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三维栅格在矿体中的研究与应用李明,王山东安徽工业大学计算机学院摘 要:结合和尚桥铁矿实际,对应用三维栅格数据结构研究矿床的三维建模和储量计算中涉及的若干技术和方法进行了评述.然后对应用三维栅格的结果与实际生产进行比较,表明了三维栅格在以上两个方面应用的准确性,得出了应用三维数据结构时一些有意义的结论和建议.关键词:GIS;储量计算;栅格;......
MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响 赵福川1,夏冠群1,詹琰1,朱朝嵩1,李传海1 (1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050) 摘要:研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比. 关键词:砷化镓; MESFET; 旁栅效应; 旁栅阈值电压; [全文内容正在添加中] ......
一种振动翼栅的综合设计王奉晨,高宏力,周杰,刘帅西南交通大学机械工程学院摘 要:根据某风洞实验室的要求设计了一种振动翼栅,运用SolidWorks软件建立了振动翼栅的三维模型.采用拉格朗日法建立了振动翼栅的动力学方程,得到电机力矩的函数方程.基于ADAMS虚拟样机对机构进行动力学仿真.并用MATLAB软件对动力学模型进行分析得到力矩的函数曲线,其与仿真得到的结果一致,说明了动力学模型的正确性和机械结构设计的合理性.基于MATLAB软件分析得出电机输出最大力矩的条件,计算出最大力矩,选择电机参数,完成控制系统设计.完成样机实验,机器运行良好.关键词:振动翼栅;动力学方程;ADAMS;MATLAB;......
GIS中栅格数据存储管理的研究与实现张剑波,刘丹,吴信才摘 要:围绕G IS中栅格数据存储管理的方法进行了分析与探讨;在对国内外栅格数据存储方案进行研究的基础之上,对栅格数据的物理存储方式进行了深入的研究,并分别针对本地文件方式和商用数据库方式提出了各自有效的存储实现方案,为海量栅格数据的存储管理提供了一条新的解决思路.关键词:栅格数据库;栅格数据目录;栅格数据集;存储;管理;......
基于AutoCAD2000栅格地形图编辑系统的开发 徐昌荣1,郭平波1 (1.南方冶金学院国土系,) 摘要:在AutoCAD2000平台上,采用ObjectARX开发工具,实现栅格图形数据的访问,栅格坐标与绘图坐标的转换并对矢量图形向栅格图形的转换等问题进行了讨论.介绍了栅格地形图基本编辑功能的编程方法. 关键词:栅格地形图; 栅格图形编辑; AutoCAD2000; ObjectARX; [全文内容正在添加中] ......
复合材料格栅结构稳定性与优化分析陈书华1,刘勇琼2,刘建超21. 第二炮兵工程大学2. 西安航天复合材料研究所摘 要:阐述了复合材料格栅结构稳定性及优化分析方法研究概况.指出在格栅结构初级设计阶段可利用拟膜分析法对等效的格栅平板,圆筒及锥筒进行整体屈曲计算即可,而对于复杂构型格栅结构,由于不对称性及拉-压-扭耦合效应存在很难获得解析解,需借助有限法对结构进行非线性求解而求得其真实力学响应,同时还介绍了其他算法,如遗传算法.最后介绍了复合材料格栅结构破坏机理的一些试验方法.关键词:复合材料格栅结构;稳定性;优化;......
高介电栅介质材料研究进展 赵红生1,常爱民1,姚金城1,张东炎1,武德起1 (1.中国科学院,新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;2.中国科学院北京半导体所,北京100038;3.中国科学院,研究生院,北京,100049) 摘要:传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度,低介电界面层,介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展. 关键词:高介电栅介质; 晶化温度; 低介电界面层; 金属栅电极; [全文内容正在添加中] ......
CMOS器件用金属栅材料的研究进展 符春林1,邓小玲1,程文德1,蔡苇1 (1.重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆,401331;2.重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044) 摘要:传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题. 关键词:金属栅; 综述; 多晶硅; 性能; [全文内容正在添加中] ......
抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs 韩郑生1,钱鹤1,海潮和1,赵洪辰1 (1.中国科学院微电子研究所,北京,100029;2.中国科学院研究生院,北京,100039) 摘要:在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边 缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化. 关键词:SOI; 总剂量辐照; 氮化H2-O2合成栅介质; H型栅; [全文内容正在添加中] ......
复合材料格栅结构研究进展与应用王世勋,石玉红,张希,季宝锋,李雄魁北京宇航系统工程研究所摘 要:介绍了格栅复合材料的结构特征及其制备工艺.同时,对复合材料格栅结构分析设计,性能测试和该结构在航空,航天工程中的应用现状进行了概述.关键词:复合材料;格栅结构;制备工艺;分析设计;性能测试;......
