共搜索到159条信息，每页显示10条信息，共16页。用时：0小时0分0秒472毫秒
一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放 潘学文,周继承,郑旭强 (中南大学 物理科学与技术学院,湖南 长沙,410083) 摘 要:为解决阈值电压对电源电压和输入信号的受限问题,提出一种实用的电平位移电路,为运放的输入级提供良好的电平位移.采用互补金属氧化物半导体(CMOS) 0.5 μm工艺设计的低电压全摆幅CMOS 运算放大器,中间级采用适合低电压工作的低压宽摆幅共...能,适合于低电压应用. 关键词:CMOS运放；全摆幅；仿真；电平位移技术 中图分类号:TN 402 文献标志码:A 文章编号:1672-7207(2010)04-1473-05......
新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析 吴笑峰1, 2,刘红侠1,石立春1,李 迪1,胡仕刚1 (1. 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安,710071； 2. 湖南科技大学 信息与电气工程学院,湖南 湘潭,411201) 摘 要:为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18 μm工艺,提出1种由参考电压产生电路,预放大器,锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器.该比较器中输出采样器由传输门和2个反相器组成,可在较大程度上减少该比较器的功耗.电路采用标准UMC 0.18 μm工艺进行HSPICE模拟.研究结果表明:该比较器在1.8 V电源电压下,分辨率为8位,在40 MHz的工作频率下,功耗仅为......
具有加长LDD结构的高压CMOS器件 杜寰1,韩郑生1,王晓慧1 (1.中国科学院微电子研究所,北京,100029) 摘要:基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件.器件的击穿电压可以达到30V以上.加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的.LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件击穿影响很大.对于不同的工作电压(10-20 V),实验给出了相应的LDD区域长度和该区域的注入剂量.只需要在标准工艺的基础上增加三层掩模版和相应的工艺步骤就能实现低高压工艺的兼容.而且对称结构和非对称结构(具有更大的驱动电流)器件都能实现.与LDMOS或DDDMOS工艺相比,节省了成本,而且所设计的高压器件尺寸较小,有利于集成. 关键词:高压CMOS器件; 加长LDD结构; 击穿电压; high voltage......
MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响唐东峰1, 2,张平1,龙志林1,胡仕刚2,吴笑峰2(1. 湘潭大学 土木工程与力学学院,湖南 湘潭,411105；2. 湖南科技大学 信息与电气工程学院,湖南 湘潭,411201)摘 要:随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行研究,并通过对二输入或非门静态栅泄漏电流的研究,揭示直接隧穿栅电流对CMOS(complementary metal oxide semiconductor)逻辑电路的影响.仿真工具为HSPICE软件,MOS器件模型参数采用的是BSIM4和LEVEL 54,栅氧化层厚度为......
对于被更改的CMOS进行恢复处理的方法赵晓侠,杨洪洲昆明理工大学计算机系摘 要:ＣＭＯＳ参数用来设置计算机系统的日期,时间和硬件配置参数,如设置不当系统无法进入正常工作．本文在实践的基础上总结出两种清除不正确的ＣＭＯＳ参数的方法．关键词:CMOS参数;跳线;短路;......
利用CMOS芯片设计的多功能闪光报警器张遂泉,刘季忠新余钢铁有限责任公司摘 要:指出用ＣＭＯＳ芯片设计的闪光报警器特点,简述报警器各部分电路组成及原理,阐述了本报警器在各种不同状态下电路的工作原理和状况关键词:CMOS芯片;闪光报警器;触发器;延时自动消音;......
一种十字形CMOS霍尔器件的精确仿真模型徐跃1,黄海云21. 南京邮电大学电子科学与工程学院2. 杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所摘 要:本文针对十字形CMOS霍尔器件提出了一种精确的行为性仿真模型.该模型由一个90.旋转对称的无源网络构成,包含4个电流控制的霍尔电压源,12个非线性电阻和8个寄生电容.该行为性模型完全考虑了霍尔器件的各种重要物理效应以及寄生电容和接触电阻的影响,使用Verilog_A语言进行描述,非常适合在Cadence Spectre环境下进行霍尔器件和电路全集成的仿真.使用AMS 0.8μm CMOS工艺参数对该模型做了电路仿真,仿真结果与实验结果达到了很好的一致性,显示出该模型具有极高的仿真精度同时又无需复杂的计算量.关键词:十字形CMOS霍尔器件;行为性......
J. Cent. South Univ. Technol. (2011) 18: 1572-1578 DOI: 10.1007/s11771-011-0874-4 1.0 V low voltage CMOS mixer based on voltage control load technique WEI Bao-lin(韦保林)1, DAI Yu-jie(戴宇杰)2, ZHANG..., Tianjin 300457, China ? Central South University Press and Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2011 Abstract: A CMOS active mixer based on voltage control load technique which can operate at 1.0 V......
基于CMOS反相器的VGA信号多路分配电路设计徐煜明1,韩雁1,徐斐21. 常州工学院计算机信息工程学院2. 河海大学计算机与信息工程学院摘 要:针对VGA分配器因电路复杂,基色信号放大不平衡,信号波反射等引起的图像偏色,拖尾,重影等缺陷,在分析了CMOS反相器的电压传输特性曲线的基础上,设计了一种VGA信号多路分配电路.该电路采用CMOS反相器作为模拟小信号放大电路,由74HCU04AP集成电路构成R,G,B三基色放大电路通道,由射极跟随电路驱动信号输出,能提供4路以上独立的75Ω负载输出,实现一路VGA信号输入,多路VGA信号输出的功能.实际应用表明,该电路结构简单,成本低廉,可靠性高.关键词:CMOS反相器;VGA信号;多路分配电路;放大电路;三基色信号;......
采用180nm CMOS工艺的USB2.0端点控制器 马忠权1,潘利坤2,詹琰1,赵占霞1,李拥华1,王德明1 (1.上海大学物理系,上海,200444;2.华东师范大学物理系,上海,200062) 摘要:采用Verilog硬件描述语言设计了用于USB2.0设备控制中的端点控制器.端点数可由用户配置最多达16个.支持8位/16位USB接口,并支持8位/16位/32位AHB或8051接口以及32位的DMA接口.该端点控制器采用180nm CMOS工艺进行流片,所有功能均通过了测试. 关键词:USB2.0; 端点控制器; Verilog硬件描述语言; CMOS; USB2.0; endpoints controller; Verilog HDL; CMOS; [全文内容正在添加中] ......
