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• 移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2016年第5期》——吴文其 张继军 王林军 闵嘉华 温旭亮 梁小燕 黄建 唐可

    Trans. Nonferrous Met. Soc. China 26(2016) 1433-1438 Growth interface of CdMnTe crystal by traveling heater method Wen-qi WU, Ji-jun ZHANG, Lin-jun WANG, Jia-hua MIN, Xu-liang WEN, Xiao-yan...;                       Abstract: The growth interfaces of CdMnTe (CMT) crystals grown......

• ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2012年第z1期》——杜园园 介万奇 郑 昕 王 涛 白旭旭 于 晖

  Trans. Nonferrous Met. Soc. China 22(2012) s143-s147 Growth interface of In-doped CdMnTe from Te solution with vertical Bridgman method under ACRT technique DU Yuan-yuan1, JIE Wan-qi1, ZHENG Xin1... Abstract: CdMnTe (CMT) crystals were grown from Te solution with vertical Bridgman method under accelerated crucible rotation (ACRT) technique. Ingot in diameter of 30 mm and length of 60 mm......

• Au电极与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究

  来源： 《功能材料2016年第8期》——沈敏 张继军 王林军 闵嘉华 汪琳 梁小燕

  Au电极与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究沈敏,张继军,王林军,闵嘉华,汪琳,梁小燕上海大学材料科学与工程学院摘 要:采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率.实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响.结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光后Au/CdMnTe的接触电阻率分别为544.5和89.0Ω·cm2.通过AFM与XPS分析了晶体表面的形貌与成分,发现表面粗糙度和富Te成分对CdMnTe薄层电阻和载流子传输长度有较大的影响,决定了接触电阻率的大小.在150℃空气气氛退火1h后,经CP和CMP表面处理的样品,Au/CdMnTe接触电阻率均减小,分别为313.6和......