑州,450007) 摘要:研究了施主掺杂离子Nb5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸,相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处. 关键词:Nb2O5掺杂; PZN-PZT; 微观结......
锂系铁氧体材料中Nb2O5的微量掺杂 李小靖1 (1.北京无线电测量研究所,北京,100854) 摘要:用普通陶瓷工艺制备了Nb2O5微量掺杂的LiTiAlMg多晶尖晶石铁氧体材料. 测量了材料的饱和磁感应强度Bs, 移相器插入损耗, 介电常数ε, 介电损耗tgδ等性能参数. 实验表明, 随Nb2O5微量掺杂的增加, Li系铁氧体材料的电,磁损耗均明显下降, 而材料的其它性能(如居里温度,剩磁,饱和磁感应强度等)基本保持不变, 对此现象简要分析了原因. 控制适当的Nb2O5的掺入量, 是有效运用该技术的关键因素. 关键词:Nb2O5微量掺杂; 多晶体; Li系尖晶石铁氧体; 插入损耗; 移相器优值; [全文内容正在添加中] ......
电沉积液初始pH值对电沉积制备钽基RuO2·nH2O薄膜的影响 师响1,甘卫平1,刘泓1,覃政辉1 (1.中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083) 摘要:以RuCl3·2H2O水溶液为电沉积液,通过恒流电沉积法在钽箔上电沉积一层RuO2·nH2O薄膜;研究了电沉积液初始pH值对制备RuO2·nH2O薄膜的影响.分别采用SEM,EDS,XRD,粒度分析仪(DELSA 440SX analyzer control)对薄膜的形貌,薄膜元素,溶胶的Zeta电位及薄膜的物相进行观察与测试.结果表明,电沉积液初始pH值越高,RuO2·nH2O薄膜越疏松,龟裂纹越大,与基体结合力也越差.初始pH值为2.3时,薄膜的孔隙率最佳,综合性能指标最好. 关键词:电沉积; RuO2·nH2O薄膜; Zeta电位; pH值; 超级电容器; [全文内容正在添加中] ......
Nb2O5掺杂对高频MnZn功率铁氧体微结构和性能的影响. 张益栋1,兰中文1,余忠1 (1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054) 摘要:采用氧化物陶瓷工艺制备了高频MnZn功率铁氧体.从分析材料微观结构入手,研究了添加Nb2O5对MnZn铁氧体起始磁导率μi,电阻率ρ及高频功率损耗Pcv的影响,确定出适宜的Nb2O5添加量为(150~250)×10-6. 关键词:MnZn铁氧体; Nb2O5掺杂; 微结构; 性能; [全文内容正在添加中] ......
Nb2O5对ZTM-Al2O3烧结和性能的影响 阚艳梅1,靳喜海1,陈玉如1,袁启明1 (1.天津大学) 摘要:研究了Nb2O5对ZTM-Al2O3烧结,微观结构和性能的影响,发现当Nb2O5含量低于1.05%(质量分数,下同)时,它对烧结没有影响,甚至阻碍烧结;当Nb2O5含量大于1.05%时,它可以显著促进烧结. Nb2O5的引入可以明显提高瓷体中m-ZrO2含量,并使得瓷体机械性能得到大幅度的改善,微裂纹增韧被认为是瓷体性能改善的根本原因.另外,由于晶界玻璃相软化使得裂纹钝化和裂纹尖端应力集中消弱等原因,800℃下瓷体性能不衰减,反而有所提高. 关键词:Nb2O5; ZTM-Al2O3; 烧结; 机械性能; 增韧; [全文内容正在添加中] ......
Nb2O5掺杂在高磁导率,低失真,低损耗 MnZn铁氧体中的作用 李银传1,沈林佳1,董生玉1 (1.天通控股股份有限公司,材料研究所,浙江海宁,314412) 摘要:用普通氧化物法研制高磁导率低失真TH10i软磁铁氧体材料.通过不同Nb2O5掺杂量的设计试验,数据分析,研究了Nb2O5掺杂量对材料性能的影响.实验结果表明,适量的Nb2O5添加可以降低高磁导率MnZn铁氧体的磁滞常数和比损耗因数,提高材料的综合性能. 关键词:MnZn铁氧体; Nb2O5掺杂; 起始磁导率μi; 比损耗因数tgδ/μi; 磁滞常数ηB; [全文内容正在添加中] ......
Nb2O5对ZTM-Al2O3性能及ZrO2增韧机制的影响 阚艳梅1,高濂2,靳喜海2,陈玉如1,袁启明1 (1.天津大学材料科学与工程学院,天津 300072;2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050) 摘要:探讨了Nb2O5对ZTM-Al2O3的性能和ZrO2在瓷体中增韧机制的影响．发现Nb2O5的引入可明显提高瓷体中m-ZrO2含量而降低t-ZrO2含量,材料的机械性能也随Nb2O5添加量的增大出现了显著的改善,并且有韧性的平方正比于m-ZrO2含量的关系．M-ZrO2含量的增加强化了微裂纹增韧是材料性能改善的原因． 关键词:Nb2O5; mullite; ZrO2; 微裂纹增韧; Nb2 O5; mullite; ZrO2; microcrack toughening; [全文内容正在添加中] ......
