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俄歇电子谱术 张强基1 (1.复旦大学材料科学系,上海,200433) 摘要:介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题.内容包括:俄歇电子发射,表面灵敏性,俄歇电子谱的测量,定性和定量分析,深度剖析等.最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展,功函数测量,材料结构性能测量和电子态密度测量. 关键词:俄歇现象; 俄歇电子谱术; 表面分析; [全文内容正在添加中] ......
云南大红山歇牛场铜矿地质特征及成因董江涛,李建飞中国有色金属工业昆明勘察设计研究院有限公司摘 要:歇牛场铜矿位于大红山铜铁矿区的东南部,矿体赋存于早元古界大红山群红山组第三段强风化的变钠质熔岩,云母片岩和弱风化的白云石大理岩中,呈似层状,透镜状产出,矿石以孔雀石,蓝铜矿等氧化矿为主.矿石风化越强烈,氧化程度越高,矿化程度也较高,矿区内含黄铜矿的白云石大理岩为矿床的形成奠定了物质基础,初步分析认为矿床成因类型为风化残积矿床.关键词:地质特征;风化;矿床成因;歇牛场铜矿;......
俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用肖红,李芳芳,陆雷,曾荣光,吕学超,钟永强中国工程物理研究院材料研究所摘 要:将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验.将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减小,俄歇定量分析的精确度有很大提高.关键词:俄歇电子能谱;定量分析;氧化铜;基体效应修正;背散射因子;非弹性平均自由程;......
高性能陶瓷材料的俄歇能谱分析 金德玲1,虞玲1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室, 上海 200050) 摘要:降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该?类材料必须解决的首要问题. 通过实验认为:陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷.采用这种方法,样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺?寸. 因而,用Microlab 310--F热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内,获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息,突破了陶瓷材料在低电压,低电流下约几十微米的分析范围. 在此基础上,挑选了掺Dy的-Sialon ,掺Y,La的-Si3N4与以Al2O3为基体加入SiC晶须, 并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象,分析和研究它们的晶粒,界面的成份,化学态和结构.?发现-Si3N4和-Sialon陶瓷中的Si(LVV, KLL......
文章编号:1004-0609(2012)10-2797-08 FGH96合金粉末的俄歇分析及预热处理 刘建涛,张义文 (钢铁研究总院 高温材料研究所,北京 100081) 摘 要:针对等离子旋转电极工艺制备的FGH96合金粉末,采用俄歇电子能谱对合金粉末的颗粒表面进行成分分析,并利用透射电镜对预热处理后粉末中的碳化物演变进行研究.结果表明:FGH96合金粉末的颗粒表面明显存在O,C和Ti元素的偏聚,原始合金粉末的颗粒表面由O和C 原子吸附层和富含Ti元素的碳-氧化物层组成;经过预热处理,颗粒中形成于快速凝固过程中的MC′亚稳碳化物转变成稳定的MC碳化物,并析出M23C6碳化物,明显改善了颗粒内碳化物的稳定性和分布状态. 关键词:FGH96合金粉末;俄歇分析;预热处理;碳化物 中图分类号:TF125.212  ......
俄歇电子能谱在矿物浮选理论研究中的应用朱一民湖南有色金属研究所摘 要:本文简述了俄歇电子能谱的基本原理,并用实例说明了它在矿物浮选理论研究中的应用.关键词:俄歇电子能谱;矿物浮选;......
上房沟钼矿辉钼矿俄歇能谱分析王守敬,卫敏,赵平,卞孝东,马驰中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所国家非金属矿资源综合利用工程技术研究中心摘 要:通过扫描电镜分析和俄歇能谱分析对上房沟钼矿原矿,浮选精矿和浮选尾矿以及三道庄钼矿(易选矿)中辉钼矿进行了表面元素组成和微形貌研究.结果显示上房沟钼矿中辉钼矿表面呈陡峭阶梯状,且氧化强烈,而三道庄钼矿中辉钼矿表面平整,氧化较弱.综合分析认为上房沟钼矿中辉钼矿陡峭阶梯状表面会增加其表面极性面的比重;表面氧化会增加辉钼矿表面非极性面的表面能,改变其表面疏水性.两者都会降低辉钼矿的可浮性.因此上房沟钼矿中辉钼矿表面氧化程度高,表面不平整是影响其浮选效果的主要因素之一.关键词:上房沟钼矿;辉钼矿;表面元素组成和微形貌;俄歇能谱分析;扫描电镜分析;......
尺寸效应对MoS2/WSe2范德华异质结构层间与俄歇复合的界面调控谭仕林,尹顺达,欧阳钢湖南师范大学物理与电子科学学院低维量子结构与调控教育部重点实验室摘 要:为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇和层间复合率与各结构组元尺寸之间的理论模型.结果表明, MoS2/WSe2异质结的俄歇复合寿命随着组元尺寸的增大而增加,且异质结的俄歇复合率远小于相应的单组元体系.在MoS2/WSe2双层异质结中引入薄h-BN插层后,体系的层间复合率和俄歇复合率随h-BN厚度的增加而分别呈现减小和增大的趋势;在组元处于单层MoS2和WSe2情况下,当界面插层h-BN厚度达到9.1nm时,俄歇复合率将趋于5.3ns–1.该研究结果为二维过渡金......
液相烧结钨合金快冷增韧的俄歇分析 季文源1,王改莲2,齐芸馨3,马诗熙4 (1.天津理工学院;2.北京科技大学;3.电子部第四十六所;4.天津硬质合金研究所) 摘要:用扫描俄歇探针(SAM)结合工艺试验研究了烧结态和经真空热处理的95W-Ni-Fe合金冷却速度对其性能的影响.结果表明,磷是引起该合金界面脆化的重要因素;快冷可以明显抑制磷的界面偏聚,有效提高该合金的延性和韧性. 关键词:钨合金; 磷; 界面偏聚; 扫描俄歇探针; [全文内容正在添加中] ......
空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察 蔚燕华1,李成基1,李韫言1 (1.中国科学院半导体研究所,北京,100083) 摘要:在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构. 关键词:砷化镓; 汽泡; 俄歇分析; 阴极荧光; [全文内容正在添加中] ......