共搜索到8条信息，每页显示10条信息，共1页。用时：0小时0分0秒463毫秒
同位素质谱和无机质谱分析孟宪厚核工业北京化工冶金研究院摘 要:本文与本刊1991年专栏评述衔接,评述了1991~1992年10月间我国同位素质谱和无机质谱分析的情况.包括同位素分析,同位素示踪,同位位素稀释,同位素质谱计研制,火花质谱,二次离子质谱,离子探针,等离子体质谱等.资料来源以国内为主,也收集了少量代表学科先进水平的外国文献.参考文献252篇.关键词:同位素分析;同位素示踪;同位素稀释;火花质谱;二次离子质谱;离子探针;等离子体质谱;激光等离子体质谱;......
具有尺寸和电荷选择性多功能分子吸附能力的电荷可转变型金属–有机框架材料(英文)袁贝贝1,2,3,周蓓蓓1,2,3,章跃标1,施剑林1,21. 上海科技大学物质科学与技术学院2. 中国科学院上海硅酸盐研究所3. 中国科学院大学摘 要:通过研究具有两种轮桨状构筑基元和四种纳米笼子结构锌基金属-有机框架(Zn-MOF)的染料吸附特性和机理,发现其分子吸附的普适性,以及尺寸和电荷的选择性.由于Zn-MOF孔道内漂浮着抗衡阴离子,及框架上有可配位位点,所以它能通过离子交换机理吸附阴性染料,框架上电荷转变机理吸附阳性染料,主客体相互作用吸附中性染料,表现出优越的分子吸附多功能性.Zn-MOF内带电荷纳米笼的尺寸选择性和电荷选择性的共同作用为设计具有更高水平兼容性和识别性的优异多孔材料铺平了道路.关键......
化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析王雪峰1,2,叶小球1,冯春蓉1,2,谌晓洪2,杨蕊竹1,饶咏初1,李强1,宋久鹏3,吴吉良11. 表面物理与化学重点实验室2. 西华大学3. 厦门虹鹭钨铝工业有限公司摘 要:利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D,1.3×1025 D/m2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性.结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在1019 D/m2量级;氘的脱附温度区间为400~800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV.关键词:化学气相沉积钨(CVD-W);氘......
宽行加工中行宽与主曲率的关系研究贾英杰,陈志同北京航空航天大学机械工程及自动化学院摘 要:高计算效率及高光顺性是宽行加工技术中的重要研究内容.插值最窄行宽处的最优位姿获得其他刀位位姿的方法,是提高宽行加工的计算效率及刀轨光顺性的有效途径,因此最窄行宽位置的确定问题是宽行加工中的必要研究问题.选择中点法为刀位优化方法,通过理论分析得出设计曲面的局部曲率分布决定了行宽的结论,使用实验方法对行宽和主曲率的关系进行研究,给出了依据主曲率预判最窄行宽位置的方法.首先对行宽和最大主曲率及最小主曲率的关系进行单因素分析,并绘制关系曲线.其次在主曲率坐标系中绘制行宽的等高线云图,同时分析得出行宽与最大主曲率与最小主曲率的差值呈负相关.最终通过实例验证了该结论.关键词:宽行加工;行宽;主曲率;误差分布;......
比较明显.在100~200 °C时,晶粒长大的活化能为203.3 kJ/mol,在300~500 °C时,活化能为166.34 kJ/mol.讨论了析出相溶解对铝点阵常数和XRD(111)面峰位位移的影响,也讨论了PLC对应力应变曲线的影响. 关键词:力学性能表征；X射线衍射；铝合金；体变形；晶粒生长；晶粒细化 (Edited by Yun-bin HE) Corresponding author......
约束条件.w*拟采用n位二进制编码,其精度为1/2n,,其中(xi1xi2…xin)2表示xi1xi2…xin为二进制数,xij=0或1,j=1, 2, …, n,从而满足约束条件. (2) 选择.采用精英保留原则,即将当前种群中适应度最高的个体结构完整地复制到下一代群体中,其主要优点是能保证遗传算法终止时得到的最后结果是历代出现过的最高适应度的个体,并且能快速准确地逼近全局最优解. (3) 交叉.交叉操作可以得到新一代个体,新个体组合了父辈个体的特性.本文拟采用单点交叉,在个体编码串中随机设置1个交叉点,然后,在该点相互交换2个配对个体的部分染色体. (4) 变异.对群体中的每一个个体,以某一概率改变某一个或某一些基因座上的基因值为其他的等位基因.本文将采用简单变异,对个体编码中以变异概率在随机指定的某一位或某几位基因座上的值进行变异运算. (5) 适应度函数.度量个体适应度的函数称为适......
50 mm试样并沿垂直于中心轴切开,观察气孔大小和分布特征.定义多孔铜横截面上的气孔数密度(n)为单位面积S(5 mm×5 mm)上的气孔数,n和平均气孔直径(d)由Image J图像分析软件统计获得,整个试样的平均气孔直径定义为3个横断面上的统计平均值；多孔铜连铸试样的气孔率(ξ)根据阿基米德原理测得. 图1 Gasar连铸装置示意图 Fig. 1 Schematic...长方向定向分布于金属基体中,且每个晶粒包含几个气孔,但大部分气孔分布在晶界上.造成这种现象的原因可能有以下两点:1) 晶界上空位和位错等缺陷较多,溶质原子的扩散速度较快[19],导致晶界附近溶质浓度较高,在发生相变时,气孔容易在晶界附近形核和长大；2) 由于气孔和柱状晶的尺寸在同一数量级范围内,对于在晶内形核和长大的气孔,气孔和金属液相间表面能导致气孔直径逐渐变大,从而使气孔分布逐渐靠近晶界......
定点小数乘法器的低功耗算法与实现技术 袁博,刘红侠 (西安电子科技大学 微电子学院,宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室,陕西 西安,710071) 摘要:针对集成电路前端设计中的定点小数乘法器,提出一种既能够优化其内部加法器数量又能优化各级加法结果位宽的低功耗算法,而且在算法的实现技术上,解决目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统从而降低系统优化效果的问题.在介绍该算法的理论基础和实现...法；加法器数量；位宽；缺省；逻辑单元；功耗；面积 中图分类号:TN702；TN402 文献标志码:A 文章编号:1672-7207(2014)01-0132-10 Low power methodology......
