掺锗CZSi禁带宽度的变化
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：王雅欣 牛新环 张维连 蒋中伟 吕海涛
关键词：直拉法; 晶体生长; SiGe体单晶; 禁带宽度;
摘 要：采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
王雅欣1，牛新环1，张维连1，蒋中伟1，吕海涛1
(1.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130)
摘要:采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
关键词:直拉法; 晶体生长; SiGe体单晶; 禁带宽度;
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