DOI:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2002.03.018
氢氧化镍电极材料的层错结构表征
北京有色金属研究总院
北京工业大学材料科学与工程学院
中南大学材料科学与工程系
北京工业大学材料科学与工程学院 北京100088
北京100022
长沙410083
摘 要:
根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性 , 提出层错结构表征方法。采用层错宽化效应的Warren法和Langford谱分解法 , 测算了一些镍电极材料的层错率。结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系 , 放电容量较高 (2 70mA·h/g) 的材料层错率达 14.9% , 而放电容量较低 (2 0 7mA·h/ g) 的材料层错率为 7.6 %。因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能
关键词:
中图分类号: TM911
收稿日期:2001-07-02
基金:国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 0 6 );
Structural characterization of stacking faults for nickel hydroxide
Abstract:
According to the anisotropic broadening feature in X-ray diffraction pattern of Ni (OH) 2 electrode materials, the stacking fault structural model is proposed. By using the methods suggested from both of Warren and Langford, the stacking fault probability of some nickel hydroxides were determined. Compared with the data of discharge capacity of the material, it is found that there exists a certainly corresponding relationship, e.g. the greater the discharge capacity (270?mA·h/g) , the higher the stacking fault probability (14.9%) is and the smaller the discharge capacity (207?mA·h/g) , the lower the stacking fault probability (7.6%) is. The structural characterization of electrochemical property was suggested by using stacking fault ratio.
Keyword:
nickel hydroxide; electrode material; stacking fault; discharge capacity;
Received: 2001-07-02
氢氧化镍是制作Ni/MH和Ni/Cd等二次碱性电池的重要正极材料。 生产中大多采用镍盐中和法制备球形氢氧化镍, 其电化学性能的优劣主要取决于晶粒度和微晶结构参数。 从微晶结构的观点来看, 氢氧化镍粒子是由许多带微孔的微晶组成
作者在上述研究的基础上, 进一步探讨镍电极材料层错率的X射线测定方法及其同电化学性能之间的关系。
1 β-Ni (OH) 2的X射线衍射谱特征
β-Ni (OH) 2粉末的X射线衍射谱的基本特征是衍射谱线的选择性宽化, 如图1所示。 衍射谱宽化的规律如下:
1) h-k=3n±1, l为偶数的谱线宽化最大, 如 (102) , (202) ;
2) h-k=3n±1, l为奇数的谱线宽化次之, 如 (101) , (103) ;
3) hk0, h-k=3n的谱线无宽化, 如 (110) 。
这种谱线宽化性质与一般六方金属合金的层错宽化特征相似。 同时, 这与一定条件下制备的β-Ni (OH) 2粉末c值急剧增加和沿c轴方向产生含缺陷的平面堆积结构有关
图1β-Ni (OH) 2粉末的X射线衍射谱
Fig.1 X-ray diffraction pattern of β-Ni (OH) 2 powder
2 层错率的测算方法
目前关于氢氧化镍电极材料层错率的测定主要有3种方法: 全谱X射线拟合法
2.1 Warren法
对于密排六方金属合金的X射线衍射谱线层错宽化效应, Warren
式中 βr为扣除仪器宽化后的真实谱线宽度, 用半高宽表示; d为 (hkl0) 的晶面间距; c=a3=2d0002; α为形变层错率; β为生长层错率。
取两组衍射晶面的谱线半高宽, 并求解方程组 (1) , 可求得α和β值。
2.2 Langford谱分解法
该法最初是由Langford提出来的, 用于草酸盐晶粒度和微结构的分析, 称为谱图分解法 (Pattern decomposition) 。 作者利用该方法对镍电极材料的层错率进行了测定。 首先通过线形拟合法求得 (100) , (001) , (101) 和 (102) 谱线的积分宽度和半高宽, 并扣除仪器宽化效应得到尺寸宽化的表观宽化β2, 然后根据圆柱片晶的直径D和高度H按下式计算
图2 氢氧化镍的层错结构效应
Fig.2 Effect of stacking faults on structure of β-Ni (OH) 2 along (110) plane (a) —Ideal β-Ni (OH) 2; (b) —With one growth fault; (c) —With one deformation fault
D (101) 和D (102) :
再按Scherrer公式计算尺寸宽化的宽度β (101) 和β (102) , 将表观宽化扣除相应的尺寸宽化效应, 则可得出由层错宽化产生的宽化βm, 然后按下式计算层错率:
式中 ψz为衍射矢量与圆片微晶c轴方向的夹角。
在无机非金属材料中沿用了金属材料的层错概念, 但实际上它们属于另一类层错, 即乱层层错或涡漩层错
3 实验
采用上述两种方法分别对β-Ni (OH) 2粉末层错率进行测算, 并与其电化学性能进行对比分析。 Langford测算用试样分别为国产料A, 进口料B和国产料C, β-Ni (OH) 2是由NiSO4和Na (OH) 2溶液直接沉淀获得。 Warren法则引用文献
