掺杂MnZn功率铁氧体的电子显微研究
来源期刊：磁性材料及器件2009年第2期
论文作者：马丽丽 吕德春 李世岚 王娇 包生祥
关键词：MnZn铁氧体; 掺杂; 显微结构;
摘 要：采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对掺杂MnZn功率铁氧体断面进行了分析和表征.对比研究了各掺杂剂在微结构中的分布情况,并探论其在微结构形成过程中的作用及对电磁性能的影响.结果表明,掺杂剂在显微结构中的存在形式可分为四类:(1)掺杂剂进入晶格.其阳离子半径和电负性与Mn、Zn、Fe的离子半径相当,发生阳离子置换,如TiO2、CeO2等;(2)富集于晶界.掺杂剂阳离子半径较大,常偏析于晶界处,如CaO、Bi2O3等;(3)一部分进入晶格,一部分滞于晶界.如SnO2、V2O5、MoO3等;(4)掺杂剂与气孔伴生存在,偏聚于晶粒内部较浅的缩孔中,如Nb2O5、P2O5等.
马丽丽1，吕德春1，李世岚1，王娇1，包生祥1
(1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054)
摘要:采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对掺杂MnZn功率铁氧体断面进行了分析和表征.对比研究了各掺杂剂在微结构中的分布情况,并探论其在微结构形成过程中的作用及对电磁性能的影响.结果表明,掺杂剂在显微结构中的存在形式可分为四类:(1)掺杂剂进入晶格.其阳离子半径和电负性与Mn、Zn、Fe的离子半径相当,发生阳离子置换,如TiO2、CeO2等;(2)富集于晶界.掺杂剂阳离子半径较大,常偏析于晶界处,如CaO、Bi2O3等;(3)一部分进入晶格,一部分滞于晶界.如SnO2、V2O5、MoO3等;(4)掺杂剂与气孔伴生存在,偏聚于晶粒内部较浅的缩孔中,如Nb2O5、P2O5等.
关键词:MnZn铁氧体; 掺杂; 显微结构;
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