磁控溅射法制备WO3薄膜及其非线性电学性质
来源期刊:功能材料与器件学报2003年第1期
论文作者:王豫 陈敏 姚凯伦 羊新胜 刘祖黎 魏合林
关键词:三氧化钨; 薄膜; 非线性电阻特性;
摘 要:利用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备了 WO3薄膜,测量了薄膜的伏安特性和显微 结构.实验表明实验制备了颗粒小于 100nm的 WO3多晶膜,薄膜具有良好的非线性电学行为,其 非线性系数在 0.1 ~ 1mA的范围内可达到 10以上.简略讨论了 WO3薄膜的非线性电输运机理.
王豫1,陈敏1,姚凯伦1,羊新胜1,刘祖黎1,魏合林1
(1.华中科技大学物理系,武汉,430074)
摘要:利用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备了 WO3薄膜,测量了薄膜的伏安特性和显微 结构.实验表明实验制备了颗粒小于 100nm的 WO3多晶膜,薄膜具有良好的非线性电学行为,其 非线性系数在 0.1 ~ 1mA的范围内可达到 10以上.简略讨论了 WO3薄膜的非线性电输运机理.
关键词:三氧化钨; 薄膜; 非线性电阻特性;
【全文内容正在添加中】