在X-pertMRD衍射仪 (Philips公司制造) 上用CuKα和石墨单色器, 正比计数管测量β-Ni (OH) 2各谱线的衍射数据, 经X-pert Plus分析软件和Line profile线形拟合程序处理谱线宽化数据, 并用BaF2标样扣除仪器宽化效应。 Pseudo-voigt函数用于线形拟合, 并将新获得的数据按Langford方法处理。
4 结果与讨论
4.1 用Langford法测算层错率
图3所示是国产料A, 进口料B和国产料C 3个样品的X射线衍射图。 由图可见进口料较国产料的谱线宽化严重。 表1和表2分别为BaF2及国产料A粉末的X射线衍射数据 (经线形拟合后的数据) , 由表列数据可以判定β-Ni (OH) 2的谱线宽化性质属洛仑兹型。 如按Langford法处理, 仪器宽化效应可直接扣除, 然后按Scherrer公式计算Dhkl, 并由 (100) 及 (001) 晶面法向的厚度尺寸, 确定D/H值为2.438, 可判定微晶属薄圆柱微晶。 由式 (2) 计算 (101) 晶面法向的微晶尺寸及按Scherrer公式计算尺寸效应引起的宽化βs, 并由βa-βs即得层错宽化βm。
图3β-Ni (OH) 2粉末的X射线衍射图
Fig.3 X-ray diffraction patterns of β-Ni (OH) 2 powders (a) —Sample A; (b) —Sample B; (c) —Sample C
表1 BaF2标准样品的XRD数据
Table 1 XRD data of BaF2 standard sample
2θ/ (°) |
FWHM/ (°) | βg/ (°) |
24.89 |
0.085 | 0.119 |
28.82 |
0.085 | 0.117 |
41.20 |
0.088 | 0.119 |
48.72 |
0.090 | 0.124 |
51.04 |
0.090 | 0.127 |
59.65 |
0.099 | 0.137 |
65.64 |
0.103 | 0.143 |
67.56 |
0.103 | 0.144 |
表2 国产Ni (OH) 2样品A的XRD数据
Table 2 XRD data of sample A
hkl | 2θ/ (°) | FWHM / (°) |
βh/ (°) | βf/ (°) | d/? | β*f/ (103·?-1) |
001 |
19.22 | 0.687 | 0.928 | 0.800 | 112 | 8.93 |
100 |
33.14 | 0.269 | 0.456 | 0.338 | 273 | 3.66 |
101 |
38.56 | 0.785 | 1.469 | 1.351 | 69 | 14.49 |
102 |
52.02 | 1.322 | 2.429 | 2.302 | 43 | 23.26 |
110 |
59.10 | 0.355 | 0.545 | 0.408 | 250 | 4.00 |
111 |
62.70 | 0.589 | 0.818 | 0.678 | 152 | 6.58 |
由表2和式 (3) 得α (101) =11.66%, α (102) =7.13%和α=9.4%。 同理可计算进口料B和国产料C的α值分别为11.8%和3%。 该数据与图2所示的衍射谱一致。
图4所示是3个样品在1C和0.2C的放电曲线。 可见, 层错率大的进口料, 其放电曲线上电压平台最高, 放电容量也最大; 而层错率低的样品C, 无论是放电容量, 还是放电电压平台都是最低的, 尤其是在1C放电分解温度最高, 为318 ℃, 这是晶体有序性较高的结构最为稳定的缘故。
图4β-Ni (OH) 2粉末的放电曲线
Fig.4 Discharge curves of β-Ni (OH) 2 powders (a) —1C; (b) —0.2C
4.2 用Warren法测算层错率
表3所列是引用Bernard等人
表3 采用XRD半高宽法计算的晶粒度
Table 3 Crystalline size calculated from width of XRD peak (?)
Sample |
hkl |
||||||||
001 |
100 | 101 | 102 | 110 | 111 | 103 | 201 | 202 | |
1 |
85 | 195 | 68 | 52 | 157 | 123 | 51 | 86 | 52 |
2 |
84 | 219 | 77 | 47 | 180 | 134 | 63 | 97 | 49 |
3 |
76 | 250 | 104 | 72 | 192 | 132 | 87 | 110 | 78 |
4 |
106 | 244 | 128 | 89 | 176 | 146 | 108 | 112 | 76 |
5 |
126 | 242 | 137 | 114 | 130 | 131 | 125 | 105 | 96 |
表4 对应试样的晶体学数据、 层错率和电池容量
Table 4 Crystallographic parameters, stacking fault ratio and discharge capacity of samples
Sample |
a/nm | c/nm | α/% | Discharge capacity / (mA·h·g-1) |
β-NiOOH |
0.281?0 | 0.484?0 | ||
1 |
0.314?2 | 0.468?3 | 14.90 | 270 |
2 |
0.314?6 | 0.464?6 | 11.80 | 251 |
3 |
0.314?4 | 0.464?1 | 9.30 | 221 |
4 |
0.314?6 | 0.462?9 | 7.60 | 207 |
5 |
0.315?0 | 0.464?9 | 7.70 | 180 |
β-Ni (OH) 2 |
0.312?0 | 0.460?0 |
由于Ni/MH电池中镍电极反映的是电极/电解液界面的质子迁移过程, 因此氢氧化镍晶体层间质子的迁移对电极的活性和利用率有重要的影响。 从β-Ni (OH) 2→β-NiOOH的相转变常伴有点阵参数的变化, 即a值减小, c值增加。 a值的减小是由于Ni离子半径的减小引起, 而c值的增加是由于Ni (OH) 2中片层间的静电排斥 (或沿c轴方向形成含有层错的堆积缺陷) 。
因此, 在制备过程中, Ni电极的电化学性能如比容量, 循环使用寿命和电极活性的变化与a, c值的变化有关, 实质上与层错缺陷结构有关。
参考文献
[8] WarrenBE .ProgressinMetalPhysics[M ].London:PergamonPress, 1962.147-202.