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扩镓Si基GaN微米带的制备和特性 庄惠照1,魏芹芹1,曹文田1,薛成山1,孙振翠1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),选区电子衍射(SAED),X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构,表面形貌,组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100 nm~300 nm微米带随机分布在GaN薄膜表面.XRD,XPS及SAED分析表明GaN微米带呈六方闪锌矿多晶结构,择优沿[001]方向生长.P1显示了可能由量子限制效应引起的发光峰,其相对于报道的GaN晶体发光峰有显著蓝移. 关键词:Ga2O3薄膜; GaN微米带; 射频磁控溅射; Ga2O3 films; GaN micro-ribbons......
ZnO/Ga2O3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响 董志华1,庄惠照1,薛成山1,高海永1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD),红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响. 关键词:氨化; ZnO/Ga2O3薄膜; 挥发; 射频磁控溅射; Ammoniate; ZnO/Ga2O3 films; volatilization; r.f. magnetron......
退火温度对透明导电Ga2O3/ITO周期多层膜性能的影响赵银女鲁东大学教务处摘 要:用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2O3/ITO周期多层膜.样品在300800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020cm-3和14.02cm2 V-1s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83%,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.关键词:磁......