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• 氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术

  来源： 《中国有色金属学报2004年第z1期》——罗毅 邵嘉平 郭文平 韩彦军 胡卉 薛松 孙长征 郝智彪

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• InN和GaN系衬底材料的研究和发展

  来源： 《中国有色金属学报2004年第z1期》——徐军 周圣明 杨卫桥 夏长泰 彭观良 蒋成勇 周国清 邓佩珍

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• GaN薄膜的研究进展

  来源： 《功能材料2004年第5期》——刘晓梅 刘建强 马瑾 马洪磊 杨莺歌

  GaN薄膜的研究进展 刘晓梅1,刘建强2,马瑾2,马洪磊2,杨莺歌2 (1.山东大学,计算机科学与技术学院,山东,济南,250100;2.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100) 摘要:由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件,探测器以及高速场效应晶体管,高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜的制备,衬底选择,掺杂,缓冲层,发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题. 关键词:GaN薄膜; 研究进展; 发光机制; [全文内容正在添加中] ......

• GaN薄膜制备技术的研究进展

  来源： 《材料导报2010年第S1期》——赵丹 梁建 赵君芙 马淑芳 张华 许并社

  GaN薄膜制备技术的研究进展赵丹1,2,梁建1,2,赵君芙1,2,马淑芳1,2,张华1,2,许并社1,21. 太原理工大学新材料界面科学与工程省部共建教育部重点实验室2. 太原理工大学材料科学与工程学院摘 要:综述了近年来国内外GaN薄膜制备技术的研究进展,并重点介绍了其发展历程,所使用的设备和技术,各自的优缺点及应用前景.通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN薄膜技术的发展前景.关键词:GaN薄膜;制备技术;研究进展;......

• High pressure luminescence studies of europium doped GaN

  来源： 《JOURNAL OF RARE EARTHS2009年第4期》——M.Spencer W.Jadwisie T.Thomas K.Wisniewski

  High pressure luminescence studies of europium doped GaN M.Spencer1,W.Jadwisie2,T.Thomas1,K.Wisniewski3 (1.Second of Electrical and Computer Engineering,Cornell University,Ithaca NY,14853,USA;2.n)czak(n;3.Institute of of Experimental Physics,Gdahsk University,ul.Wita Stwosza 57,Gdansk,80-952,Poland) Abstract:We reported on the high pressure luminescence spectra of polycrystalline Eu-doped GaN......

• Influence of crystal structure and formation energies of impurities (Mg，Zn and Ca) in zinc blende GaN

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2006年第z1期》——熊志华 江风益 万齐欣 饶建平

  Influence of crystal structure and formation energies of impurities (Mg,Zn and Ca) in zinc blende GaN XIONG Zhi-hua(熊志华), JIANG Feng-yi(江风益), WAN Qi-xin(万齐欣), RAO Jian-ping(饶建平) Research Center... on neutral metal impurities (Mg, Zn and Ca) in zinc blende GaN were studied. Formation energies were calculated for substitution on the gallium site, the nitrogen site and incorporation in the octahedral......

• 高温氨化Ga2O3形成GaN粉末

  来源： 《稀有金属材料与工程2004年第8期》——魏芹芹 薛成山 曹文田 孙振翠

  高温氨化Ga2O3形成GaN粉末 魏芹芹1,薛成山1,曹文田1,孙振翠1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末.用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),选择区电子衍射(SAED)对粉末进行结构,形貌分析.结果表明:当Ga源温度为850℃时得到六方纤锌矿结构的GaN晶体颗粒. 关键词:氨化; GaN晶粒; Ga源温度; [全文内容正在添加中] ......

• 类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征

  来源： 《材料导报2017年第22期》——赵晨 贾伟 樊腾 仝广运 李天保 翟光美 马淑芳 许并社

  类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征赵晨1,2,贾伟1,2,樊腾1,2,仝广运1,2,李天保1,2,翟光美1,2,马淑芳1,2,许并社1,21. 太原理工大学新材料工程技术研究中心2. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室摘 要:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度,生长时间,反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响.研究结果表明,在生长温度为1 075℃时,所生长的GaN呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×103cm-2降低至0.8×103cm-2;压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决......

• 氨化合成一维GaN纳米线

  来源： 《稀有金属材料与工程2004年第6期》——薛成山 王翠梅 王显明 杨利

  氨化合成一维GaN纳米线 薛成山1,王翠梅1,王显明1,杨利1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm~90 nm,长可达50 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长.用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高. 关键词:氨化; Ga2O3薄膜; GaN纳米线; 射频磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......

• 扩镓Si基GaN微米带的制备和特性

  来源： 《稀有金属材料与工程2005年第7期》——庄惠照 魏芹芹 曹文田 薛成山 孙振翠

  扩镓Si基GaN微米带的制备和特性 庄惠照1,魏芹芹1,曹文田1,薛成山1,孙振翠1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),选区电子衍射(SAED),X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构,表面形貌,组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100 nm~300 nm微米带随机分布在GaN薄膜表面.XRD,XPS及SAED分析表明GaN微米带呈六方闪锌矿多晶结构,择优沿[001]方向生长.P1显示了可能由量子限制效应引起的发光峰,其相对于报道的GaN晶体发光峰有显著蓝移. 关键词:Ga2O3薄膜; GaN微米带; 射频磁控溅射; Ga2O3 films; GaN micro-ribbons......