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Phase control of magnetron sputtering deposited Gd2O3 thin films as high-κ gate dielectrics YANG Zhimin1,YUE Shoujing1,WEI Feng1,WANG Yi1,DU Jun1,TU Hailing1 (1.Advanced Electronic Materials Institute, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) Abstract:Gd2O3 thin films as high-κ gate dielectrics were deposited directly on Si(001) substrates by magnetron......
择优取向生长的Gd2O3高K栅介质薄膜 岳守晶1,杜军1,杨志民1,屠海令1,王毅1,魏峰1 (1.北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京,100088) 摘要:使用射频磁控溅射法在n型Si(001)基片上生长了Gd2O3薄膜.X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方(111)晶面和单斜(401)晶面的择优取向生长.XPS分析表明薄膜的元素组成接近化学计量比.电性能测试发现,薄膜拥有合适的介电常数,较小的漏电流密度和较大的击穿场强,厚度为15 nm的薄膜介电常数为23,漏电流密度为3.6×10-15A·cm-2(偏压为+1 V时),击穿场强为3.5 MV·cm-1. 关键词:Gd2O3薄膜; 稀土氧化物; 高K栅介质; 磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
Gd2O3的添加对Gd-Ba-Cu-O超导块材性能的影响 于泽铭1,张翠萍1,冯勇1,张红2,熊晓梅1,周廉1 (1.西北有色金属研究院,陕西,西安,710016;2.东北大学,辽宁,沈阳,110004) 摘要:采用PMP工艺在空气中成功制备了φ17 mm的单畴Gd-Ba-Cu-O超导体.利用Gd2O3代替Gd 211的添加,同样可以提高Gd-Ba-Cu-O的超导性能,并且可以降低样品的制备成本.但过量的Gd2O3的添加会造成Gd-Ba-Cu-O超导体中Gd-Ba固溶体的增加,从而降低样品的超导性能.本实验中Gd2O3的最佳添加量为0.15 mol,制备的样品捕获磁通达到0.36 T(77 K). 关键词:Gd2O3; Gd-Ba-Cu-O; 添加; [全文内容正在添加中] ......
Effect of Gd2O3 and La2O3 on BaTiO3 -Based Ceramics Wang Hongru1,Wu Xiawan1,WANG Dapeng1,Li Lingxia1,Zhang Zhiping1 (1.School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) Abstract:The addition of rare-earth oxides Gd2O3 and La2O3 to BaTiO3-based ceramics can restrain the growth of grain size, which obtained small grain size below 1 μm and high density......
Gd2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结动力学 赵文广1,苑晓光1,赵永旺1,王秀英1,安胜利1,宋希文1 (1.内蒙古科技大学,内蒙古,包头,014010;2.北京科技大学,北京,100083) 摘要:对Gd2O3掺杂CeO2纳米粉体进行了等速烧结实验研究.得出了试样的线收缩率,密度,气孔率随烧结温度的变化规律,回归出了描述这些物理量与烧结温度之间关系的动力学方程. 关键词:纳米粉体; 氧化钆掺杂氧化钸; 烧结动力学; 固体电解质; [全文内容正在添加中] ......
立方Gd2O3∶Eu纳米晶及光谱性质 () [全文内容正在添加中] ......
Phase Constitution in Mixed Gd2O3 and B4C by Sintering at High Temperature Sun Shuchen1,HU Guangyong1,Xu Jingyu1,Bian Xue1,Wu Wenyuan1,Tu Ganfeng1 (1.School of Material and Metallurgy, Northeastern University, Shenyang 110004, China) Abstract:The phase constitution in mixed Gd2O3 and B4C by sintering in graphite tube furnace at the temperature of 100~1489 ℃ in argon atmosphere was studied......
(Sm2O3)0.04(Gd2O3)0.06掺杂CeO2纳米粉体的制备与表征 赵文广1,赵永旺1,安胜利1,宋希文1,王哲峰1 (1.内蒙古科技大学,内蒙古,包头,014010;2.北京科技大学,北京,100083) 摘要:以Sm2O3,Gd2O3与Ce2(CO3)3·nH2O为原料,采用改进的沉淀法制备了二元稀土(Sm2O3)0.04 (Gd2O3)0.06掺杂CeO2纳米粉体.测定了...XRD分析可知,经750℃焙烧的二元稀土掺杂CeO2粉末为立方萤石结构,说明Sm2O3与Gd2O3已完全固溶到CeO2中,形成了CeO2基固溶体.由TEM照片可以看出,粉末具有良好的分散性,呈软团聚状态,粒径在5nm~10nm之间.经BET测试计算的平均颗粒尺寸为11nm,与TEM结果是一致的. 关键词:氧化钐; 氧化钆; 氧化铈; 纳米陶瓷粉体; Sol-Gel法; [全文内容正在添加中] ......
X射线荧光光谱法测定Dy2O3及其杂质Eu2O3,Gd2O3,Tb4O7,Ho2O3,Er2O3和Y2O3 () [全文内容正在添加中] ......
溶胶-凝胶法制备二元稀土掺杂(Sm2O3)0.04 (Gd2O3)0.06 Ce0.8O2-δ纳米粉体 赵文广1,赵永旺1,安胜利2,宋希文2,王哲峰1 (1.内蒙古科技大学内蒙古,包头,014010;2.北京科技大学,北京,100083) 摘要:以Sm2O3,Gd2O3与Ce2(CO3)3.nH2O为原料,采用Sol-Gel法制备了二元稀土掺杂(Sm2O3)0.04(Gd2O3...粉体的热分解温度约为232℃.由粉末XRD分析可知,经750℃焙烧的二元稀土掺杂CeO2粉末为立方萤石结构,说明Sm2O3与Gd2O3已完全固溶到CeO2中形成了CeO2基固溶体.由TEM照片可以看出,粉末具有良好的分散性,呈软团聚状态,粒径在5-10nm之间.经BET测试计算的平均颗粒尺寸为11nm,与TEM结果是一致的. 关键词:氧化钐; 氧化钆; 氧化铈; 纳米陶瓷粉体; Sol-Gel法......