晶粒尺寸对FeS2薄膜微应变及光吸收特性的影响
来源期刊：无机材料学报2007年第1期
论文作者：刘艳辉 汪洋 孟亮
关键词：FeS2; 晶粒尺寸; 微应变; 禁带宽度;
摘 要：采用不同厚度的Fe膜在673K热硫化20h制备出具有不同晶粒尺寸的FeS2薄膜,分析并测定了薄膜组织结构、微应变及光吸收性能.结果表明,Fe膜硫化形成的FeS2薄膜厚度在120～550 nm范围内变化时,可导致平均晶粒尺寸在40～80 nm之间变化.FeS2晶粒尺寸的变化造成了晶体面缺陷密度的变化,可引起微观内应力水平、缺陷能级分布和晶界势垒高度的变化,进而使得薄膜的微应变、点阵畸变度、光吸收系数及禁带宽度等物理特性随晶粒尺寸的增加而降低.
刘艳辉1，汪洋2，孟亮1
(1.浙江大学材料与化学工程学院,杭州,310027;
2.兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州,730070)
摘要:采用不同厚度的Fe膜在673K热硫化20h制备出具有不同晶粒尺寸的FeS2薄膜,分析并测定了薄膜组织结构、微应变及光吸收性能.结果表明,Fe膜硫化形成的FeS2薄膜厚度在120～550 nm范围内变化时,可导致平均晶粒尺寸在40～80 nm之间变化.FeS2晶粒尺寸的变化造成了晶体面缺陷密度的变化,可引起微观内应力水平、缺陷能级分布和晶界势垒高度的变化,进而使得薄膜的微应变、点阵畸变度、光吸收系数及禁带宽度等物理特性随晶粒尺寸的增加而降低.
关键词:FeS2; 晶粒尺寸; 微应变; 禁带宽度;
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