具有Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面和电学性能的表征
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第2期
论文作者：何大伟 宋朝瑞 程新红 沈达身 俞跃辉
关键词：栅介质; HfO2阻挡层; Al2O3; gate dielectrics; HfO2; blocking layer; Al2O,3;
摘 要：研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能.X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的siOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物.由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为-4.5×1011/cm2.发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能.
何大伟1，宋朝瑞1，程新红2，沈达身3，俞跃辉1
(1.中国科学院上海微电子与信息技术研究所,上海,200050;
2.温州大学,浙江温州,325027;
3.University,of,Alabama,Alabama,35899)
摘要:研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能.X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的siOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物.由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为-4.5×1011/cm2.发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能.
关键词:栅介质; HfO2阻挡层; Al2O3; gate dielectrics; HfO2; blocking layer; Al2O,3;
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