0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：胥兴才 赵玲莉 刘训春 赵静 张绵 李兵 陈朝晖 叶甜春 谢常青 陈大鹏
关键词：X射线光刻; PHEMT; T型栅;
摘 要：对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.
胥兴才1，赵玲莉1，刘训春1，赵静2，张绵2，李兵1，陈朝晖1，叶甜春1，谢常青1，陈大鹏1
(1.中国科学院微电子中心,北京100010;
2.信息产业部电子13所,石家庄050051)
摘要:对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.
关键词:X射线光刻; PHEMT; T型栅;
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