Ta含量对Ti/IrO2-Ta2O5电极电容性能影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2017年第9期
论文作者：贺冲 陈志杰 林德源 陈云翔 邵艳群 伊昭宇 唐电
文章页码：2589 - 2593
关键词：二氧化铱;五氧化二钽;超级电容器;交流阻抗谱;
摘 要：采用低温热分解法制备了Ti基IrO2-Ta2O5氧化物涂层电极。通过X射线衍射（XRD）,循环伏安曲线,交流阻抗谱,恒流充放电等测试方法分析了Ta含量对IrO2-Ta2O5氧化物涂层组织结构及电容性能的影响。结果表明,Ta2O5可抑制IrO2的晶化程度。随涂层中Ta含量增加,晶化度降低。当Ta含量为60 mol%时,IrO2-Ta2O5电极的结晶度为6.4%,具有较小的电荷转移电阻和最高的比电容（239.2 F/g）,比IrO2电极比电容（54.1 F/g）提高了近4倍。
贺冲1，陈志杰1，林德源2，陈云翔2，邵艳群1，伊昭宇1，唐电1
1. 福州大学2. 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
摘 要：采用低温热分解法制备了Ti基IrO2-Ta2O5氧化物涂层电极。通过X射线衍射（XRD）,循环伏安曲线,交流阻抗谱,恒流充放电等测试方法分析了Ta含量对IrO2-Ta2O5氧化物涂层组织结构及电容性能的影响。结果表明,Ta2O5可抑制IrO2的晶化程度。随涂层中Ta含量增加,晶化度降低。当Ta含量为60 mol%时,IrO2-Ta2O5电极的结晶度为6.4%,具有较小的电荷转移电阻和最高的比电容（239.2 F/g）,比IrO2电极比电容（54.1 F/g）提高了近4倍。
关键词：二氧化铱;五氧化二钽;超级电容器;交流阻抗谱;
