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宽带驱动放大器MMIC的SMD封装 郭俊榕1,罗乐1 (1.中科院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:研究了一种采用Rogers 4003型有机基板材料和PCB工艺制造的MMIC一级封装结构,该封装结构与SMT工艺兼容,具有良好的散热性能和较低的成本,可用于X＆Ku波段驱动放大器芯片.采用三维电磁场仿真软件对封装结构进行了优化设计,制备了封装结构样品,并采用HP 8722D型高频网络分析仪实测了封装后的X＆Ku波段驱动放大器芯片性能.测试结果表明,在6~18GHz频段内,封装后芯片的增益维持在20dB以上,反射小于-10dB,性能与裸芯片十分接近.关键词:MMIC,封装,有机基板材料,SMT,三维电磁场仿真 关键词:频率; 热敏电阻; NTC; PTC; [全文内容正在添加中] ......
等效厚度评估GaAs MMIC的Si3N4电容可靠性 黄云1,钮利荣2,林丽3 (1.电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;2.南京电子器件研究所,南京,210016;3.华南理工大学应用物理系,广州,510641) 摘要:通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征 击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等 效厚度模型评估和监测 GaAs MMIC的 Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生 产线实现对 Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测. 关键词:Si3N4电容; 等效厚度; 评估; 可靠性......
砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展 毛昆纯1,林金庭1,杨乃彬1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射,接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果. 关键词:砷化镓; 微波单片集成电路; CAD模型; CAD设计优化; [全文内容正在添加中] ......
一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器 陈新宇1,林金庭1,杨立杰1,郝西平1,陈堂胜1,李辉1,戴永胜1,俞土法1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:介绍了一种新颖的在5~20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计,制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5~20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm. 关键词:微波毫米波单片集成电路; 开关金属半导体场效应晶体管; 兰格耦合器; 多倍频程; 反射型移相器; MMIC; Switch MESFET; Lange coupler; Multi- octave......
全自动在片直流测试技术对提高GaAs MMIC批量生产成品率的作用 陈新宇1,郝西萍1,吴振海1,蒋幼泉1 (1.南京电子器件研究所,南京,210016) 摘要:成品率高低是批量生产能否进行的关键.采用全自动在片直流测试,对参数进行统计分析,能判断成品率是否正常,并帮助找出影响成品率的原因.本文介绍了行之有效的测试统计和分析技术. 关键词:成品率; 在片测试; GaAs MMIC; [全文内容正在添加中] ......
可兼容多极性控制信号的90°数字/模拟单片集成电路移相器 陈新宇1,扬立杰1,林金庭1,郝西平1,陈堂胜1,李辉1,戴永胜1,俞土法1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计,制造和性能.获得了高性能(在5~20GHz频率范围内,低的峰值相移误差≤(90±5)°;低的输入/输出驻波≤1.5和低插入损耗及起伏≤(3.0±0.5)dB)和小芯片尺寸(4.2mm×0.6mm×0.1mm). 关键词:微波毫米波单片集成电路数字/模拟移相器; 多倍频程; 可兼容多极性控制信号; MMIC digital/analogue phase shifter; Multi- octave; Compatible multi- polarity control signals; [全文......
K波段单片功率放大器 黄念宁1,陈新宇1,蒋幼泉1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制.PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作.三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P-1=19dBm. 关键词:PHEMT; MMIC; K波段; [全文内容正在添加中] ......
微波铁氧体材料及其应用 徐军明1,郑梁1,宋开新1,武军1,秦会斌1,应智花1 (1.杭州电子科技大学电子信息学院,工业与信息化产业部电子信息材料与器件重点实验室,杭州,310018) 摘要:总结和评述了近年来国际国内微波铁氧体材料及其应用研究发展动态.特别是随着材料制备技术与电子通信技术的集成化,高频与宽频化以及MMIC集成电路工艺的快速发展,作为现代通信与军事系统中的关键元器件,新结构体系的微波铁氧体材料在米波一毫米波段领域的应用也得到不断的更新.设计与制备出可用于各频带的超小型化,高性能和超宽带高性能器件的新结构新体系铁氧体材料是微波铁氧体材料的开发研究方向. 关键词:微波; 铁氧体; 应用; [全文内容正在添加中] ......
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): 47-51. [2]Bugeau J, Conghlin W Ⅲ, Priolo M, et al. Advanced MMIC T/R module for 6 to 18GHz multifunction arrays[A]. 1992 IEEE MTT-S Digest[C]. 1992: 81-84. [3]Soon H H, Hyo S L, Kyung Y J. Process......
