V2O5掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷性能的影响
来源期刊：机械工程材料2006年第5期
论文作者：殷镖 黄金亮 赵高磊 周焕福 王茹玉
关键词：V2O5; 介质陶瓷; 烧结温度; 介电性能;
摘 要：采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1.
殷镖1，黄金亮1，赵高磊1，周焕福1，王茹玉1
(1.河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003)
摘要:采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1.
关键词:V2O5; 介质陶瓷; 烧结温度; 介电性能;
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