利用表面活性剂量改变孔洞率制备的纳米多孔SiO_2膜
来源期刊:功能材料与器件学报2009年第5期
论文作者:谢伏将 方学玲 田琳琳 关飞飞 姚兰芳
关键词:纳米多孔; 介孔结构; SiO2薄膜; 表面活性剂; 改变孔洞率; 溶胶-凝胶方法; nanoporous; mesostructured; silica films; surfactant; varying porosity; sol-gel method;
摘 要:采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,在酸性条件下产生多孔结构,再经热处理去除CTAB.实验中使用溶胶-凝胶技术,正硅酸乙酯(WEOS)为硅源,以及二次去离子水,盐酸为催化剂等原料,利用表面活性剂与硅源水解后形成的聚集体相互作用,在溶液中形成分子自组装体,制备前驱体溶胶.通过简单提拉迅速蒸发溶剂制备纳米多孔或纳米介孔SiO_2薄膜,分析和研究了表面活性荆浓度对纳米多孔SiO_2薄膜的结构和孔洞率的影响,通过操纵表面活性剂的含量,能控制薄膜的纳米结构、孔洞率、孔大小和孔的形态以及膜的形貌.小角度射线衍射、场发射透射电子显微镜、原子力显微镜显示可以制得具有六方、立方和由三维六方和简单立方组成的新相结构以及比介孔大的纳米多孔结构的薄膜.椭偏仪测量得到所制备薄膜的孔洞率为51.8%-65.6%,借助此孔洞率能计算薄膜的折射率和介电常数.
谢伏将1,方学玲1,田琳琳1,关飞飞1,姚兰芳1
(1.上海理工大学,理学院物理系,上海200093)
摘要:采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,在酸性条件下产生多孔结构,再经热处理去除CTAB.实验中使用溶胶-凝胶技术,正硅酸乙酯(WEOS)为硅源,以及二次去离子水,盐酸为催化剂等原料,利用表面活性剂与硅源水解后形成的聚集体相互作用,在溶液中形成分子自组装体,制备前驱体溶胶.通过简单提拉迅速蒸发溶剂制备纳米多孔或纳米介孔SiO_2薄膜,分析和研究了表面活性荆浓度对纳米多孔SiO_2薄膜的结构和孔洞率的影响,通过操纵表面活性剂的含量,能控制薄膜的纳米结构、孔洞率、孔大小和孔的形态以及膜的形貌.小角度射线衍射、场发射透射电子显微镜、原子力显微镜显示可以制得具有六方、立方和由三维六方和简单立方组成的新相结构以及比介孔大的纳米多孔结构的薄膜.椭偏仪测量得到所制备薄膜的孔洞率为51.8%-65.6%,借助此孔洞率能计算薄膜的折射率和介电常数.
关键词:纳米多孔; 介孔结构; SiO2薄膜; 表面活性剂; 改变孔洞率; 溶胶-凝胶方法; nanoporous; mesostructured; silica films; surfactant; varying porosity; sol-gel method;
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