不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第2期
论文作者：孟阿兰 李镇江 高卫东 万里冰
关键词：β-Ga2O3纳米材料; 不同形貌; 合成; 形成机理;
摘 要：通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件.场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片.X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数α=1.223 nm,b=0.304 nm,c=0.58 nm,α=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体.
孟阿兰1，李镇江1，高卫东1，万里冰1
(1.青岛科技大学,山东,青岛,266042;
2.清华大学深圳研究院,广东,深圳,518057)
摘要:通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件.场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片.X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数α=1.223 nm,b=0.304 nm,c=0.58 nm,α=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体.
关键词:β-Ga2O3纳米材料; 不同形貌; 合成; 形成机理;
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