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Ti/Al/Ni/Au在N-polarGaN上的欧姆接触王现彬1,王颖莉1,赵正平21. 石家庄学院物理与电气信息工程学院2. 河北工业大学信息工程学院摘 要:N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点.以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物.结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10-5Ω·cm2的最优欧姆接触特性.TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlOx,两者共同作用会进一步拉高势垒......
Si基GaN上的欧姆接触 席冬娟1,江若琏1,赵作明1,沈波1,陈鹏1,郑有炓1 (1.南京大学物理系,南京,210093) 摘要:研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性. 关键词:Si基GaN; 欧姆接触; Al; Ti/Al/Pt/Au; [全文内容正在添加中] ......
GaN基器件中的欧姆接触 邵庆辉1,叶志镇1,黄靖云1 (1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027) 摘要:GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状. 关键词:氮化镓; 欧姆接触; 接触电阻率; [全文内容正在添加中] ......
Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究 陈堂胜1,陈敦军2,沈波2,周慧梅2,郑有炓2,焦刚1 (1.信息产业部南京电子第五十五所,江苏,南京,210016;2.南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093) 摘要:研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN(i-AlGaN/GaN) 异质结构之间的欧姆接触性质.在退火温度低于700 ℃时,两种接触样品上都不能得到欧姆接触.随着退火温度的升高,850 ℃快速退火后,在Ti/Al/Ni/Au 接触上获得了1.26×10-6 Ω*cm2的比接触电阻率,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了1.97×10-5 Ω*cm2的比接触电阻率.研究结果表明,金属与半导体接触界......
Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究 夏冠群1,李冰寒1,周健1,刘文超1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究.结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10-4Ω@cm2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关. 关键词:Au/Ti/W/Ti; 砷化镓; 欧姆接触; [全文内容正在添加中] ......
空气中烧成镍电极与PTCR的欧姆接触 李秀峰1,肖腊连1,曾亦可1,邓传益1,姜胜林1 (1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074) 摘要:对用厚膜烧成法在PTCR半导瓷上制备镍电极进行了研究.实验表明空气中烧渗镍电极可以和PTCR形成良好的欧姆接触.讨论了镍电极的形成机理及其与PTCR半导瓷的接触特性. 关键词:镍电极; 欧姆接触; PTCR; [全文内容正在添加中] ......
低阻金属/P-GaN欧姆接触的研究进展岳恩22. 重庆材料研究院摘 要:GaN由于在光电子,高温大功率器件和高频微波器件等方面广阔的应用前景而被作为当前化合物半导体的研究热点.虽然低电阻率和高热稳定性的金属/P-GaN欧姆接触研究近年取得了极大的发展,但其仍然是GaN基器件发展的瓶颈因素之一.通过对目前低阻欧姆接触方案介绍和对比,以期探讨优良金属/P-GaN欧姆接触的一般设计原则与研究方向.关键词:P-GaN;欧姆接触;金属化方案;极化效应;......
单晶硅太阳能电池硅与电极间的欧姆接触 李茜1,蔡云卓1,赵玲1,陈亮维1,黄富春1,谭富彬1 (1.昆明贵金属研究所,) 摘要:通过样品横断面金相观察,TG-DTA及X-射线衍射分析,证明单晶硅与银浆,铝浆(银铝浆)在烧结过程中形成合金,消除硅与电极间的肖特基势垒,使电极与硅形成欧姆接触. 关键词:单晶硅; 太阳能电池; 硅; 电极; 欧姆接触; [全文内容正在添加中] ......
2.5GDFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究 彭晔1,朱洪亮1,李秉臣1 (1.中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心,北京100083) 摘要:对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4. 关键词:能带工程; 欧姆接触; 串联电阻; [全文内容正在添加中] ......
两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究 叶建青1,王立2,江风益2,管志斌2 (1.南昌欣磊光电科技有限公司,南昌,330012;2.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047) 摘要:报道了一种可靠稳定且低接触电阻的 n型 GaN欧姆接触.首先在掺硅的 n型 GaN (3?10 18cm-3)蒸镀 Ti(30nm)/Al(500nm), 然后在氮气环境 530℃合金化 3min, 最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护 Al层不被氧化.该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为 8.8?10-5 Ω cm2,表面平坦,稳定,易焊线 ,可应用于制作高性能的 GaN器件. 关键词:两步镀膜Ti/Al/Ti/Au; GaN; 欧姆接触; [全文内容正在添加中] ......
