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CVD SiC涂层的C/SiC复合材料的弯曲性能 闫志巧,熊 翔,肖 鹏,姜四洲,谢建伟,黄伯云 (中南大学 粉末冶金国家重点实验室,湖南 长沙 410083) 摘 要:以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料,在材料表面制备CVD SiC涂层,研究涂层试样氧化前,后的微观结构和室温弯曲性能.研究结果表明:CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体...断裂,纤维束边缘区域炭的适度氧化弱化了纤维/热解炭界面,使氧化试样表现出明显的假塑性；经1 000 ℃氧化的涂层试样,由于纤维束的严重氧化,表现为脆性断裂特征. 关键词:C/SiC复合材料；CVD SiC；弯曲性能；氧化；界面 中图分类号:TB332 文献标识码:A ......
CVD SiC先驱体的研究进展 李斌1,胡海峰1,张长瑞1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073) 摘要:从CVD法制备SiC的传统先驱体的缺陷和不足出发,较详细地介绍了目前常用的先驱体体系及先驱体的发展趋势,并归纳新型先驱体应具备的特点. 关键词:SiC CVD 先驱体; [全文内容正在添加中] ......
SiC纤维CVD涂层工艺研究 颜鸣皋1,李占一1,蔡杉1,董妍1 (1.北京航空材料研究院,先进复合材料国防科技重点实验室,北京,100095) 摘要:对SiC纤维的CVD涂层工艺进行研究.实验发现采用BCl3,H2及CH4作为反应气体,采用与SiC纤维生产工艺相匹配的走丝速度并控制一定的工艺参数,在1350℃左右可得到厚度2~3mm且表面致密的B4C涂层,纤维涂层后性能基本保持不变.仅采用BCl3及CH4作为CVD涂层工艺反应气体,在1180~1250℃即可沉积出表面光滑致密,厚度2~3mm的富碳B4C涂层,涂层后纤维性能可提高10%左右,且涂层与纤维结合强度很高,优于B4C涂层与SiC纤维的结合强度.实验还发现SiC纤维涂覆B4C及富碳B4C涂层后,能有效阻隔界面反应,可大幅提高SiC/Ti基复合材料的性能. 关键词:SiC纤维; B4C涂层; 富碳B4C涂层; CVD工艺......
SiC纤维直流电阻加热CVD工艺研究 颜鸣皋1,李占一1,蔡杉1,董妍1 (1.北京航空材料研究院,先进复合材料国防科技重点实验室,北京100095) 摘要:对SiC纤维的直流电阻加热CVD工艺进行了研究,实验采用将两种硅烷的比例混合液体通过液体流量计计量供液并即时完全汽化后与氢气混合输入到反应管并在水冷水银封入气口通入顶吹氢的供气方案,从而简化了工艺并解决了反应气体冷凝问题.在CVD工艺研究中发现影响纤维沉积质量的因素主要有沉积温度,反应气体组分及流量,走丝速度等工艺参数,此外还发现直流电阻加热CVD工艺中,反应管前后存在约200℃的温差,采用双沉积室工艺可减缓温差.在一定的沉积参数下,可沉积出直径60~100μm,抗拉强度3100~4080MPa的SiC纤维. 关键词:直流电阻加热; SiC纤维; CVD工艺; [全文内容正在添加中] ......
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CVD法制备SiC先进陶瓷材料研究进展 刘荣军1,周新贵1,曹英斌1,张长瑞1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073) 摘要:SiC陶瓷材料具有许多优异的性能如高比强度,高比模量,低密度,高硬度,高导热系数,低的热膨胀系数,耐腐蚀,抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件.CVD 工艺灵活,制备的SiC陶瓷具有很高纯度和致密度,因而是制备先进SiC陶瓷的最有希望的工艺之一.对CVD法制备SiC涂层和SiC基复合材料的研究及应用进行了综述. 关键词:CVD; SiC先进陶瓷; 进展; [全文内容正在添加中] ......
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了抗烧蚀C/SiC复合材料.周渭良等[30]利用CVD与熔融渗硅法制备了Cf/SiC复合材料,其密度为2.64 g/cm3,弯曲强度为143.7 MPa. 综上可见,CVI和PIP适合制备含纤维相的SiC复合材料.粉末冶金普适性较强,主要用于制备颗粒弥散增强的复合材料.RMI需要熔体浸入基体中,适合制备金属/SiC复合材料. 3 增强增韧 增强增韧的方法一般分为2类:一是外来引入增韧相...DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2020.11.025 SiC复合材料的研究进展与展望 邹芹1, 2,周鑫1,李艳国1,王明智1 (1. 燕山大学 亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北 秦皇岛,066004； 2. 燕山大学 机械工程学院,河北 秦皇岛,066004) 摘要:基于SiC复合材料具有硬度高,化学性质稳定,热膨胀系数小等一系列优良特性,在能源,军......
CVD SiC致密表面涂层制备及表征 刘荣军1,周新贵1,曹英斌1,张长瑞1,刘晓阳1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073) 摘要:考察了沉积温度,稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量 关键词:化学气相沉积; SiC涂层; 制备工艺; 性能表征; [全文内容正在添加中] ......
电化学处理后CVD法SiC纤维阻抗特性及电阻率测量 石南林1,史志明1,罗鲲1,段亚丁1,祖亚培1 (1.中国科学院金属研究所) 摘要:采用交流阻抗法在50Hz~50000Hz范围内测量了电化学处理前后的CVD法SiC纤维样品,确定其具有电阻阻抗特征.通过模拟电路分析推导出计算纤维平均体电阻率及表面层电阻率的方法,并计算出SiC纤维表面氧化层的电阻率为5×104Ω·m左右.讨论了电阻率的影响因素. 关键词:CVD; SiC纤维; 电阻抗特性; 电阻率; [全文内容正在添加中] ......
