注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第5期
论文作者：郑中山 张国强 李国花 于芳 刘忠立 王宁娟 李宁
关键词：SOI; MOSFET; 辐射加固; 离子注入; SOI; MOSFET; radiation hardness; ion implantation;
摘 要：本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.
郑中山1，张国强1，李国花1，于芳1，刘忠立1，王宁娟1，李宁1
(1.中科院半导体所,北京,100083)
摘要:本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.
关键词:SOI; MOSFET; 辐射加固; 离子注入; SOI; MOSFET; radiation hardness; ion implantation;
【全文内容正在添加中】
