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文章编号: 1004-0609(2004)12-2055-05 B掺杂CoSi的微观组织和单晶热电性能 周 扬, 李成川, 任维丽, 张澜庭, 吴建生 (上海交通大学 材料科学与工程学院 教育部高温材料及测试开放实验室, 上海 200030) 摘 要: 研究了掺杂B后CoSi化合物的微观组织及单晶的热电性能. 结果表明: B在CoSi中的最大固溶度为0.4%(摩尔分数), CoSi化合物的晶格常数随着B含量的增加线性减小, 当B含量达到其最大固溶度时晶格常数不再变化; 电弧熔炼制备的CoSi1-xBx材料具有很多空洞和裂纹, 单晶试样大大减少了组织上的缺陷; 掺杂B后CoSi0.995B0.005单晶仍为N型传导, Seebeck系数的绝对值增加, 电阻率下降, 热导率升高; 掺杂B后热电优值(ZT)增加. 关键词: B; 固溶......
Al置换Si对CoSi电子结构及传输性能的影响 李成川, 潘志军, 张澜庭, 任维丽, 吴建生 (上海交通大学 材料科学与工程学院 教育部高温材料及测试开放实验室, 上海 200030) 摘 要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法计算CoSi的电子结构及Si侧Al置换掺杂的CoSi0.875Al0.125的电子结构并分析两者的电子结构特征. 结果表明: CoSi为典型的半金属化合物, 在费米面处价带和导带存在部分重叠且在费米面处电子能态密度值比较低, 因此其导电性能相对金属的导电性能稍微差一些; 在理论计算的基础上, 选择制备CoSi和CoSi0.88Al0.12两种单晶并测试了两种单晶在300~1000K之间的塞贝克系数, 电阻率及300~480K之间的热导率. 随着温度的升高, CoSi的塞贝克系数变化不大, 而CoSi0.88-Al0.12的......
热电材料CoSi和CrSi2的晶格热膨胀性何维1,2,郭世平1,2,王晓华1,2,曾令民1,21. 广西大学教育部有色金属材料及其加工新技术重点实验室2. 广西大学材料科学与工程学院摘 要:利用动态高温X射线衍射技术分别对立方CoSi和六方CrSi2化合物在298973 K温度范围内的晶格热膨胀性进行了研究.结果表明:化合物CoSi的点阵参数随温度升高呈线性增长关系,其平均线热膨胀系数aα和平均体热膨胀系数αV分别为1.14×10-5K-1和3.42×10-5K-1,两者之间符合立方晶系关系式,即3αa=αV;化合物CrSi2的点阵参数随温度升高而显著增大,其中沿a轴和c轴的平均线热膨胀系数及平均体热膨胀系数分别为αa=0.96×10-5K-1,cα=0.73×10-6K-1和αV=2.45......
200240, China摘 要:The liquid-solid transitions of (Co2Si+CoSi) and (CoSi+CoSi2) eutectic alloys were realized in drop tube and the rapid eutectic growth... microstructures experience the transitions of ’lamellar-anomalous-divorced’ eutectic with undercooling. In undercooled state, the growth of CoSi intermetallic compound always lags behind others......
Pd-Co-Ni-V钎料钎焊SiC陶瓷的接头组织及性能 程耀永1,郭万林1,毛唯1,李晓红1,熊华平1,陈波1 (1.北京航空材料研究院,北京,100095) 摘要:采用座滴法研究了PdCo合金及PdCo-V合金对SiC陶瓷的润湿性.设计的PdCo-(4~20)V-(2~4)Ni-Si-B钎料可用于SiC的连接,在1463 K,1493 K两个温度,保温时间均为10 min的连接条件下得到的接头室温三点弯曲强度分别为52.0 MPa和56.8 MPa.微观分析表明,接头中在紧靠SiC的界面交叉分布着Pd2Si相与CoSi (或Co2Si) +石墨的混合相,而元素V只在接头的中央富集,形成了弥散分布的V2C相. 关键词:陶瓷; 界面反应; 钎焊; 弯曲强度; [全文内容正在添加中] ......
溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析 姜传海1,吴建生1,徐昌学2,李伟1 (1.上海交通大学材料科学与工程学院,高温材料及高温测试教育部重点实验室,上海,200030;2.中国石油天然气管道科学研究院,廊坊,065000) 摘要:利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜,对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析.结果显示,溅射态薄膜为非晶态,而自由能-成分曲线说明非晶态合金有较低自由能.在非晶晶化过程中初生相为CoSi相,其形成由有效形成热(EHF)因素和结构因素决定.随加热温度升高,非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜. 关键词:非晶钴硅薄膜; X射线分析; 自由能曲线; [全文内容正在添加中] ......
氧含量对Co-SiC纤维结构与性能的影响刘玲,陈剑铭,丁绍楠,李风萍,姚艳波,刘安华厦门大学材料学院特种先进材料实验室,高性能陶瓷纤维教育部重点实验室摘 要:系统研究了含钴聚碳硅烷交联丝的氧含量对所成含钴碳化硅(Co-SiC)纤维结构与性能的影响.研究结果显示,较之交联丝Co-PCS-air,Co-PCS-O2的氧含量较高,陶瓷产率较高,所成纤维的SiCxOy相含量较高,β-SiC和CoSi晶粒的增长速度较快,晶粒的尺寸较大,达到最大力学性能的烧结温度较低,电阻率也较低.该纤维电阻率在100103Ω·cm之间可调,且具有一定的磁性,有望用作吸波纤维.关键词:聚碳硅烷;氧含量;含钴SiC纤维;电磁性能;......
SiC/Co-Cr体系的润湿性研究 张巧莉1,唐华1,李树杰1,陈志军2 (1.北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083;2.陕西华兴航空机轮刹车系统有限责任公司,第46研究所,兴平,713106) 摘要:采用座滴法研究了反应烧结SiC/Co-Cr体系的润湿性.与反应烧结SiC/纯Co体系进行对比,研究了Cr含量,实验温度和保温时间对润湿角的影响及活性元素的作用.结果表明,加入适量的活性元素Cr能够显著提高体系的润湿性.当体系的Cr含量分别为5%,7%和42%时,体系的润湿角较小,润湿性比较好.SiC/Co-Cr体系和SiC/纯Co体系的润湿过程均属于反应性润湿,实验温度和保温时间对体系的润湿角影响较大.微观结构研究和XRD分析表明,对于SiC/纯Co体系,界面区域发生了化学反应,生成了CoSi,减小了润湿角.加入活性元素Cr以后,由于Cr元素与基体发生反应,生成......
反应,反应产物为CoSi和碳,同时发生元素的互扩散,形成反应中间层;对于SiC/Co-60Si体系,界面反应产物只有CoSi2,界面区域没有存留碳.界面反应改变体系的界面结构,从而改善体系的润湿性.关键词:润湿性;界面反应;SiC/Co-Si体系;......
. The ThMn12-type structure is obtained for all samples as the majority phase with a minority a-Fe(CoSi) phase(less than 5 wt%) as it was estimated by XRD for x = 1 and 2. The Curie temperature......