共搜索到8689条信息,每页显示10条信息,共869页。用时:0小时0分0秒373毫秒
with diameter up to 60 mm using bottom-seeded Bridgman method as well as Bridgman accelerated crucible rotation technique (ACRT-B) was investigated. Both ingots exhibit high yields, where single...; accelerated crucible rotation technique; Bridgman technique  ......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 22(2012) s143-s147 Growth interface of In-doped CdMnTe from Te solution with vertical Bridgman method under ACRT technique DU Yuan-yuan1, JIE Wan-qi1, ZHENG Xin1... Abstract: CdMnTe (CMT) crystals were grown from Te solution with vertical Bridgman method under accelerated crucible rotation (ACRT) technique. Ingot in diameter of 30 mm and length of 60 mm......
, and this transient banding process can occur over a wide range of compositions inside the two-phase peritectic region. Key words: directional solidification; segregation; Bridgman technique; Pb-Bi alloys... temperature gradient (G=35 K/mm) in an improved Bridgman furnace. The banding structures were observed in both hypoperitectic and hyperperitectic compositions (Pb-xBi, x=26%, 28%, 30% and 34%). Tree-like......
Growth of LaBr3:Ce3+ Single Crystal by Vertical Bridgman Process in Nonvacuum AtmosphereHongbing Chen1), Changyong Zhou1), Peizhi Yang2) and Jinhao Wang1) 1) State Key Laboratory Base of Novel Functional Materials & Preparation Science, Institute of Materials Science & Engineering, Ningbo University, Ningbo 315211, China 2) Key Laboratory of Advanced Technique & Preparation......
Growth and characterization of ZnTe single crystal via a novel Te flux vertical Bridgman methodMin Jin1,Wen-Hui Yang2,Xiang-Hu Wang1,Rong-Bin Li1,Ya-Dong Xu2,Jia-Yue Xu31. College of Materials... id="ChDivSummary" name="ChDivSummary">In this work,an Ⅱ-Ⅵ group semiconductor zinc telluride(ZnTe) single crystal is prepared by a novel vertical Bridgman method using Te as flux.The initial mole ratio......
在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体 姚枚1,叶水驰1,周士仁1,蓝慕杰1,鲍海飞1 (1.哈尔滨市,150001,哈尔滨工业大学) 摘要:在横向磁场中用Bridgman法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势,在头部有三种类型的分布.磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变.当安瓿绕生长轴匀速旋转时,晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征,也没有常规Bridgman法生长晶体的径向对称性.尾部呈现圆锥状的凸起,可能是旋转生长抑制胞状结构的证据. 关键词:HgCdTe; Bridgman法; 磁场; 组分; [全文内容正在添加中] ......
Bridgman法制备塑性钛基轻质非晶复合材料张建庭1,乔珺威1,张勇1(1.北京市北京科技大学新金属材料国家重点实验室)摘 要:通过Bridgman定向凝固法成功制备了内生枝晶增塑的轻质钛基非晶复合材料.与传统的Cu模吸铸法相比,Bridgman法有效消除了铸态组织中的孔洞,得到了更均匀的微观组织,且能通过调节抽拉速度来控制枝晶相的尺寸和分布,进而优化其力学性能.当抽拉速度为1.4 mm/s时,合金压缩屈服强度,断裂强度和断裂塑性分别达到1956 MPa,2706 MPa和18.0%,且有明显的加工硬化现象.进一步讨论了枝晶跨越长度L和枝晶间距S与力学性能的关系,发现L在约40μm时对材料的塑性贡献最大.关键词:大块非晶; 定向凝固; 钛基非晶复合材料; 力学性能......
垂直Bridgman法生长CaF2单晶传热过程的数值分析姚静1,2,周海2,卢一民2,万汉城21. 北京化工大学材料科学与工程学院2. 北京石油化工学院材料科学与工程学院摘 要:采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化;晶体生长速率与坩埚下降速率不一致;25 K/cm为合适的梯度区温度梯度;晶体内部辐射传热对单晶生长传热过程有重要影响.计算结果表明,3个时期的固相等温线的曲率小于液相的.根据数值模拟结果进行了晶体生长实验,生长出的晶体完整,透明,无宏观缺陷.关键词:CaF2;有限元法;垂直Bridgman法......
......
利用焓-多孔介质法对垂直Bridgman生长CdTe的数值模拟 刘夷平1,黄为民2,王经1 (1.上海交通大学机械与动力工程学院工程热物理研究所,上海,200030;2.上海理工大学动力工程学院,上海,200093) 摘要:利用数值模拟研究了碲化镉在垂直Bridgman炉中生长时的固-液界面的形状.采用焓-多孔介质法,在固定网格上对碲化镉的固液两相用统一的控制方程进行了整场求解,用一特征参数确定界面的位置和形状.结果表明,当晶体的生长速率较低时,界面的形状与物质在固态和液态两相下的热扩散率有关.如果两种热扩散率的数值相近,界面的形状是平坦的.液态区自然对流是界面形状的影响因素之一,而积聚在固态区的结晶潜热是形成弯曲固-液界面的主要原因. 关键词:材料科学基础学科; 数值模拟; 焓-多孔介质; 垂直Bridgman法; CdTe; [全文内容正在添加中] ......