Si(111)衬底上生长GaN晶环的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2004年第11期
论文作者：魏芹芹 薛成山 曹文田 王强 王显明 孙振翠
关键词：热壁化学气相沉积; 氮化镓; 晶环; hot-wall chemical vapor deposition; GaN; five half-loops;
摘 要：利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶环.SEM显示在均匀的薄膜上出现直径约为10μm的5晶环,由XRD和SAED的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN,同时含有少量的C污染,PL测试表明晶环呈现不同于GaN薄膜的发光特性.
魏芹芹1，薛成山1，曹文田1，王强1，王显明1，孙振翠1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶环.SEM显示在均匀的薄膜上出现直径约为10μm的5晶环,由XRD和SAED的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN,同时含有少量的C污染,PL测试表明晶环呈现不同于GaN薄膜的发光特性.
关键词:热壁化学气相沉积; 氮化镓; 晶环; hot-wall chemical vapor deposition; GaN; five half-loops;
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