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近等原子比NiTi合金中微观缺陷和电子密度的正电子湮没研究

来源期刊:稀有金属材料与工程2013年第8期

论文作者:胡益丰 邓文

文章页码:1581 - 1584

关键词:NiTi合金;微观缺陷;电子密度;形状记忆效应;

摘    要:用正电子寿命谱测量方法研究了5种不同化学成分的近等原子比NiTi合金中的微观缺陷和自由电子密度。结果表明,当Ni原子和Ti原子形成NiTi合金时部分3d电子被局域化而形成共价键,导致合金中参与形成金属键的自由电子减少。近等原子比的NiTi合金中的基体和缺陷处的自由电子浓度均随Ni含量的增加而改变,并且当Ni含量为51 at%时达到最大值。研究还发现Ni51Ti49合金含有最少的缺陷,从而有助于马氏体相变的发生,这可能成为Ni51Ti49合金具有最好的形状记忆效应的一个原因。

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近等原子比NiTi合金中微观缺陷和电子密度的正电子湮没研究

胡益丰1,邓文2

1. 江苏理工学院2. 广西大学

摘 要:用正电子寿命谱测量方法研究了5种不同化学成分的近等原子比NiTi合金中的微观缺陷和自由电子密度。结果表明,当Ni原子和Ti原子形成NiTi合金时部分3d电子被局域化而形成共价键,导致合金中参与形成金属键的自由电子减少。近等原子比的NiTi合金中的基体和缺陷处的自由电子浓度均随Ni含量的增加而改变,并且当Ni含量为51 at%时达到最大值。研究还发现Ni51Ti49合金含有最少的缺陷,从而有助于马氏体相变的发生,这可能成为Ni51Ti49合金具有最好的形状记忆效应的一个原因。

关键词:NiTi合金;微观缺陷;电子密度;形状记忆效应;

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